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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件,其隔離與控制技術(shù)直接關(guān)系到系統(tǒng)的安全性和可靠性。隔離設(shè)計通過光耦或變壓器實現(xiàn)高低壓電路間的...
在智能手機(jī)、電腦和自動駕駛汽車等高科技產(chǎn)品的背后,隱藏著一項至關(guān)重要的半導(dǎo)體制造技術(shù)——晶圓接受測試(Wafer Acceptance Test, WA...
隨著精密儀器制造與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,對微小結(jié)構(gòu)表面形貌的高精度、高效率測量需求日益迫切。共聚焦顯微成像技術(shù)以其高分辨率、高信噪比和優(yōu)異的光學(xué)層切能力...
超聲波SAT在半導(dǎo)體中的應(yīng)用及測試原理
超聲波SAT作為一種快速無損的檢測方式,在功率半導(dǎo)體的無損檢測中有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)常用來檢測材料的內(nèi)部缺陷空洞,連接層的界面分層等,但是在實際使用中SA...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體ESD二極管的熱失效通常與其長時間在過電流和高溫環(huán)境中工作相關(guān)。在過電壓、過電流的脈沖作用下,二極管的溫度可能迅速升高,超過其最大工作溫...
構(gòu)網(wǎng)型儲能變流器(Grid-Forming PCS)技術(shù)路線演進(jìn)
隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化加速轉(zhuǎn)型,電力系統(tǒng)正經(jīng)歷著百年來最深刻的變革。傳統(tǒng)的以同步發(fā)電機(jī)為主導(dǎo)的電力系統(tǒng),依賴于其巨大的旋轉(zhuǎn)機(jī)械慣量來維持電網(wǎng)頻率和電壓...
奧特光耦A(yù)TM305X AT3H7-吹風(fēng)機(jī)智能化的“隱形守護(hù)者”
奧特光耦A(yù)TM305X/AT3H7X:吹風(fēng)機(jī)智能化的"隱形守護(hù)者"在智能家電風(fēng)靡的今天,奧特光耦正悄然改變著傳統(tǒng)吹風(fēng)機(jī)的使用體驗。這...
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料,下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢,相較于 Si,SiC 具有更高的禁帶寬度,使 SiC 器件的工作溫度可達(dá)...
奧特光繼電器在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用場景與選型推薦
在電力系統(tǒng)的高壓環(huán)境與復(fù)雜電磁干擾中,“隔離”與“可靠”是保障設(shè)備安全和電網(wǎng)穩(wěn)定的核心訴求。作為深耕光耦領(lǐng)域的專業(yè)廠商,其光繼電器產(chǎn)品通過了UL、VDE...
2025-12-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)光耦 447 0
光耦是一種特殊的電子組件,具有很多特性。它可以用來取代傳統(tǒng)的電阻器,如電池、電感器和電容器等。在半導(dǎo)體工業(yè)中,使用光耦能夠減少工藝步驟,提高生產(chǎn)效率。一...
半導(dǎo)體芯片研發(fā)行業(yè) 數(shù)據(jù)防泄密方案
半導(dǎo)體芯片研發(fā)行業(yè)近幾年涌現(xiàn)了一批高質(zhì)量的企業(yè),這些企業(yè)中最重要的核心文件是文檔圖紙及源代碼,一般半導(dǎo)體芯片研發(fā)行業(yè)的內(nèi)外網(wǎng)都是物理隔離的,并且內(nèi)外網(wǎng)文...
在電子設(shè)備不斷追求高性能、低功耗的今天,功率MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,其性能直接影響著電路的效率與穩(wěn)定性。新潔能NCE4953低耗高效的功率解決...
半導(dǎo)體光放大器SOA目前在一些通信網(wǎng)絡(luò)中常被用作功率放大器或前置放大器。然而,在未來全光開關(guān)、再生以及波長轉(zhuǎn)換方案中,半導(dǎo)體光放大器也有望成為多功能元件...
PMOS 和 NMOS 的區(qū)別及其在實際應(yīng)用中的選擇
PMOS(正極性金屬氧化物半導(dǎo)體)和NMOS(負(fù)極性金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種基本的MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管(FET),它們的結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用都...
寬波段大角度光譜橢偏技術(shù):面向多層膜表征的光柵-傅里葉系統(tǒng)
隨著半導(dǎo)體和光電子技術(shù)的快速發(fā)展,紫外至紅外波段的薄膜材料應(yīng)用日益廣泛,而薄膜厚度、折射率等參數(shù)的高精度測量對器件性能至關(guān)重要。然而,現(xiàn)有光譜橢偏技術(shù)難...
半導(dǎo)體芯片制造核心材料“光刻膠(Photoresist)”的詳解
在芯片制造這場微觀世界的雕刻盛宴中,光刻膠(PR)如同一位技藝精湛的工匠手中的隱形畫筆,在硅片這片“晶圓畫布”上勾勒出億萬個晶體管組成的復(fù)雜電路。然而,...
了解概念MEMS全稱Micro-Electro-MechanicalSystem,即微機(jī)電系統(tǒng)。MEMS與IC的不同加工對象不同MEMS主要針對微機(jī)電系...
2025-11-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體mems微機(jī)電系統(tǒng) 1.5k 0
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