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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。
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基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC可pin to pin替換科銳C4D30120D
碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類二極管由于反向恢復(fù)時間短,可提高系統(tǒng)效率...
2022-08-16 標(biāo)簽:二極管基本半導(dǎo)體 1346 0
國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D
SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主,但由于各...
2022-11-25 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 1323 0
國芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應(yīng)用,可替代C2M0080120D
車載OBC又稱車載交流充電機,安裝于電動汽車上,通過插座和電纜與交流插座連接,以三相或者單相交流電源向汽車提供電源;車載OBC的優(yōu)點是不管車載電池在任何...
2022-11-17 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 1322 0
基本半導(dǎo)體獲多家車企和電機控制器Tier1客戶的定點
近日,深圳基本半導(dǎo)體有限公司獲得合肥巨一動力系統(tǒng)有限公司的碳化硅電驅(qū)動項目開發(fā)定點。該項目將采用基本半導(dǎo)體汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcor...
2022-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電機控制器基本半導(dǎo)體 1318 0
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認證,為汽車電子注入新動力
近日,中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅實步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...
2024-06-26 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1297 0
基本半導(dǎo)體榮獲中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎
11月4-7日,2022中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會及展覽會在廈門成功召開。在同期舉行的第八屆中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎頒獎儀...
中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展
第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。
2019-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體青銅劍科技基本半導(dǎo)體 1289 0
基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析
充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領(lǐng)域,碳化硅應(yīng)用處于快速增長階段,預(yù)計到2025年將提升至35%,市場規(guī)模...
2024-07-04 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 1273 0
國芯思辰|基本半導(dǎo)體雙通道隔離柵極驅(qū)動器BTD21520替換UCC21320-Q1用于UPS電源,驅(qū)動峰值電流4.5/6A
國芯思辰接觸的某工程師在做一款50KVA高頻在線式UPS設(shè)計,需要在控制器的驅(qū)動信號與功率開關(guān)管之間做隔離,這里提一下國產(chǎn)基本半導(dǎo)體的雙通道隔離柵極驅(qū)動...
博世集團是全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商,業(yè)務(wù)涵蓋汽車與智能交通技術(shù)、工業(yè)技術(shù)、消費品以及能源與建筑技術(shù)領(lǐng)域。
基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展
? 6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會在國家會展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會匯聚了超過3500家全球光...
國芯思辰|基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆變器
光伏逆變器是整個光伏發(fā)電體系的系統(tǒng)中最重要的一個部分,逆變器的效率決定著光伏發(fā)電的效率,所以需要實現(xiàn)高可靠性是一個逆變器的重要指標(biāo)。本文講述采用基本半導(dǎo)...
2022-09-08 標(biāo)簽:光伏逆變器基本半導(dǎo)體國芯思辰 1190 0
深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)
具體來說,該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內(nèi)...
2024-04-19 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1145 0
國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位,反向電壓1200V
在許多工業(yè)設(shè)備中通常都會采用IGBT來作為主功率器件,能夠有效的減少開關(guān)損耗,提高逆變器的效率,因此為了保護IGBT能夠正常穩(wěn)定的工作,設(shè)計師們會給IG...
2022-10-12 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 1134 0
國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ
隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...
2022-12-05 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代國芯思辰 1131 0
國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機驅(qū)動功率損耗,導(dǎo)通延遲20ns
據(jù)評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。電動機驅(qū)動電路一般原理圖本文主要講到基本半導(dǎo)...
2022-09-30 標(biāo)簽:電動機基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代 1120 0
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認證
近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車...
基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資,打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)
全系碳化硅分立器件、模塊產(chǎn)品分別依據(jù)AEC-Q101、AQG-324標(biāo)準(zhǔn)進行可靠性測試,產(chǎn)品從設(shè)計到驗證遵循汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),打造車規(guī)級質(zhì)量水平。
國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應(yīng)用方案
計算機開關(guān)電源是一種電容輸入型電路,其電流和電壓之間的相位差會造成交換功率的損失,此時便需要PFC電路提高功率因數(shù)。目前的PFC有兩種,一種為被動式PF...
2022-11-07 標(biāo)簽:PFC電路基本半導(dǎo)體 1075 0
基本半導(dǎo)體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領(lǐng)先技術(shù)
近日,第38屆日本國際電子科技博覽會(NEPCON JAPAN)在東京有明國際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會,作為亞洲電子...
2024-03-04 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1053 0
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