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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路,場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大...
2022-11-30 標(biāo)簽:放大電路MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.9k 0
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝流程(FinFET)
首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層,掩模圖形化鰭軸并刻蝕,形成第一側(cè)墻;
2023-01-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 4.8k 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件,其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測(cè)試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 4.6k 0
?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 4.5k 0
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱B...
2024-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.3k 0
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...
2025-09-26 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 4.3k 0
雙極結(jié)型晶體管 BJT是三極管,一種具有三個(gè)端子的電子設(shè)備,由具有三種不同摻雜程度的半導(dǎo)體制成。
2021-01-21 標(biāo)簽:功率放大器EMC場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.2k 0
雙極結(jié)型晶體管使用幾乎相同的原理實(shí)現(xiàn)放大,但具有兩個(gè)半導(dǎo)體界面或結(jié),而不是一個(gè)。與點(diǎn)接觸晶體管一樣,施加的電壓克服勢(shì)壘并使電流流動(dòng),該電流由較小的輸入電流調(diào)制。
2022-11-22 標(biāo)簽:三極管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.2k 0
每一個(gè)新的電路板設(shè)計(jì)都是從一個(gè)想法開(kāi)始的。然后在規(guī)范中用文字和圖表定義這個(gè)想法。
2023-09-18 標(biāo)簽:電阻器發(fā)光二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.2k 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來(lái)快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 4.1k 0
氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
2024-01-10 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.1k 0
?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS7H60x5 系列抗輻射性 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽:ldoFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.1k 0
五極管(又稱場(chǎng)效應(yīng)晶體管,F(xiàn)ET)和三極管是兩種不同的半導(dǎo)體器件,它們的接法和特性曲線也有很大的差異。
鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù),其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對(duì)半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。
2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.9k 0
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