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標(biāo)簽 > 多晶硅
多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。
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多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？
硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造...
單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵...
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進(jìn)行錘擊達(dá)到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強(qiáng)度使用下也不容易磨損。
為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘...
儲(chǔ)能便攜電源充電的時(shí)候，有一種充電方式是太陽能板充電。這種充電方式非常適合在遠(yuǎn)離都市沒有電源的環(huán)境下利用太陽光進(jìn)行充電，身在曠野也不用擔(dān)心用電問題，這是...
IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù)：溝道長度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區(qū)半寬度13μm，窗口區(qū)半寬度12μm
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析
硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要，特別是在現(xiàn)代集成電路制造中，如FinFET等先進(jìn)器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下，硅片表面的微小不平整性對(duì)光刻結(jié)果...
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...
多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲(chǔ)能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（一）
在接下來的一個(gè)章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級(jí)硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體...
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...
在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料，其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個(gè)光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性...
2024-12-27 標(biāo)簽：多晶硅存儲(chǔ)光伏系統(tǒng) 797 0
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材...
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來，為提升...
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
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