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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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射頻功率電路的熱管理本質(zhì)上包括從電路的元件和敏感區(qū)域去除多余的熱量,以保證在所有操作條件下的最佳性能并避免電路退化或故障。
(文/程文智)根據(jù)乘聯(lián)會的統(tǒng)計,6月份新能源汽車零售量53.2萬輛,同比增長187%,滲透率達(dá)到了27.4%,預(yù)計2022年中國新能源汽車出貨量可達(dá)58...
2022-07-28 標(biāo)簽:功率器件 3320 0
國產(chǎn)的車規(guī)級功率器件有哪些廠商可以提供
據(jù)市場反饋,應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子202...
直接導(dǎo)線鍵合結(jié)構(gòu)最大的特點就是利用焊料,將銅導(dǎo)線與芯片表面直接連接在一起,相對引線鍵合技術(shù),該技術(shù)使用的銅導(dǎo)線可有效降低寄生電感,同時由于銅導(dǎo)線與芯片表...
我們與 ROHM Semiconductor 的電源系統(tǒng)總監(jiān) Aly Mashaly 就這個不斷增長的市場進(jìn)行了交談。 使用電力驅(qū)動的車輛而不是化石燃料...
羅姆的創(chuàng)新工廠將增加 SiC 功率器件的產(chǎn)量
羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動化和可再生節(jié)能技術(shù),從生...
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。
我們知道,GaN在充電器等應(yīng)用上,主要是通過GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率開關(guān)器件在開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)...
SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別
隨著新能源市場的爆發(fā),電動汽車、光伏、儲能等下游應(yīng)用驅(qū)動下,碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后,在近幾...
2022-07-25 標(biāo)簽:功率器件SiC MOSFET 1637 0
整個電力電子行業(yè),包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號的系統(tǒng),都在朝著在越來越小的空間內(nèi)提供越來越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計人員在滿足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求...
有線電視提供商在升級網(wǎng)絡(luò)時要把握好分寸。他們需要在不降低性能和可靠性的情況下,滿足客戶對容量的需求。很多提供商借助 GaN 技術(shù)來保持平衡,原因如下。
據(jù)統(tǒng)計,目前國內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。
? ? 近年來,國內(nèi)功率半導(dǎo)體賽道逐漸火爆,為何業(yè)內(nèi)普遍看好功率半導(dǎo)體的市場前景呢? 這要從功率半導(dǎo)體的特性說起。 客觀而言,功率半導(dǎo)體屬于特色工藝產(chǎn)品...
GaN射頻應(yīng)用優(yōu)勢明顯,功率玩家厚積薄發(fā)
GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類,與SiC類似,全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上,不過相比于Si...
光伏逆變器“核心器件”IGBT在光伏逆變器的應(yīng)用
自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來,太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展,經(jīng)過多年的研究和技術(shù)開發(fā),太陽能光伏組件價格已大幅...
功率器件靜態(tài)參數(shù)系統(tǒng)測試項目和指標(biāo)
PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)...
2022-07-14 標(biāo)簽:系統(tǒng)測試功率器件 2262 0
本次IPO保薦機(jī)構(gòu)為海通證券,擬公開發(fā)行股票16.92億股,募集125億元的資金,擴(kuò)展現(xiàn)有的MEMS和功率器件生產(chǎn)線,新建月產(chǎn)7萬片的硅基8英寸晶圓加工...
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