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存儲(chǔ)單元

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　　存儲(chǔ)單元是多個(gè)存儲(chǔ)元的集合。一般應(yīng)具有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的功能，以8位二進(jìn)制作為一個(gè)存儲(chǔ)單元，也就是一個(gè)字節(jié)。

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　　在存儲(chǔ)器中有大量的存儲(chǔ)元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲(chǔ)元同時(shí)進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，這樣的一組存儲(chǔ)元稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元。一個(gè)存儲(chǔ)單元通?？梢源娣乓粋€(gè)字節(jié)；存儲(chǔ)單元是CPU訪問(wèn)存儲(chǔ)器的基本單位。

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存儲(chǔ)單元知識(shí)

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PROM器件的工作原理詳解 PROM器件常見(jiàn)故障及解決方案

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2024-08-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)單元計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 磁盤(pán) 799 0
存儲(chǔ)單元是指什么

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SR鎖存器的電路結(jié)構(gòu)

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邊沿觸發(fā)器的類型有哪些

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SDRAM的工作原理和時(shí)序分析

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2024-07-29 標(biāo)簽： SDRAM 存儲(chǔ)單元計(jì)算機(jī) 1803 0
DRAM芯片的基本結(jié)構(gòu)

如果內(nèi)存是一個(gè)巨大的矩陣，那么DRAM芯片就是這個(gè)矩陣的實(shí)體化。如下圖所示，一個(gè)DRAM芯片包含了8個(gè)array，每個(gè)a

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PSRAM完全解讀

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一文詳解鎖存器

　　存儲(chǔ)電路由存儲(chǔ)器件組成,能存儲(chǔ)一位二值信號(hào)的器件稱為存儲(chǔ)單元電路. 存儲(chǔ)單元電路大多是雙穩(wěn)態(tài)電路。

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SLC,MLC和TLC參數(shù)比較

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一文詳解主從觸發(fā)器

　　利用一個(gè)稱為“時(shí)鐘”的特殊定時(shí)控制信號(hào)去限制存儲(chǔ)單元狀態(tài)的改變時(shí)間,具有這種特點(diǎn)的存儲(chǔ)單元電路稱為觸發(fā)器。

2023-03-16 標(biāo)簽：RS 存儲(chǔ)單元主從觸發(fā)器 1.4萬(wàn) 0

憶阻器簡(jiǎn)介及測(cè)試方案

憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和...

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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝（DRAM）詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器...

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一文解析DARM工藝流程

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的工藝流程包括多個(gè)關(guān)鍵步驟。

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NOR Flash的技術(shù)體系和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并對(duì)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的基本原理以及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行介紹。

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