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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 844 0
功率IC是通過半導(dǎo)體工藝制造出來的電子器件,具有集成度高、功率密度高、體積小等特點。功率IC的制造過程主要分為以下幾個步驟: 晶圓制備:用高純度硅作為原...
硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限,已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而,它們距離充分發(fā)揮...
隨著新能源汽車市場的爆發(fā),電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場,行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。
在現(xiàn)代電子設(shè)備的研發(fā)、測試和生產(chǎn)過程中,電子負(fù)載作為一種重要的測試工具,其應(yīng)用范圍廣泛且不可或缺。本文將從電子負(fù)載的定義、工作原理、優(yōu)勢以及實際應(yīng)用場景...
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動公司發(fā)展,掌握國際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...
UCC24630 具有超低待機電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動器,用于用于次級側(cè)同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器和 MOSFET 的...
我們的研究顯示,早期市場的發(fā)展多由政策推動,隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持,新能源汽車產(chǎn)品的性價比得到了極大的提升?!袄m(xù)航里程 +補能體驗”的雙...
半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破?
基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
電源ic U5402通過硬件電路實現(xiàn)雙通道輸入的信號互鎖,確保高低側(cè)驅(qū)動信號無法同時導(dǎo)通,避免功率器件(如MOSFET/IGBT)因直通電流導(dǎo)致短路損壞...
根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場的價值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...
低頻紋波是與輸出電路的濾波電容容量相關(guān)。由于開關(guān)電源體積的限制,電解電容的容量不可能無限制地增加,導(dǎo)致輸出低頻紋波的殘留,該輸出紋波頻率隨整流電路方式的...
電動汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計發(fā)展報告
高電壓會導(dǎo)致壓縮機、PTC和電機驅(qū)動MCU成本增.加,以當(dāng)前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動系統(tǒng)為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
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