相比傳統(tǒng)的硅器件，氮化鎵器件的開關(guān)速度要比硅快20倍，體積和重量更小，在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時相比于硅，氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍，搭配快充方案，同體積下充電速度可以提升3倍
2021-11-26 09:42:13
6891 公司內(nèi)部以及合作開發(fā)的七款設(shè)計工具可以為45W至140W的 適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢 ? 加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國商業(yè)資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換
2022-06-27 17:12:101216 
PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù)，可提供高達100W的功率，效率超過93%，因而無需散熱片，并可簡化空間受限型應(yīng)用的電源設(shè)計。
2023-03-31 02:10:004871 
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:015665 
Transphorm用于低功耗應(yīng)用的高可靠性器件能簡化電源系統(tǒng)的開發(fā)，減少元件數(shù)量；是18億美元規(guī)模的適配器市場的成熟解決方案。 ? 加州戈利塔 -- (新聞稿)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN
2022-08-08 10:47:131199 
該器件已準(zhǔn)備就緒：為Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng) ? 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)
2023-06-02 13:54:07746 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款
2023-11-07 17:51:231546 
?-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平
2024-11-05 10:56:55863 
Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布與電源解決方案制造商Salom合作，面向市場推出符合Quick Charge 5標(biāo)準(zhǔn)的100瓦氮化鎵電源適配器，產(chǎn)品預(yù)計將于2021年
2021-08-12 10:55:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
、ZENDURE 45W氮化鎵充電器+移動電源66、ZENDURE氮化鎵拓展塢+充電器從以上已有30多家廠商推出了超達66款氮化鎵快充產(chǎn)品來看，其中，60W及以上占比達到了五分之三之多；而30W規(guī)格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
/ 45W+18W / 18W）最大輸出功率，100-200V 50/60Hz 電網(wǎng)下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大輸出功率。 充電器采用第三代氮化鎵芯片制作，集功率器件、驅(qū)動、保護
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計劃特準(zhǔn)計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應(yīng)用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
場景1▲圖3：測試場景2測試結(jié)果1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號光滑無任何畸變；2.上管關(guān)斷瞬間負沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍；3.下管關(guān)斷瞬間引起的負沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全
2023-01-12 09:54:23
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
：如前所述，氮化鎵器件以射頻速度開關(guān)。比現(xiàn)有的電力電子開關(guān)速度快得多。鑒于此，具有高共模瞬變抑制（CMTI）的高速柵極驅(qū)動器對優(yōu)化Transphorm GaN FET的性能至關(guān)重要。為此，Si827x
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
{:11:}手頭有個900V，1600W的開關(guān)電源，電壓一直升不上去。到底是哪的問題，查不出來。有哪位大神介紹點斬波升壓這方面的資料。
2013-01-17 09:32:42
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011093 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在
2011-11-16 10:06:461607 SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:312449 氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。
2016-02-24 16:38:104774 氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計中的應(yīng)用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計中的應(yīng)用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實現(xiàn)的DCDC設(shè)計方案
2019-04-03 06:13:006339 
在最近的electronica China上，富士通剛剛展示了代理品牌Transphorm的氮化鎵（GaN）解決方案，可是讓好多現(xiàn)場觀眾駐足圍觀呢。
2019-04-16 18:13:235061 Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認為，碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用，氮化鎵則適用于200~600V中功率應(yīng)用。根據(jù)Yole的預(yù)測，到2020年氮化鎵將進一步往600~900V發(fā)展，屆時GaN勢必會與碳化硅產(chǎn)生競爭關(guān)系。
2019-05-15 17:08:3457381 近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產(chǎn)后預(yù)計實現(xiàn)年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
2020-07-06 08:46:052191 氮化鎵器件的應(yīng)用與集成化綜述
2021-07-22 09:52:38
0 TP65H050G4WS 650V，50MΩ氮化鎵（GaN）FET是一種使用Transphorm的Gen IV的常閉器件站臺它結(jié)合了最先進的高壓氮化鎵HEMT采用低壓硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 15:17:1111 TP90H180PS 900V 165m? 氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管是一個正常關(guān)閉的設(shè)備。Transphorm GaN FET提供更好的性能通過更低的柵極電荷和更快的開關(guān)來提高效率速度和更小的反向恢復(fù)費用，提供與傳統(tǒng)硅（Si）器件相比具有顯著優(yōu)勢。
