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標(biāo)簽 > 功率級
聲功率級與基準(zhǔn)聲功率之比的以10為底的對數(shù)乘以10,以分貝計,是指有用訊號功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個概念,設(shè)備自身產(chǎn)生的與輸入信號無關(guān)的無規(guī)則信號。
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?基于STM32G474的數(shù)字電源控制板設(shè)計解析與應(yīng)用指南
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2025-10-15 標(biāo)簽:微控制器數(shù)字電源控制功率級 186 0
基于DRV8316的三相無刷直流電機驅(qū)動技術(shù)解析
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CSD95420RCB同步降壓NexFET?智能功率級技術(shù)解析
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2025-09-03 標(biāo)簽:同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級NexFET 449 0
?TI CSD96416同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動器I...
2025-08-28 標(biāo)簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級 428 0
CSD95411同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95411同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件集成了驅(qū)動器I...
2025-08-28 標(biāo)簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級 447 0
CSD96415RWJ同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析
Texas Instruments CSD96415同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動器I...
2025-08-27 標(biāo)簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級 385 0
Texas Instruments CSD95430同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析
Texas Instruments CSD95430同步降壓式NexFET?功率級是一款經(jīng)高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓式轉(zhuǎn)換器。該器件集成...
2025-08-27 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器同步降壓功率級 413 0
CSD95410 NexFET?智能功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95410 NexFET? 智能功率級是一種高度優(yōu)化的設(shè)計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)...
2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET高功率同步降壓轉(zhuǎn)換器 584 0
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強模式...
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶...
2025-07-25 標(biāo)簽:氮化鎵功率級開關(guān)模式電源 3.8k 0
Texas Instruments LMG3100EVM-089評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3100EVM-089評估模塊是一款結(jié)構(gòu)緊湊、易于使用的功率級,具有外部PWM信號。電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、...
2025-07-25 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊功率級 361 0
Analog Devices Inc. LTC7051-1 SilentMOS智能功率級數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LTC7051-1 SilentMOS智能功率級在電氣和熱優(yōu)化的LQFN封裝中集成有高速驅(qū)動器和低電阻半橋電源開...
2025-06-18 標(biāo)簽:電源開關(guān)Analog功率級 525 0
Analog Devices / Maxim Integrated MAX20846智能功率級IC數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices/Maxim Integrated MAX20846智能功率級IC設(shè)計用于與控制器搭配使用,實現(xiàn)高密度多相穩(wěn)壓器。這些IC...
UC1875 系列集成電路通過對一個半橋相對于另一個半橋的開關(guān)進(jìn)行相移來實現(xiàn)對橋式功率級的控制,從而允許恒定頻率脈寬調(diào)制與諧振、零電壓開關(guān)相結(jié)合,從而在...
2025-04-08 標(biāo)簽:集成電路電流模式零電壓開關(guān) 741 0
UC2879 增強型雙極相移全橋控制器,具有可選的 UVLO數(shù)據(jù)手冊
UC3879 通過對一個半橋相對于另一個半橋的開關(guān)進(jìn)行相移來控制橋式功率級。這允許恒定頻率脈寬調(diào)制與諧振、零電壓開關(guān)相結(jié)合,以實現(xiàn)高效率性能。UC387...
2025-04-08 標(biāo)簽:電流脈寬調(diào)制零電壓 733 0
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級,使用增強型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
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