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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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新型鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FeTRAM研制成功
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷,且比占...
應(yīng)用于深亞微米存儲(chǔ)器的電荷泵設(shè)計(jì)
因只讀存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元只進(jìn)行一次編程,編程后的數(shù)據(jù)能長(zhǎng)時(shí)間保存,且在編程時(shí)需要流過(guò)mA級(jí)以上的電流,所以只讀存儲(chǔ)器編程時(shí)通常采用外加編程高壓,...
ARM處理器的位置無(wú)關(guān)程序設(shè)計(jì)
ARM處理器支持位置無(wú)關(guān)的程序設(shè)計(jì),這種程序加載到存儲(chǔ)器的任意地址空間都可以正常運(yùn)行,其設(shè)計(jì)方法在嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中具有重要的作用。尤其在裸機(jī)狀態(tài)下開(kāi)...
Ultrabook背水一戰(zhàn) 存儲(chǔ)器廠憂喜參半
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲(chǔ)器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強(qiáng)...
ST整合創(chuàng)新的無(wú)線存儲(chǔ)器與NFC技術(shù)
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)進(jìn)一步提升其在近距離通信(NFC)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位,針對(duì)工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用擴(kuò)展意法半導(dǎo)體雙界面...
應(yīng)用于深亞微米存儲(chǔ)器的電荷泵設(shè)計(jì)
我們?cè)O(shè)計(jì)了一款電荷泵用以在存儲(chǔ)器中傳遞外部編程高壓。這種電荷泵利用高壓NMOS器件提高了耐壓特性并保證了正常工作,且增加了襯底偏置以縮短電荷泵的穩(wěn)定時(shí)間。
1553B總線網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方案
本文設(shè)計(jì)了1553B總線上的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器。整個(gè)系統(tǒng)基于NIOS II內(nèi)核設(shè)計(jì),利用SoPC技術(shù)將接口部分的邏輯控制全部集成于FPGA片內(nèi),系統(tǒng)的存儲(chǔ)量、結(jié)...
新型 KeyStone 架構(gòu)在存儲(chǔ)器架構(gòu)方面具備各種優(yōu)勢(shì),意味著無(wú)論在單內(nèi)核還是在多內(nèi)核 SoC 執(zhí)行環(huán)境中都能夠直接實(shí)現(xiàn)顯著的性能提升。
TMS320C55x(簡(jiǎn)稱為“C55x”)具有極低的功耗(0.05 mW/MIPS),本文以C55x上的視頻編碼器為例,討論片上存儲(chǔ)器的有效使用。
2011-08-04 標(biāo)簽:嵌入式存儲(chǔ)器片上存儲(chǔ)器 874 0
存儲(chǔ)器群雄割據(jù)的時(shí)代再度來(lái)臨
隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開(kāi)始遇到瓶頸,業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇
2011-07-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 615 2
當(dāng)前計(jì)算機(jī)幾乎毫無(wú)例外地采用了如圖所示的層次式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),目的是為了兼顧存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度。
2011-07-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 3236 0
ST針對(duì)黑匣子記錄器發(fā)布EEPROM存儲(chǔ)器M35B32
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)推出新款存儲(chǔ)器產(chǎn)品,擁有在緊急情況發(fā)生時(shí)儲(chǔ)存重要數(shù)據(jù)的快速數(shù)據(jù)記錄功能。新產(chǎn)品主要用于突然斷...
存儲(chǔ)器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM
存儲(chǔ)器業(yè)者分析,NANDFlash應(yīng)用領(lǐng)域包括固態(tài)硬盤、平板計(jì)算機(jī)、智能型手機(jī)、工業(yè)計(jì)算機(jī)等,雖然前幾項(xiàng)產(chǎn)品的需求不如預(yù)期強(qiáng)勁,但仍是后勢(shì)可期,加上國(guó)際...
2011-07-08 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器NAND Flash 492 0
賽普拉斯推出72 Mbit先進(jìn)先出(FIFO)存儲(chǔ)器
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一款容量高達(dá) 72 Mbit 的先進(jìn)先出 (FIFO) 存儲(chǔ)器。該款全新的高容量 (HD) FIFO 是視頻及成像應(yīng)用的理...
DS1992/DS1993 iButton存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱DS199_)是堅(jiān)固耐用的讀/寫數(shù)據(jù),作為一個(gè)本地化的數(shù)據(jù)庫(kù),很容易以最小的硬件訪問(wèn)。非易失性...
業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)
QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633...
DS3655是一款防篡改存儲(chǔ)器,特別用于需要數(shù)據(jù)保護(hù)和要求高安全性的設(shè)備。器件包括64字節(jié)專有的無(wú)痕跡存儲(chǔ)器,該存儲(chǔ)器可在100ns時(shí)間內(nèi)快速擦除
賽普拉斯推出串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM),該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口,可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
MAX66020 ISO/IEC 14443 B型1Kb存儲(chǔ)器
MAX66020集成了1024的用戶EEPROM位,64位唯一識(shí)別碼(UID)和一個(gè)13.56MHz的射頻接口(異/符合IEC14443 B型
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