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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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華為進(jìn)行這些功率器件的研發(fā),究竟是在下一盤(pán)怎么的大棋?
全國(guó)兩會(huì)近日剛落下帷幕,第三代半導(dǎo)體(GaN和SiC)再度成為兩會(huì)的關(guān)鍵詞之一。兩會(huì)期間,全國(guó)政協(xié)委員王文銀在采訪中稱(chēng),伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向5...
2021-05-17 標(biāo)簽:華為功率器件半導(dǎo)體材料 4493 0
國(guó)產(chǎn)的車(chē)規(guī)級(jí)功率器件有哪些廠商可以提供
據(jù)市場(chǎng)反饋,應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經(jīng)停止了車(chē)用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過(guò)了一年。根據(jù)富昌電子202...
2022-07-28 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)控制器功率器件 4475 0
功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型功率晶體管之間的特性比較
除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SOA)曲
1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,又有國(guó)內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基...
青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行
1月18日,青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行。 青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市2020年重大項(xiàng)目,預(yù)計(jì)2022年底完工。該基地將作為...
模擬芯片應(yīng)用需求強(qiáng)勁,特別是隨著物聯(lián)網(wǎng)、5G及新能源汽車(chē)的逐步落地,對(duì)功率器件(以IGBT和MOSFET為主),以及CIS傳感器、OLED面板驅(qū)動(dòng)IC,...
2020-12-10 標(biāo)簽:晶圓物聯(lián)網(wǎng)功率器件 4393 0
集成更高級(jí)的外設(shè),是C2000微控制器滿足復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的另一大優(yōu)勢(shì)。通過(guò)集成3.6M SPS采樣率,12 位至 16 位分辨率的ADC,實(shí)現(xiàn)更高速的電流...
制造高壓變頻器的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題和解決辦法
SPWM理論指出,采用平均對(duì)稱(chēng)規(guī)則采樣調(diào)制方法所得到的三相變頻輸出線電壓的基波振幅最大為 aEd, 式中a為調(diào)制度,Ed為直流母線電壓。為了校正SPWM...
器件選型時(shí)這幾個(gè)通識(shí)的基礎(chǔ)知識(shí)必須掌握!
工藝準(zhǔn)確度和工藝穩(wěn)定性是決定產(chǎn)品成品率和可靠性的重要因素,可用統(tǒng)計(jì)工藝控制(SPC,Statistical Process Control)數(shù)據(jù)來(lái)定量表征;
LDO和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器均能在空載的情況下穩(wěn)定工作
一些老式的功率器件要求具有最小的負(fù)載以保證穩(wěn)定性,因?yàn)槠渲幸粋€(gè)必須得到補(bǔ)償?shù)碾姌O受有效負(fù)載電阻的影響。例如,圖 A 顯示,LM1117 至少需要 1.7...
2021-01-07 標(biāo)簽:電流開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器功率器件 4299 0
SiC市場(chǎng)格局及國(guó)內(nèi)外的差距在哪里
(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼,GaN器件在快充等消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,碳化硅(SiC)器件則被汽車(chē)電子廠商委以重任。未來(lái)...
在現(xiàn)代社會(huì),工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動(dòng)和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會(huì)消耗大量的能源。然而,近年來(lái),全球眾多國(guó)家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測(cè)試軟件,與高精度示波器 (HDO) 結(jié)合使用時(shí),可提供最準(zhǔn)確的氮化鎵 (GaN) 和碳...
年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)32.6%!車(chē)載SiC和工業(yè)GaN前景暢旺,產(chǎn)業(yè)鏈廠商進(jìn)展如何
近日,第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體公布了最新的財(cái)報(bào),ST SiC領(lǐng)域2023年收入達(dá)到14億美元,計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)15億美元的收入,到2...
碳化硅已成為國(guó)內(nèi)外汽車(chē)企業(yè)的布局重點(diǎn)
近日,據(jù)韓媒報(bào)道,多名業(yè)內(nèi)人士透露,LG集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),重點(diǎn)押注碳化硅PMIC以及MCU。
受益于電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展,IGBT產(chǎn)值2021年突破52億美元
電動(dòng)汽車(chē)已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)未來(lái)的主要成長(zhǎng)動(dòng)能,預(yù)計(jì)在2021年電動(dòng)汽車(chē)將突破800萬(wàn)輛,為2018年的兩倍。
2019-06-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT功率器件 4127 0
TECH PUBLIC(臺(tái)舟電子)簡(jiǎn)介
TECH PUBLIC(臺(tái)舟電子)簡(jiǎn)介 臺(tái)舟電子股份有限公司是2009年建立,公司的精英設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)均來(lái)自于國(guó)內(nèi)外知名企業(yè),團(tuán)隊(duì)主管曾任職于美國(guó)硅谷著名IC...
3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣...
國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀
國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研...
2024-01-12 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 4056 0
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