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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體制造
半導(dǎo)體制造,是用于制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程,通常是日常電氣和電子設(shè)備中使用的集成電路(IC)芯片中使用的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)器件。
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半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造工藝的后道工序,是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程,即將制作好的半導(dǎo)體器件放入具有支持、保護(hù)的塑料、陶瓷或金屬外殼中,并與...
2023-09-29 標(biāo)簽:SiP芯片設(shè)計(jì)CSP 3.6k 0
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域,每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積(Atomic Layer Deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)AL...
2025-01-20 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體制造晶圓制造 3.5k 0
?cmp工藝是什么?化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹
化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢(shì)介紹。
如何實(shí)現(xiàn)低成本,小空間的低待機(jī)電流的離線(xiàn)輔助電源
更高集成度和更強(qiáng)大的半導(dǎo)體制造工藝的總體趨勢(shì)使設(shè)備制造商能夠開(kāi)發(fā)單芯片解決方案以進(jìn)行離線(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2021-02-11 標(biāo)簽:直流電源半導(dǎo)體制造電氣隔離器 3.1k 0
芯片廠為什么要使用超純水? 普通的水中含有氯,硫等雜質(zhì),會(huì)腐蝕芯片中的金屬。如果水中有Na,K等金屬雜質(zhì),會(huì)造成MIC(可動(dòng)離子污染)等問(wèn)題。因此芯片制...
2023-06-29 標(biāo)簽:芯片制造半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制造 3k 0
傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)過(guò)程的問(wèn)題在于它只允許噴射稀薄的墨水,然后由于它們的高流體含量而被壓平在基材上。驅(qū)動(dòng)的液滴不小于噴射它們的噴嘴的尺寸。這種傳統(tǒng)的推動(dòng)概念在物理上...
2022-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造3D打印 3k 0
本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理,并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻(Photoresist,PR)的...
2025-02-13 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體制造 2.9k 0
襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 標(biāo)簽:GaN單晶硅半導(dǎo)體制造 2.8k 0
半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高,晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧...
2025-02-20 標(biāo)簽:濕法半導(dǎo)體制造 2.8k 0
芯片流片后經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)哪些問(wèn)題?如何解決這些問(wèn)題呢?
芯片流片是半導(dǎo)體制造中一個(gè)非常重要的步驟,是將設(shè)計(jì)好的芯片圖案刻印到硅片上,從而制造出成品芯片。
2023-10-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造芯片制程 2.8k 0
在這篇文章中,我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過(guò)程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片,它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過(guò)程,包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線(xiàn)...
在半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中,每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色,而靜電卡盤(pán)(Electrostatic Chuck,簡(jiǎn)稱(chēng)E-Chuck)無(wú)疑是其中的佼...
2025-03-31 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造 2.8k 0
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)深度報(bào)告(2022)
從所處環(huán)節(jié)看,半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備從設(shè)計(jì)驗(yàn)證到最終測(cè)試均不可或缺,貫穿整個(gè)半導(dǎo)體制造過(guò)程,半導(dǎo)體集成度提升、小型化、產(chǎn)品門(mén)類(lèi)增加以及需求量增大對(duì)檢測(cè)設(shè)備技術(shù)提...
2022-09-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體測(cè)試 2.6k 1
臺(tái)積電將帶來(lái)全球第一個(gè)2D納米片晶體管,預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
對(duì)與更先進(jìn)的2nm制程,臺(tái)積電早在2019年就宣布對(duì)此研發(fā)。 去年,在5nm量產(chǎn)不久后,臺(tái)積電宣布2nm制程取得重大突破——切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gat...
2023-02-16 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體制造 2.6k 0
關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析(設(shè)計(jì)、制造和后制造)
半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 標(biāo)簽:DRAMNAND半導(dǎo)體制造 2.6k 0
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)...
2023-02-10 標(biāo)簽:無(wú)線(xiàn)通信氮化鎵半導(dǎo)體制造 2.5k 0
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見(jiàn)下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...
2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2.5k 0
半導(dǎo)體制造過(guò)程的熱處理,指的是將矽晶圓放置在充滿(mǎn)氮?dú)猓∟2)或氫氣(Ar2)等惰性氣體環(huán)境中施予熱能的處理。
2024-04-15 標(biāo)簽:晶圓熱處理半導(dǎo)體制造 2.4k 0
極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析
歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長(zhǎng)為13.5納米的光子來(lái)制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來(lái)源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...
半導(dǎo)體是醫(yī)療設(shè)備內(nèi)部工作的一個(gè)組成部分,有助于非導(dǎo)體和導(dǎo)體之間的導(dǎo)電性以控制電流。反過(guò)來(lái),制造完美半導(dǎo)體的組裝過(guò)程非常詳細(xì),尤其是現(xiàn)在設(shè)備變得越來(lái)越小。
2023-07-15 標(biāo)簽:激光器醫(yī)療設(shè)備半導(dǎo)體制造 2.3k 0
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