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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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2023年全球晶圓廠設(shè)備商TOP5出爐 ASML登上榜首位置
據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Counterpoint Research公布的報(bào)告,由于內(nèi)存支出疲軟、宏觀經(jīng)濟(jì)放緩、庫(kù)存調(diào)整以及智能手機(jī)和 PC 終端市場(chǎng)需求低迷,排名...
三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星...
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布,已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在...
武漢新芯獲批三項(xiàng)目備案,新增生產(chǎn)設(shè)備53臺(tái)/套,月產(chǎn)能達(dá)3000以上
首先,針對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,武漢新芯計(jì)劃運(yùn)用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)并建立生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)投入16臺(tái)生產(chǎn)設(shè)備以實(shí)現(xiàn)每月產(chǎn)量...
武漢新芯多項(xiàng)目獲批,注冊(cè)資本增至84.79億
首先,高帶寬存儲(chǔ)器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及其產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目旨在構(gòu)建多晶圓堆疊技術(shù)生產(chǎn)線,引進(jìn)16臺(tái)生產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)每月至少3000片(12英寸)產(chǎn)量。
全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2023年?duì)I收下滑,2024年有望回暖
據(jù)這家研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告,2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)占有率最高的是美國(guó)(占比約60%),其次是韓國(guó)(占比12%)。不過(guò),隨著2024年存儲(chǔ)器市場(chǎng)回暖,韓國(guó)的市...
2024-03-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)半導(dǎo)體市場(chǎng) 1221 0
2024-03-05 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器長(zhǎng)電科技 1002 0
鎧俠終止減產(chǎn)或致NAND芯片市場(chǎng)再動(dòng)蕩
據(jù)統(tǒng)計(jì),鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商,市場(chǎng)份額約為15%-20%,緊隨其后的是韓國(guó)的三星。面對(duì)之前NAND報(bào)價(jià)持續(xù)下跌的困境,鎧俠率先采取了減產(chǎn)策...
英飛凌最新MCU之TC4XX系列開(kāi)始量產(chǎn) 壟斷智能駕駛
英飛凌的安全MCU幾乎壟斷智能駕駛領(lǐng)域,基本上國(guó)內(nèi)95%以上的智能駕駛系統(tǒng)使用英飛凌的TC39X系列MCU做最后的安全控制,即管理底盤(pán)執(zhí)行器。
磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在智能車(chē)載終端(T-BOX)中的應(yīng)用方案
磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在智能車(chē)載終端(T-BOX)中的應(yīng)用方案
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了...
前言NANDFlash和NORFlash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORFlash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM...
2024-03-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SD卡Nand flash 1567 0
鎧俠NAND產(chǎn)能預(yù)計(jì)恢復(fù)90%,減產(chǎn)策略或面臨調(diào)整
2022年10月起,鎧俠已經(jīng)減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達(dá)30%。截至目前,鎧俠NAND生產(chǎn)已恢復(fù)至原廠產(chǎn)能的兩成左右。
OLED被列入韓國(guó)國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù),最高稅收抵免50%
韓國(guó)政府正在擴(kuò)大稅收支持,將高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和氫相關(guān)設(shè)施納入韓國(guó)國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)。
2024-02-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器有機(jī)發(fā)光二極管 1310 0
美光預(yù)測(cè):2024年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)佳績(jī)
美光展示了豐富的新產(chǎn)品信息,眾多高管拜訪了參展的制造商。對(duì)于今年存儲(chǔ)器行業(yè)的預(yù)測(cè),蒙提斯表示,由于AI技術(shù)如火如荼地發(fā)展以及硬件規(guī)格的升級(jí),存儲(chǔ)器行業(yè)將...
CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來(lái)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫(xiě)操作,支持擦寫(xiě)保...
金華市新工政策強(qiáng)化新興產(chǎn)業(yè)扶持力度
首先,加強(qiáng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持。對(duì)于已備案的項(xiàng)目,根據(jù)設(shè)備投資額的25%進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì);自主研發(fā)的芯片、存儲(chǔ)器及其配套設(shè)備(如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等)項(xiàng)目,則按設(shè)備投資...
2024-02-27 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)器 906 0
據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要...
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