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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

nmos與pmos符號(hào)區(qū)別

NMOS和PMOS是常見(jiàn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔?。NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異...

2023-12-18 標(biāo)簽：電路 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0

MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 EOS 1.1萬(wàn) 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說(shuō)明

場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2020-09-18 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 9602 0

增強(qiáng)型MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

MOSFET是一種具有絕緣柵的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，主要用于放大或切換信號(hào)。在當(dāng)前模擬和數(shù)字電路中，與BJT相比，MOSFET的使用頻率更高一些。

2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 9190 0

如何設(shè)計(jì)一個(gè)nmos管和一個(gè)pmos管的開(kāi)關(guān)電路

設(shè)計(jì)一個(gè)NMOS和PMOS管的開(kāi)關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識(shí)、原理和設(shè)計(jì)過(guò)程。在本文中，我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)考慮因...

2023-12-21 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管 NMOS管 8587 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

在PN結(jié)施加反向電壓，耗盡層會(huì)逐漸變寬，通過(guò)改變耗盡層寬度來(lái)對(duì)導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8142 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)...

2023-05-17 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 8095 0

柵氧化層和多晶硅柵工藝示意圖解析

當(dāng)核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經(jīng)生長(zhǎng)晶體管后，沉積多晶硅層（Poly-Si）和硬掩模層（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉積柵疊層(Cate-Sta...

2022-12-08 標(biāo)簽：CMOS 晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7663 1

淺談結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成，柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì)，其中通過(guò)溝道的電流以電子的形式為負(fù)。...

2021-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7572 0

FET與BJT的比較 FET的分類介紹

　　FET的全稱是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，F(xiàn)ET的核心工作原理是：通過(guò)在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場(chǎng)來(lái)改變...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 FET 7440 0

場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，是較新型的半導(dǎo)體材料，利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流，因而得名...

2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7291 0

MOSFET與BJT之間有何不同？MOSFET和BJT之間哪個(gè)更好？

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6729 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管怎么代替繼電器晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別

繼電器通過(guò)通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)控制機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)柵極施加正負(fù)偏壓來(lái)控制...

2024-02-18 標(biāo)簽：繼電器 cpu 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6481 0

pmos和nmos組成構(gòu)成什么電路

PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式，也稱為CMOS技術(shù)，其...

2023-12-07 標(biāo)簽：電路 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6463 1

兩列典型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用電路

電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過(guò)漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過(guò)柵極偏置電...

2019-10-13 標(biāo)簽：應(yīng)用電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6378 0

采用隔離拓?fù)?，保障DC/DC控制器的VIN最大額定值

在如今的許多應(yīng)用中，要求的額定輸入電壓超過(guò)許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對(duì)此，傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動(dòng)器件。...

2018-03-02 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 DC/DC轉(zhuǎn)換器 LM5085 6164 0

光伏逆變器的組成元件、負(fù)載類型與工作原理

這是光伏逆變器的核心部分，負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)直流電（DC）到交流電（AC）的轉(zhuǎn)換。功率模塊通常包含多個(gè)功率半導(dǎo)體器件，如晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）或金屬...

2024-04-25 標(biāo)簽：光伏系統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光伏逆變器 6121 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測(cè)試（1）

MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來(lái)學(xué)。我們說(shuō)，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。

2023-05-26 標(biāo)簽：三極管 MOSFET NMOS 6054 0

淺談金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

通過(guò)將柵極放置在絕緣氧化層上來(lái)控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場(chǎng)的結(jié)果，溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。

2021-06-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6013 0

深度解讀提高芯片計(jì)算的密度晶體管堆疊技術(shù)

兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術(shù)將大幅度提高芯片的計(jì)算密度。 ? 目前我們所熟知的臺(tái)積電、三星、英特爾、格芯、中芯國(guó)際等芯片代工廠量產(chǎn)...

2021-01-06 標(biāo)簽：CMOS 英特爾逆變器 5838 0

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