深圳基本半導(dǎo)體近期獲批一項(xiàng)名為“一種溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利（專利號(hào)CN117238972B），并將于2024年4月16日正式生效。此項(xiàng)專利主要涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，其創(chuàng)新之處在于提出了一種新型溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制作工藝。

具體來(lái)說(shuō)，該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成：首先是n+型碳化硅襯底，接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層，這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部，從外部向內(nèi)部依次設(shè)有p+型基區(qū)、n+型源區(qū)以及柵氧化層，其中柵氧化層還包覆著多晶硅柵。此外，柵氧化層、p+型基區(qū)以及n+型源區(qū)的底部均設(shè)有p+型保護(hù)區(qū)，n型電流傳輸層上方則覆蓋有隔離介質(zhì)層，其兩側(cè)各設(shè)接觸電極，隔離介質(zhì)層上方設(shè)有源電極，n+型碳化硅襯底的背面設(shè)有漏電極。

通過(guò)這種設(shè)計(jì)，本發(fā)明成功地改變了器件溝道電流的方向，使之不再受溝槽保護(hù)結(jié)構(gòu)的限制，同時(shí)通過(guò)引入電流傳輸層降低了溝槽保護(hù)結(jié)構(gòu)對(duì)溝道電流的影響，從而實(shí)現(xiàn)了更低的比導(dǎo)通電阻。