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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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高性能增強型功率晶體管:INN650D140A解鎖多種應(yīng)用領(lǐng)域
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,電力轉(zhuǎn)換是最基本的組成部分之一。而功率晶體管則是這種電力轉(zhuǎn)換的核心。隨著科技的不斷發(fā)展,我們需要更高性能的功率晶體管來支持更復(fù)雜的電子...
2023-06-25 標(biāo)簽:功率晶體管 1.6k 0
意法半導(dǎo)體推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵晶體管柵極驅(qū)動器
2023 年 9 月 6 日,中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺...
蔚來汽車與芯聯(lián)集成SiC模塊合作項目C樣下線,即將進入量產(chǎn)階段
“蔚來&芯聯(lián)集成合作伙伴大會暨蔚來自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行,標(biāo)志著該項目即將進入量產(chǎn)階段。
設(shè)計靈活,滿足Energy Star的新版標(biāo)準(zhǔn)6.0
- 我們已經(jīng)了解了SJ MOSFET 的低導(dǎo)通損耗與低開關(guān)損耗有助于提高效率。那么,實際的效率是怎樣的呢?前面提到過,在BM2Pxxx系列的開發(fā)階段就已...
隨著時間的推移,功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越來越高,開發(fā)這類器件的主要挑戰(zhàn)在于,在開關(guān)頻率持續(xù)上升時,需要通過減小由導(dǎo)...
ST推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運行時間,并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。
國產(chǎn)汽車OBC將用GaN!這2家企業(yè)宣布結(jié)盟
近日,國內(nèi)一家車載充電器(OBC)企業(yè)與氮化鎵企業(yè)結(jié)盟,將共同開發(fā)11kW的氮化鎵OBC等產(chǎn)品。而該氮化鎵企業(yè)之前還與在車規(guī)GaN與寶馬、豐田及緯湃科技...
ST擴大采用第六代STripFET?技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列,為設(shè)計人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。
英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013年度技術(shù)創(chuàng)新獎
4月11日下午, OFweek光電新聞網(wǎng) (以下簡稱OFweek)和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評選活動,英飛凌科技公司(...
機構(gòu):今年全球?qū)⒂?3座12英寸晶圓廠投產(chǎn)
越來越多的12英寸晶圓廠正在建設(shè)中,用于制造非IC器件,特別是功率晶體管。對于芯片尺寸巨大、體積大的器件類型,在大晶圓上加工芯片的制造成本優(yōu)勢就開始發(fā)揮作用。
在高功率應(yīng)用中通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動最后一級的功率晶體管?
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中,通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動最后一級的功率晶體管? 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動最后一級的功率晶體管,主要...
Wise-integration與益登科技針對GaN IC電源半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣展開渠道合作
益登科技與Wise-integration的策略合作將著重于利用Wise-integration的GaN功率晶體管和數(shù)字控制能力,并與益登科技在亞洲地區(qū)...
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。
Transphorm的GaN首次達到對電機驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導(dǎo)體器件無法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN...
云計算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)...
AMCOM的AM0321206LN-P1是款寬帶低噪聲放大器模塊。為通用型技術(shù)應(yīng)用需求設(shè)計。AM0321206LN-P1的頻率范圍為300MHz至120...
應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開關(guān)行為也對PCB布局設(shè)計提出了...
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。 這項創(chuàng)新技術(shù)在消費電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場效應(yīng)晶體管 690 0
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