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　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。

　　經(jīng)制程升級后，意法半導(dǎo)體最新的射頻功率MOSFET晶體管可承受高達(dá)200V的峰值電壓，比同類競爭產(chǎn)品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率晶體管的使用壽命，從而降低設(shè)備的停機(jī)時(shí)間和經(jīng)營成本。先進(jìn)的制程還能提高M(jìn)OSFET的增益、能效及大功率特性，進(jìn)而提高設(shè)備性能，并簡化設(shè)計(jì)。

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　　新一代高頻功率晶體管可有效延長大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間

　　此外，新產(chǎn)品采用最新的陶瓷封裝和意法半導(dǎo)體的塑膠氣室(STAC)封裝技術(shù)，這兩種封裝可加快裸片散熱過程和提高可靠性，進(jìn)一步降低設(shè)備維護(hù)成本。

　　SD4931和SD4933分別是150W和300W N溝道射頻功率MOSFET晶體管，適用于50V DC信號高達(dá)250MHz的應(yīng)用。采用意法半導(dǎo)體的強(qiáng)化垂直硅制程和配備倒螺栓安裝凸緣的密閉陶瓷封裝是這個(gè)系列器件的兩大優(yōu)勢。

　　STAC4932B和STAC4932F采用意法半導(dǎo)體的倒螺栓無凸緣的STAC封裝，適合100V脈沖/額定功率1000W以上的射頻應(yīng)用，如光驅(qū)和核磁共振影像(MRI)。擁有高散熱率和高能效的 STAC封裝配備散熱基座，可直接焊接散熱器，讓MOSFET晶體管能夠輸出大功率的高頻信號，最大限度地提升應(yīng)用可靠性，延長設(shè)備的使用壽命。

　　主要特性：

　　· 擊穿電壓(V(BR)DSS) > 200V

　　· 最大結(jié)溫200℃

　　· 可承受20:1的全部相位負(fù)載失匹率(SD4931/4933)

　　· 輸出功率 (POUT):：

　　o 在175MHz時(shí)，最低150W，14.8dB增益(SD4931)

　　o 在30MHz時(shí)，最低300W，24dB增益(SD4933)

　　o 在123MHz時(shí)，最低1000W(正常1200W)，26dB增益 (STAC4932B/F)

　　采用陶瓷封裝的STAC4932B現(xiàn)已量產(chǎn);采用STAC封裝的STAC4932F預(yù)計(jì)于今年6月量產(chǎn)。