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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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雙極結(jié)型晶體管 BJT是三極管,一種具有三個端子的電子設(shè)備,由具有三種不同摻雜程度的半導(dǎo)體制成。
2021-01-21 標(biāo)簽:功率放大器EMC場效應(yīng)晶體管 3907 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性,MOSFET可以分為增強型(Enhancemen...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS管絕緣場效應(yīng)晶體管 3892 0
雙極結(jié)型晶體管使用幾乎相同的原理實現(xiàn)放大,但具有兩個半導(dǎo)體界面或結(jié),而不是一個。與點接觸晶體管一樣,施加的電壓克服勢壘并使電流流動,該電流由較小的輸入電流調(diào)制。
2022-11-22 標(biāo)簽:三極管晶體管場效應(yīng)晶體管 3825 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 3790 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、...
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進一步提高了總導(dǎo)通電阻。
五極管(又稱場效應(yīng)晶體管,F(xiàn)ET)和三極管是兩種不同的半導(dǎo)體器件,它們的接法和特性曲線也有很大的差異。
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱B...
2024-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FET場效應(yīng)晶體管 3452 0
關(guān)于基于三值文字運算的碳納米場效應(yīng)晶體管SRAM的設(shè)計
隨著CMOS技術(shù)進入納米級工藝,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transi...
2018-06-14 標(biāo)簽:sram場效應(yīng)晶體管 3438 0
每一個新的電路板設(shè)計都是從一個想法開始的。然后在規(guī)范中用文字和圖表定義這個想法。
2023-09-18 標(biāo)簽:電阻器發(fā)光二極管場效應(yīng)晶體管 3419 0
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 3364 0
氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
2024-01-10 標(biāo)簽:電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 3337 0
具有保護功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3308 0
場效應(yīng)晶體管 (FET) 實現(xiàn)帶FET的維恩橋振蕩器
反饋振蕩器 振蕩器中使用正反饋來保持運行或振蕩。振蕩器基本上是一個放大器,它具有從輸出返回到輸入的反饋路徑。這允許一部分輸出信號返回到輸入以保持振蕩。反...
2021-06-14 標(biāo)簽:振蕩器場效應(yīng)晶體管增益放大器 3307 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件,其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管功率器件 3307 0
運算放大器基本原理圖 運放常見的參數(shù)有哪些?運放計算思想
運算放大器(Integrated Operational Amplifier)簡稱集成運放,是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路。
2023-08-16 標(biāo)簽:運算放大器場效應(yīng)晶體管AD轉(zhuǎn)換器 3290 0
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