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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

Aston 質(zhì)譜分析儀搭配 Scrubber 半導(dǎo)體尾氣處理設(shè)備進(jìn)行氣體檢測(cè)

Aston 質(zhì)譜分析儀搭配 Scrubber 半導(dǎo)體尾氣處理設(shè)備進(jìn)行氣體檢測(cè)

半導(dǎo)體工藝一般會(huì)產(chǎn)生各種工藝氣體和顆粒材料副產(chǎn)品, 有害氣體需要以受控方式進(jìn)行處理. 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜分析儀與 Scrub...

2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體分析儀氣體檢測(cè) 768 0

集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程

集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程

本文介紹了集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程,并詳細(xì)介紹了鈮酸鋰光子集成技術(shù)和硅和鈮酸鋰復(fù)合薄膜技術(shù)。

2025-03-12 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體 768 0

泊蘇 Type C 系列防震基座在半導(dǎo)體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例

泊蘇 Type C 系列防震基座在半導(dǎo)體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例

某大型半導(dǎo)體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn),其電子束光刻設(shè)備在芯片制造的光刻工藝中起著關(guān)鍵作用。然而,企業(yè)所在園區(qū)周邊存在眾多工廠,日常生產(chǎn)活動(dòng)產(chǎn)生...

2025-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子束光刻設(shè)備 768 0

華林科納研究化合物半導(dǎo)體中離子注入引起的起泡和薄層分裂現(xiàn)象學(xué)

華林科納研究化合物半導(dǎo)體中離子注入引起的起泡和薄層分裂現(xiàn)象學(xué)

我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù),例如半導(dǎo)體材料...

2023-09-04 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶片 767 0

SiTime MEMS振蕩器的可靠性計(jì)算

1 簡(jiǎn)介 半導(dǎo)體組件有望在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內(nèi)可靠地運(yùn)行。 選擇具有最高可靠性等級(jí)的設(shè)備可以限制故障組件導(dǎo)致現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)品出現(xiàn)故障的可能性。 SiTime 提...

2021-10-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體振蕩器mems 766 0

氮化鈦在芯片制造中的重要作用

氮化鈦在芯片制造中的重要作用

氮化鈦(TiN)是一種具有金屬光澤的陶瓷材料,其晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系,化學(xué)穩(wěn)定性高、硬度大(莫氏硬度9-10)、熔點(diǎn)高達(dá)2950℃。在半導(dǎo)體領(lǐng)域,TiN展...

2025-03-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片制造陶瓷材料 766 0

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...

2025-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體薄膜工藝 765 0

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...

2024-11-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 761 0

淺析半導(dǎo)體激光器的發(fā)展趨勢(shì)

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文章綜述了現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體激光器(包括單發(fā)射腔、巴條、水平陣列和垂直疊陣)的封裝技術(shù),并討論了其發(fā)展趨勢(shì);分析了半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)存在的問題和面臨的挑...

2025-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù) 760 0

MOS管基礎(chǔ)知識(shí)科普

MOS管基礎(chǔ)知識(shí)科普

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因...

2023-06-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體 758 0

半導(dǎo)體貼裝工藝大揭秘:精度與效率的雙重飛躍

半導(dǎo)體貼裝工藝大揭秘:精度與效率的雙重飛躍

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片集成度不斷提高,功能日益復(fù)雜,這對(duì)半導(dǎo)體貼裝工藝和設(shè)備提出了更高的要求。半導(dǎo)體貼裝工藝作為半導(dǎo)體封裝過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接...

2025-03-13 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體貼裝 758 0

加密:操作模式

加密:操作模式

成功的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品往往比以數(shù)字為重點(diǎn)的同類產(chǎn)品在市場(chǎng)上停留的時(shí)間要長(zhǎng)得多。這意味著,多年來,已經(jīng)積累了大我們已經(jīng)看到了現(xiàn)代對(duì)稱加密算法如何將明文數(shù)據(jù)塊...

2023-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體計(jì)數(shù)器 758 0

酸蝕刻對(duì)鈦醫(yī)藥材料納米形態(tài)表面特性及活化能的影響

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鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性,并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成,保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介...

2023-09-01 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體蝕刻工藝 750 0

柔性傳感-水產(chǎn)無源柔性氨氣傳感

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它由傳感模塊、控制和處理模塊、射頻通信模塊和能量采集模塊組成。RFID芯片通過設(shè)計(jì)的天線接收RFID讀取器發(fā)送的信號(hào)和射頻能量,并通過整流濾波電路將其轉(zhuǎn)...

2023-08-01 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體柔性傳感 744 0

垂直刻蝕在AI邏輯中的應(yīng)用

人工智能(AI)是預(yù)計(jì)到2030年將成為價(jià)值數(shù)萬(wàn)億美元產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力,它對(duì)半導(dǎo)體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面,一些最復(fù)雜的問題來自于需...

2023-11-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管AI 743 0

一文詳解外延生長(zhǎng)技術(shù)

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隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)...

2025-06-16 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體晶體管 742 0

一種臭氧氧化和硅蝕刻技術(shù)

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本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法,在通過臭氧氧化去除一些硅原子層,然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測(cè)量,確定了成分和表面電位的深度分布,因此這種...

2022-05-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻氧化物 742 0

存儲(chǔ)器接口,數(shù)據(jù)安全的關(guān)口

隨著數(shù)智時(shí)代的到來,智能設(shè)備的普及度越來越高,用戶受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險(xiǎn)和頻率也在不斷增加。然而,漏洞不只是存在于軟件中,硬件中也一樣存在。

2023-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲(chǔ)器 739 0

日月光用于AI和HPC的異質(zhì)整合先進(jìn)封裝解決方案

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世界正迅速?gòu)木W(wǎng)絡(luò)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)向人工智能經(jīng)濟(jì)。在網(wǎng)絡(luò)時(shí)代,我們通過手機(jī)、個(gè)人電腦和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等,可以一天24小時(shí)不間斷地保持網(wǎng)絡(luò)連接;在AI時(shí)代,我們所做的一切...

2024-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體AI人工智能 738 0

KS98-2多功能過程控制系統(tǒng)助力工業(yè)智能化升級(jí)

在現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)的浪潮中,高效穩(wěn)定的過程控制是確保生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。

2024-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體控制器PID控制 734 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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  • LM2596
    LM2596
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    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    光立方
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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  • STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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