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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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希荻微與普林斯頓大學(xué)合作研究下一代芯粒技術(shù)供電架構(gòu)
來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 今年2月,一項(xiàng)題為《功率轉(zhuǎn)換電路與電子設(shè)備》的專利(CN202211387831X)獲得授權(quán),其共同專利權(quán)人為廣東希荻微電子...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體材料
當(dāng)我們想要描述一個(gè)原子的結(jié)構(gòu)時(shí),每次繪制下圖所示的這樣的圖表時(shí)都不是非常的方便。更常見的做法是寫出分子式的方式來進(jìn)行表達(dá)。對(duì)于水分子,它的分子式是我們熟...
2023-12-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 790 0
在最近的半導(dǎo)體清潔方面,以生物堿為基礎(chǔ)的RCA清潔法包括大量的超純和化學(xué)液消耗量以及清潔時(shí)多余薄膜的損失; 由于環(huán)境問題,對(duì)新的新精液和清潔方法的研究正...
使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導(dǎo)制造與蝕刻材料對(duì)非晶硅進(jìn)行納米級(jí)厚度控制
我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻,以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅(a-Si:H)膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的...
2023-08-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體監(jiān)測(cè)蝕刻 788 0
隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,可有效縮小功率器件體積,提高功率器件效率,對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
自動(dòng)激光焊接機(jī)替代傳統(tǒng)焊接機(jī)的優(yōu)勢(shì)有哪些?
近年來,科技不斷發(fā)展,傳統(tǒng)焊接在逐漸退出焊的舞臺(tái)。激光自動(dòng)焊接機(jī)利用高能量的激光脈沖對(duì)材料進(jìn)行微小區(qū)域內(nèi)的局部加熱,激光輻射的能量通過熱傳導(dǎo)向材料的內(nèi)部...
深度解讀第三代半導(dǎo)體電力電子高性能封裝和互連技術(shù)
WBG PSC PE的現(xiàn)代高性能AIT(焊料)材料特性 ?冶金合金:(非)共晶二元(如SnPb,BiAg,AuSn,.。 三元(如SnAgCu),(...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片集成度和性能要求日益提升。傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求,因此,高密度3-D封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。3-D封裝...
2025-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝半導(dǎo)體封裝 779 0
FHL385N1F1A MOS管的具體產(chǎn)品參數(shù)
在充電市場(chǎng)中,PD電源以其產(chǎn)品的特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)正在不斷的蠶食傳統(tǒng)的電源適配器的營(yíng)銷份額,尤其是在手機(jī)端跟電腦端更為明顯。對(duì)于PD電源廠家該如何持續(xù)的提升自身產(chǎn)品力呢?
2023-10-20 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 779 0
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之PREPARE模塊運(yùn)行流程
新建目錄ZnGeP2,在./ZnGeP2/目錄內(nèi)同時(shí)準(zhǔn)備好以上的POSCAR文件與 dasp.in 文件,執(zhí)行 dasp 1 ,即可啟動(dòng)PREPARE模...
具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...
AXOP31862: 0.9μV 超低噪運(yùn)算放大器 (雙通道)
AXOP31862 也具有軌到軌的輸出擺幅能力,其容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力可達(dá)100pF。封裝方面AXOP31862可提供多種不同的封裝形式:SOT23-8, ...
2023-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體濾波器運(yùn)算放大器 773 0
Altium Designer的關(guān)鍵功能及其在芯片封裝測(cè)試中的應(yīng)用
在當(dāng)前的國(guó)際國(guó)內(nèi)形勢(shì)下,中國(guó)一直在加大對(duì)半導(dǎo)體芯片行業(yè)的支持力度,加強(qiáng)自主創(chuàng)新能力建設(shè),突破關(guān)鍵核心技術(shù)瓶頸,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片行業(yè)的自主可控和可持續(xù)發(fā)展。
云服務(wù)和5G需求帶動(dòng)硅光子成長(zhǎng)
在光電子融合中,硅光子學(xué)發(fā)揮著核心作用。硅光子學(xué)是一種利用CMOS制程技術(shù),支援半導(dǎo)體工業(yè)在硅基板上整合光接收元件、光調(diào)變器、光波導(dǎo)和電子電路等元件的技...
國(guó)內(nèi)MHz高頻低損耗鐵氧體軟磁材料研究進(jìn)展
目前國(guó)內(nèi)MHz高頻低損耗鐵氧體軟磁材料開發(fā)進(jìn)展如何?主要面臨哪些挑戰(zhàn)?其損耗大致在什么水平?離大規(guī)模量產(chǎn)還有多大距離?
半導(dǎo)體技術(shù)之?dāng)?shù)電門電路
三種基本運(yùn)算(與、或、非),復(fù)合邏輯計(jì)算(與非、或非、與或非、異或、同或),邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式,邏輯代數(shù)的基本定理(帶入定理、反演定理、對(duì)偶定...
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