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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

平面互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標(biāo)簽：CMOS 多晶硅晶體管 3017 0

絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個器件的特性。

2023-04-24 標(biāo)簽：IGBT MOS 場效應(yīng)晶體管 2977 0

場效應(yīng)晶體管的分類

場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏?？刂茩M向電場的電...

2023-05-16 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 2907 0

場效應(yīng)晶體管的作用

場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場效應(yīng)晶體管與...

2023-05-16 標(biāo)簽：晶體管場效應(yīng)晶體管雙極型 2899 0

mos管耐壓是如何測試

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件，其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測試的重要性 MOSFE...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管功率器件 2855 0

晶體管如何利用“0”和“1”處理數(shù)據(jù)？

場效應(yīng)晶體管的同樣有三個極，分別為源極（Source）、柵極（Gate 也叫閘極）和漏極（Drain）。通過在柵極和源極之間施加電壓就能改變源極和漏極之...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體管場效應(yīng)晶體管 2835 0

mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別

漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...

2024-01-31 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 場效應(yīng)晶體管 2722 0

石墨烯的性能及應(yīng)用介紹

石墨烯（Graphene）是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料。

2023-11-29 標(biāo)簽：激光器碳納米管場效應(yīng)晶體管 2705 0

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 半導(dǎo)體 2686 0

三星宣布業(yè)界首個3nm級制造技術(shù)開始大量生產(chǎn)

納米線是直徑在納米量級的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強(qiáng)大的電學(xué)特性，包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。

2022-04-29 標(biāo)簽：臺積電晶體管場效應(yīng)晶體管 2677 0

鐵電場效應(yīng)晶體管的工作原理

鐵電場效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù)，其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管場效應(yīng)晶體管 2588 0

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢，在功率電子和微波射頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2437 0

如何在電動汽車系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)SiC FET設(shè)計(jì)

帶雙輸出反激變換器的半橋電路，為隔離的柵極驅(qū)動器供電。在這里，12v軌為隔離柵極驅(qū)動器的主側(cè)和副側(cè)供電。

2021-03-04 標(biāo)簽：隔離電源場效應(yīng)晶體管反激變換器 2414 0

一個簡單的100W逆變器電路

逆變器是一種將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）的小電路。電池的功率轉(zhuǎn)換為“主電壓”或交流電源。

2023-09-01 標(biāo)簽：繼電器逆變器場效應(yīng)晶體管 2400 0

影響mos管壽命的因素

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為一種常見的電子元件，其壽命的長短對于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多...

2023-12-22 標(biāo)簽：電子元件 MOS管場效應(yīng)晶體管 2372 0

什么是MOS管

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-02-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管場效應(yīng)晶體管 2333 0

場效應(yīng)晶體管的工作原理和種類特點(diǎn)

在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來搬...

2024-02-05 標(biāo)簽：晶體管 MOS 場效應(yīng)晶體管 2326 0

場效應(yīng)管起什么作用場效應(yīng)管類型怎么判斷

場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工...

2023-08-18 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管可變電阻電解電容器 2306 0

單層GaSe中電荷轉(zhuǎn)移的理論研究

在這項(xiàng)研究中，使用機(jī)械剝離和分子束外延（MBE）技術(shù)制備了少層 γ-GaSe。通過對 X 射線光電子能譜（XPS）、X 射線衍射（XRD）、拉曼光譜和二...

2023-06-25 標(biāo)簽：存儲器場效應(yīng)晶體管 2292 0

mos管漏極電壓增大,為什么溝道變窄

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它利用電場來控制電流的流動。在MOSFET中，漏極電壓（Vd）是指漏極和源極之間...

2024-09-18 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管漏極電壓 2275 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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場效應(yīng)晶體管

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