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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

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mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

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2017-05-02 標(biāo)簽：場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 4727 0

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2023-02-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)管晶體管 4664 0

算力不足和能效過低，有什么方法提高AI芯片的算力呢？

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驅(qū)動電路的必要組成部分有哪些驅(qū)動電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系

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SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

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場效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大...

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