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半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

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SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 3418 0

深度了解SiC材料的物理特性

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2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率器件 2095 0

一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 1683 0

英集芯IP5568專為無線充電寶設(shè)計的快充電源管理SOC芯片

英集芯IP5568是一款專為無線充電寶和快充移動電源設(shè)計的電源管理SOC芯片，集成了無線充電發(fā)射與接收、多種快充協(xié)議、USB Power Deliver...

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深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器對射測量半導(dǎo)體晶圓厚度

01項目背景晶圓作為半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)載體，其厚度的精確控制直接影響到芯片的性能、可靠性和最終產(chǎn)品的成品率。通過準(zhǔn)確的晶圓厚度測量，可以確保芯片在制造過程...

2024-11-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體位移傳感器光譜 484 0

電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 823 0

一文理解2.5D和3D封裝技術(shù)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺。

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)3D封裝 3443 0

氧化鎵探測器性能指標(biāo)及測試方法

氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學(xué)特性使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。

2024-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體儀器儀表光電探測器 1319 0

一文看懂SGT MOSFET的市場前景

uSGT MOSFET的市場前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SG...

2024-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體工藝 7286 0

晶圓切割技術(shù)知識大全

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2024-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù) 1907 0

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面對核心市場的下滑，意法半導(dǎo)體在電動汽車、AI數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域積極布局。短期陣痛之下，意法半導(dǎo)體如何為長期增長鋪路？ 2024年第三季度，意法半導(dǎo)...

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半導(dǎo)體電阻器-熱敏電阻

熱敏電阻器是一類對溫度感知靈敏的電子元件，其電阻值隨溫度變化而變化。根據(jù)溫度系數(shù)的不同，可以將熱敏電阻器分為正溫度系數(shù)熱敏電阻（PTC熱敏電阻）和負(fù)溫度...

2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電阻器熱敏電阻 838 0

低介電常數(shù)材料的發(fā)展歷程

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2024-11-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 cpu 低介電常數(shù) 2317 0

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2024-11-07 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 6760 0

3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提升了存儲密度。本文將簡...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D 2261 0

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2024-11-06 標(biāo)簽：芯片集成電路電子元器件 662 0

一文詳解MOS管電容參數(shù)

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中，MOS管無疑是最常用的電子元件之一。

2024-11-06 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體 MOS管 4276 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展階段和相關(guān)設(shè)備

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AEC-Q系列標(biāo)準(zhǔn)中的靜電放電（ESD）測試

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摘要：在智能手機(jī)、TWS耳機(jī)、智能手表等熱門小型化消費(fèi)電子市場帶動下，SiP（System in a Package系統(tǒng)級封裝）迎來了更大的發(fā)展機(jī)會。根...

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiP 2074 0

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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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