2022-03-31 14:50:492 TP65H300G4LSG 650V，240MΩ氮化鎵（GaN）FET是一種使用Transphorm的Gen IV的常閉器件站臺它結(jié)合了最先進的高壓氮化鎵HEMT采用低壓硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 14:55:497 本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。
2022-04-24 16:54:336940 
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出
2022-07-29 09:14:471102 Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵
2023-02-03 18:19:053013 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810906 
氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。
2023-02-19 14:32:393119 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應(yīng)用。
2023-02-19 17:20:4811076 
?這兩款適配器，看似體積以及外形都差別不大，但是從原理出發(fā)確是天壤之別。今天，我們從原理出發(fā)剖析市面上氮化鎵的功能以及參數(shù)。 右側(cè)為氮化鎵脫掉外衣的樣子，那么！氮化鎵氮化鎵！到底是哪個電子元器件添加
2023-02-21 15:04:246 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN)今天宣布，公司已贏得一
份美國能源部先進能源研究計劃署(ARPA-E
2023-02-21 13:51:120 （GaN）產(chǎn)品。PI之前有650V硅器件，后來發(fā)布的氮化鎵器件是750V，現(xiàn)在把氮化鎵產(chǎn)品擴展到900V，以滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用的需求。
2023-03-24 10:28:281524 耐壓的半導(dǎo)體器件。近期，深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)宣布推出900V耐壓的氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。 據(jù)了解，新IC采用該公司特有的PowiGaN技術(shù)，使用獨
2023-03-30 11:48:451624 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232504 準(zhǔn)備就緒，可將Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng)。 這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)、以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優(yōu)異的可靠性
2023-06-16 18:25:041016 
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154483 ）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用該公司的一項專利技術(shù)，在氮化鎵功率晶體管上實現(xiàn)了長達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是
2023-08-28 13:44:35585 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561026 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231900 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442505 使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 2023 年 10 月 12 日 － 新世代
2023-10-16 16:34:151348 
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設(shè)計充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mode設(shè)計卻必須在性能上做出妥協(xié)
2023-10-24 14:12:266429 供應(yīng)150V氮化鎵mos管SVGP15140NL5A，提供SVGP15140NL5A規(guī)格參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-06-07 15:53:528 據(jù)了解，致能科技成立于2018年，專注于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來，公司的發(fā)展勢頭愈發(fā)亮眼，已研發(fā)出了650V、900V系列多款GaN功率器件，可廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領(lǐng)域。
2023-11-02 17:58:432459 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 專為大功率應(yīng)用而設(shè)計的隔離式柵極驅(qū)動器，有助于加速氮化鎵半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10880 新一代900V高性能電驅(qū)平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺，雙電機冗余設(shè)計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機在體積更小的情況下提供更強勁的動力輸出。
2023-12-26 10:52:271950 
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強度，但在制備器件時，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416132 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:331231 瑞薩電子近日宣布了一項重大收購，以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元，相當(dāng)于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價，此次收購溢價約35%。
2024-01-23 15:53:211413 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.
2024-04-25 10:46:561248 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子
2024-05-23 11:20:001098 內(nèi)置900V~1500V MOSFET的高可靠性AC-DC電源芯片
2024-08-08 09:50:382347 
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
繼電器，它在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出了卓越的性能。 文件下載： Littelfuse DCNHR 900V直流（最大）接觸器繼電器.pdf 規(guī)格參數(shù) 基本參數(shù) 該系列繼電器的最大額定電壓為900V DC
2025-12-16 11:20:02234
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