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標簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...
2020-08-22 標簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 2.1k 0
場效應(yīng)晶體管有4個部分——1個源極、1個漏極、一個連接這兩者的導(dǎo)電通道和一個控制沿通道電流的柵極。由于這些器件被做得更小,人們開始注意到晶體管的性能隨著...
2020-08-17 標簽:摩爾定律芯片技術(shù)場效應(yīng)晶體管 6.9k 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET):JFET是由p-n結(jié)柵極(G)與源極(S)和漏極(D)構(gòu)...
2020-08-07 標簽:JFET場效應(yīng)晶體管 9.2k 0
然而在這里,我們也不得不提及另外一個大的人物,馬丁阿塔拉(Martin M. “John” Atalla)他也被認為是MOS場效應(yīng)晶體管的發(fā)明人之一, ...
2020-04-04 標簽:集成電路MOS場效應(yīng)晶體管 1.6萬 0
ISFET傳感器偏置電路的應(yīng)用優(yōu)勢分析
ISFET(離子敏感場效應(yīng)晶體管)可用于測量流體的酸性。精確的測量要求 ISFET 的偏置條件(ID 和 VDS)保持恒定,同時柵極直接接觸被測流體。流...
2019-10-03 標簽:傳感器電壓場效應(yīng)晶體管 2.7k 0
研究人員研發(fā)了一種用于場效應(yīng)晶體管(field-effect transistors,F(xiàn)ETs)的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備...
2020-09-18 標簽:pcb電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管 2.2k 0
晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件,包含N多種類,因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為N...
2019-04-09 標簽:晶體管場效應(yīng)晶體管雙極性晶體管 3.6萬 0
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達10kW的應(yīng)用
德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現(xiàn)簡化設(shè)計,達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能,為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN F...
2018-10-30 標簽:德州儀器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 7.4k 0
隧穿場效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場效應(yīng)晶體管的介紹
隧穿場效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(Band-to-band tun...
2018-01-03 標簽:晶體管場效應(yīng)晶體管 3.4萬 0
有機場效應(yīng)晶體管(organic fieldeffect tran-sisbor,OFET)因具有以下幾個突出特點而受到研究人員的極大重視:材料來源廣、...
2018-01-03 標簽:晶體管場效應(yīng)晶體管有機場效應(yīng)晶體管 5.2萬 0
有機場效應(yīng)晶體管是什么_有機場效應(yīng)晶體管介紹
本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個方面介紹了有機場效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 標簽:晶體管場效應(yīng)晶體管有機場效應(yīng)晶體管 3.0萬 0
場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類_場效應(yīng)晶體管作用是什么
場效應(yīng)晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此...
2017-12-20 標簽:場效應(yīng)晶體管 1.5萬 0
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
2017-11-23 標簽:半導(dǎo)體mos管場效應(yīng)晶體管 7.6k 0
東芝面向超低功率MCU開發(fā)隧穿場效應(yīng)晶體管
東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)開發(fā)采用新工作原理的隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)。
2014-10-08 標簽:MCU場效應(yīng)晶體管東芝公司 1.6k 0
宜普推出氮化鎵場效應(yīng)晶體管的電源轉(zhuǎn)換器演示板
EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅(qū)動器的組合所能達到的優(yōu)異性能。
2012-05-29 標簽:轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 1.8k 0
晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授領(lǐng)導(dǎo)的課題組在有機場效應(yīng)晶體管(Organic Field Effect Transistors,OFET)研究方面取得...
2012-04-26 標簽:場效應(yīng)晶體管 1.4k 0
總的來說,場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強型場效應(yīng)晶體管(E-F...
2012-02-02 標簽:晶體管場效應(yīng)晶體管 2.3萬 1
MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在SMPS以及DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計中 , 使用場效應(yīng)晶體管當作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要...
2011-11-28 標簽:MOS管場效應(yīng)晶體管 1.9k 0
2N5457場效應(yīng)晶體管可用做一個變壓電阻,用在運算放大器的差分輸入端之間。在多個十進制的電阻中,電阻的參數(shù)變化與電壓成線性關(guān)系,這樣可提供良好的電子增...
2011-11-08 標簽:場效應(yīng)晶體管2N5457 4.1k 1
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