功率器件開關(guān)速度對傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識

高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放，這種磁場是空間發(fā)散的，不受控集中時(shí)，會對空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾，應(yīng)盡量做小線路中分布電感。

2023-10-13 標(biāo)簽：電源電路電磁輻射emc 1.2k 0

開關(guān)電源功率器件的散熱

電源功率器件的散熱主要有熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)和散熱器技術(shù)。熱封裝技術(shù)是將電子元件封裝在一個(gè)熱熔膠中，以保護(hù)元件免受外界環(huán)境的損害，并使元件能夠正常工作...

2023-02-16 標(biāo)簽：電源散熱器功率器件 1.2k 0

用于汽車應(yīng)用的下一代高壓分立電源產(chǎn)品

電動汽車的普及將功率半導(dǎo)體性能的界限推向了一個(gè)新的水平。硅功率器件傳統(tǒng)上用于控制汽車中的各種電力電子系統(tǒng)，例如主逆變電機(jī)、泵、暖通空調(diào)壓縮機(jī)、制動和轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。

2022-08-04 標(biāo)簽：電動汽車功率器件碳化硅技術(shù) 1.2k 0

探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而，要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢，其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...

2024-08-19 標(biāo)簽：電感驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 1.2k 0

如何為功率器件、變換器測試挑選合適的探頭?

探頭與示波器被稱為工程師的眼睛，是工程師進(jìn)行電信號測量時(shí)必不可少的工具。探頭在功率領(lǐng)域的應(yīng)用是其發(fā)揮作用的重要方面，包括功率器件測試和變換器測試兩個(gè)方面。

2023-10-17 標(biāo)簽：變換器功率器件示波器探頭 1.2k 0

新能源汽車使用碳化硅功率器件已是必然的變革

森國科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體 新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括：電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載?DC/...

2023-07-03 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET功率器件 1.2k 0

功率器件模塊：一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模，從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。

2024-09-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體emi電磁干擾 1.1k 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.1k 0

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件碳化硅 1.1k 0

安森美封裝技術(shù)進(jìn)階，解鎖SiC性能上限

隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)...

2024-11-14 標(biāo)簽：充電器安森美封裝技術(shù) 1.1k 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離，優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強(qiáng)，使用壽命長，傳輸效率高。

2023-05-17 標(biāo)簽：光耦功率器件碳化硅 1.1k 0

功率半導(dǎo)體器件簡介1

簡介： 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài)，不具備放大，單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制，就是0和1的狀態(tài)，電壓電流較小。 應(yīng)用： 各種電子設(shè)備...

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFETPN結(jié)功率器件 1.1k 0

先積產(chǎn)品在家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用

先積產(chǎn)品在家用電器中的應(yīng)用PRODUCTAPPLICATION據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析，2023年家電板塊整體實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長，毛利率持續(xù)提升下利潤增速更快。2023...

2024-11-07 標(biāo)簽：傳感器家用電器功率器件 1.1k 0

微米級銅在高溫功率器件的應(yīng)用

功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用已擴(kuò)展到相當(dāng)多的行業(yè)，如汽車，航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設(shè)備需要能夠適應(yīng)更高的使用溫度（>250°C），這大大增加了對設(shè)備材...

2024-03-18 標(biāo)簽：封裝功率器件CU 1.1k 0