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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡稱UJT)和晶閘管(Thyristor)在電子學(xué)中都是重要的半導(dǎo)體器件,但它們在...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶閘管單結(jié)晶體管 956 0
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能,這其中的鍵合技術(shù)(Bonding)就是將晶圓芯片固定于基板上。
高低溫試驗(yàn)箱在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用
由于智能型手機(jī)消費(fèi)者需求的增加,無線通訊市場目前是半導(dǎo)體應(yīng)用中,成長擴(kuò)大速度最快的一個(gè)領(lǐng)域。隨著智能型手機(jī)需求的增加,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)散發(fā)著無限潛力。半導(dǎo)體的...
2023-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體高低溫試驗(yàn)箱環(huán)測設(shè)備 955 0
大家都知道二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦?。但是由于二極管存在半導(dǎo)體體電阻和引線電阻,所以當(dāng)外加正向電壓時(shí),在電流相同的情況下,二極管的端電壓大于PN結(jié)上的壓降;
晶體二極管,作為電子電路中的一種基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件,以其獨(dú)特的非線性伏安特性和單向?qū)щ娦远鴱V受關(guān)注。它通常用符號(hào)D來表示,其核心部分是一塊由P型和N型半導(dǎo)體...
CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù),它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來繪制功能分子的自組裝單層,應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...
放眼一條完整的從電能產(chǎn)生到電能最終被用電終端應(yīng)用的電力傳輸鏈時(shí),功率半導(dǎo)體則更類似于一名“廚師”的角色。它負(fù)責(zé)將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的粗電“...
新一代G7系列浪潮云海超融合EC糾刪功能設(shè)計(jì)
浪潮云海在2023年5月正式發(fā)布新一代InCloud Rail G7系列超融合一體機(jī),其內(nèi)置的InCloud dSAN超融合存儲(chǔ)組件,基于新一代的硬件平...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(七)
盡管有這些優(yōu)點(diǎn),但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和...
安森美先進(jìn)的汽車照明半導(dǎo)體方案使道路更安全
智能汽車照明正不斷演進(jìn),轉(zhuǎn)向基于LED的方案,提高道路安全性,實(shí)現(xiàn)節(jié)能3到5倍,增強(qiáng)用戶體驗(yàn),且創(chuàng)新的車燈造型設(shè)計(jì)以及可靠性的提升,還不斷拓寬汽車照明的新境界。
國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國內(nèi)涌現(xiàn)越來越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
吉時(shí)利2606B數(shù)字源表的產(chǎn)品特點(diǎn)和應(yīng)用分析
2606B 高密度系統(tǒng) SourceMeter (SMU) 儀器在 1U 高的機(jī)箱中提供四條 20 瓦 SMU 通道。由于制造商需要優(yōu)化占地空間并減少測...
隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上,而通過封裝技術(shù)升級(jí),是提高器件散...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之DEC模塊運(yùn)行流程
確認(rèn)TSC模塊完成后,回到ZnGeP2目錄,使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會(huì)在第一步已經(jīng)生成的dec目錄中繼續(xù)輸出相關(guān)文件,包括缺陷...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...
使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念,它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過精心設(shè)計(jì),工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶...
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中,硅原子伸展到與SI/Ge原子對齊,使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻,可以使電子移動(dòng)的速度快了70...
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