硅的形態(tài)與沉積方式

優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。

2024-01-22 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體mems 4554 0

光伏金剛線切片機(jī)操作流程

隨著可持續(xù)發(fā)展觀念深入人心，光伏行業(yè)作為能源可持續(xù)發(fā)展的重要載體，呈現(xiàn)規(guī)模迅速擴(kuò)大、技術(shù)進(jìn)步顯著、成本持續(xù)下降的發(fā)展態(tài)勢(shì)。光伏發(fā)電在中國、歐洲、美國、日...

2023-07-26 標(biāo)簽：多晶硅光伏光伏發(fā)電 4098 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶圓 4025 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（下）

上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體IGBT 3934 0

等離子體浸置型離子注入及等離子體摻雜系統(tǒng)介紹

在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究...

2023-07-21 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶圓 3703 0

為什么晶圓是圓的？芯片是方的？

按理說，方型的die放在圓形的wafer里總會(huì)不可避免有空間浪費(fèi)，為什么不做成方型的更節(jié)省空間。

2023-08-02 標(biāo)簽：多晶硅光伏發(fā)電芯片封裝 3455 0

平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標(biāo)簽：CMOS多晶硅晶體管 3114 0

多晶硅的刻蝕機(jī)理介紹

SEMI-e 第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿，向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購與技術(shù)交流平臺(tái)。

2023-12-25 標(biāo)簽：多晶硅MOSFET功率器件 3105 0

深度解析finFET設(shè)計(jì)規(guī)則

inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅晶體管集成芯片 2980 0

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 標(biāo)簽：多晶硅MOSFET半導(dǎo)體 2932 0

雙波段波導(dǎo)光柵耦合器介紹

光柵耦合器（GCs）由于其在芯片表面的任意定位、晶片級(jí)測(cè)試、大對(duì)準(zhǔn)和制造公差等優(yōu)點(diǎn)，可以用于PIC中光纖耦合的I/O接口

2023-05-30 標(biāo)簽：多晶硅PIC耦合器 2896 0

Zeta光學(xué)輪廓儀的太陽能電池量測(cè)解決方案

Zeta光學(xué)輪廓儀廣泛應(yīng)用于太陽能電池的生產(chǎn)工藝流程中，包括： (i)用于硅片切割的金剛石線檢測(cè)；(ii)硅片表面粗糙度、翹曲和邊緣倒角的量化；(iii...

2023-05-18 標(biāo)簽：太陽能電池多晶硅單晶硅 2780 0

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)

當(dāng)晶體管尺寸縮小時(shí)，多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會(huì)影響器件的性能。

2023-06-11 標(biāo)簽：CMOS多晶硅場(chǎng)效應(yīng)管 2262 0

在玻璃上制備大晶粒多晶硅薄膜的方法

我們已經(jīng)使用“種子層概念”在薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工...

2022-04-13 標(biāo)簽：多晶硅工藝玻璃 2215 0

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā)，推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程，然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況，包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。

2023-06-08 標(biāo)簽：多晶硅MOSFET仿真器 2139 0

二維材料給功率半導(dǎo)體帶來了什么？

9月15日，華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的翟天佑教授團(tuán)隊(duì)宣布，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在二維高性能浮柵晶體管存儲(chǔ)器方面取得重要進(jìn)展。

2023-10-30 標(biāo)簽：多晶硅存儲(chǔ)器晶閘管 2075 0