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標(biāo)簽 > 化學(xué)
中文“化學(xué)”一詞,若單是從字面解釋就是“變化的科學(xué)”?;瘜W(xué)如同物理一樣,皆為自然科學(xué)的基礎(chǔ)科學(xué)。
世界由物質(zhì)組成,主要存在著化學(xué)變化和物理變化兩種變化形式(還有核反應(yīng))?;瘜W(xué)(chemistry)是自然科學(xué)的一種,主要在分子、原子層面,研究物質(zhì)的組成、性質(zhì)、結(jié)構(gòu)與變化規(guī)律,創(chuàng)造新物質(zhì)(實(shí)質(zhì)是自然界中原來不存在的分子)。
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電解池的設(shè)計及標(biāo)準(zhǔn)與電化學(xué)重要公式及應(yīng)用舉例
電解池的主要應(yīng)用用于工業(yè)制純度高的金屬,是將電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能的一個裝置(構(gòu)成:外加電源,電解質(zhì)溶液,陰陽電極)。
詳談陽離子、陰離子、非離子PAM的區(qū)別及應(yīng)用
聚丙烯酰胺(PAM)是一種線型水溶性高分子,是我們污水處理中最常用的一種水處理藥劑,沒有之一!在我們實(shí)際應(yīng)用中PAM又分為陽離子、陰離子還有非離子三種類...
生產(chǎn)中需保證鎳缸每缸板的負(fù)載應(yīng)為0.2-1.0dm2/L,針對邦定板或IC、pad間距<5mil之生產(chǎn)板,負(fù)載量控制在0.2-0.5dm2/L?;?..
關(guān)于硫酸-過氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報告
摘要 我們?nèi)A林科納對h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...
Silvia Lidner identifies with the feeling of sneaking into different domains...
關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報告
摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...
蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)...
2022-01-12 標(biāo)簽:InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 2252 0
化學(xué)注入泵(也稱為定量泵或計量泵)用于將化學(xué)藥品插入或泵入管道,液流,儲罐或農(nóng)業(yè),石油/天然氣,水/廢水處理等行業(yè)中。它們具有許多功能,包括防凍,抑制腐...
2021-02-14 標(biāo)簽:直流電機(jī)化學(xué)噴射系統(tǒng) 2220 0
關(guān)于薄膜金剛石的化學(xué)機(jī)械拋光的研究報告
摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優(yōu)越楊晶模量(1100GPa),以及在低溫下生長的能力(450C),這推動了NCD薄膜生長和應(yīng)用的復(fù)興。...
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時,需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解,以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...
產(chǎn)品教程|Nanodcal 材料學(xué)與化學(xué)(生成能02)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過...
機(jī)械拋光是一種通過物理或化學(xué)作用改善材料表面粗糙度和光澤度的過程。這個過程通常用于金屬、塑料、玻璃和其他材料的表面處理。機(jī)械拋光設(shè)備和輔助品的選擇取決于...
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