電子工程師必備:探秘FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM 在電子工程師的日常設計工作中,選擇一款合適的非易失性存儲器至關重要。今天我們就來詳細了解一款性能卓越的產(chǎn)品——FM25L16
2026-01-05 16:25:25
29 英尚代理的恒爍半導體NOR FLASH存儲器,具備通用SPI接口,覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項,為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25
2026-01-05 16:11:01
30 FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應用解析 在電子設計領域,找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲器至關重要。今天,我們就來深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09
367 ——FM24V05,它是一款512 - Kbit(64 K × 8)的串行(I2C)F - RAM(鐵電隨機存取存儲器),具備諸多優(yōu)秀特性,非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用場景。 文件下載
2025-12-31 16:40:23
727 FM25L04B:高性能4-Kbit串行F-RAM的卓越之選 在電子設計領域,非易失性存儲器的選擇至關重要,它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天,我們來深入了解一款備受關注的產(chǎn)品
2025-12-31 16:05:18
85
– 4us超低功耗喚醒時間
? 存儲容量
–最大 256K 字節(jié) FLASH,數(shù)據(jù)保持 25 年 @85℃
–最大 24K 字節(jié) RAM,支持奇偶校驗
–128 字節(jié) OTP 存儲器
2025-12-29 06:15:18
FM24V02A:高性能串行F - RAM的卓越之選 在電子設計領域,非易失性存儲器的選擇至關重要,它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天,我們就來深入探討一款高性能的串行F - RAM
2025-12-28 15:25:09
404 參考電壓源選擇的最低功耗是多少?
2025-12-24 06:06:07
探索FM25L16B:高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力 在電子設計領域,尋找一款高性能、可靠且耐用的非易失性存儲器是許多工程師的追求。今天,我將帶大家深入了解一款令人矚目的產(chǎn)品
2025-12-23 15:55:09
139 HS9069P 是采用低功耗高速CMOS 工藝制造的8 位單片機,它內(nèi)部包含一個1K*14-bit 的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。HS9069P內(nèi)部支持大驅(qū)動紅外發(fā)射、T型按鍵掃描、低功耗模式,是一款超高性價比的紅外發(fā)射MCU。
2025-12-22 14:37:05
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CC2652P無線MCU:低功耗多協(xié)議的理想之選 在當今的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時代,無線通信技術的發(fā)展日新月異,對于微控制器(MCU)的要求也越來越高。低功耗、多協(xié)議支持、高性能等特性成為了衡量一款
2025-12-22 13:55:06
249 探索CC2651P3無線MCU:低功耗、高性能的理想之選 在當今的電子設計領域,無線微控制器(MCU)的性能和功耗往往是工程師們關注的焦點。TI推出的SimpleLink? CC2651P3無線
2025-12-22 10:30:15
773 CC274xR/P-Q1:汽車藍牙低功耗無線MCU的卓越之選 引言 在當今的汽車電子領域,無線通信技術的應用愈發(fā)廣泛,對微控制器(MCU)的性能、安全性和低功耗特性提出了更高的要求。TI推出
2025-12-22 09:35:08
298 AIROC? CYW20822-P4xxI040藍牙低功耗模塊:設計與應用全解析 在當今的電子設備中,藍牙低功耗(BLE)技術憑借其低功耗、低成本和易于集成的特點,廣泛應用于各種物聯(lián)網(wǎng)(IoT
2025-12-19 16:20:15
207 博雅BOYA 64Mbit NOR Flash BY25Q64ESSIG憑借133MHz高速讀取與車規(guī)級溫度適應性,為車載DVD系統(tǒng)提供快速啟動及可靠固件存儲。其低功耗設計與10萬次擦寫壽命保障系統(tǒng)在-40℃~85℃環(huán)境下穩(wěn)定運行,助力提升車載影音設備性能。
2025-12-19 09:53:00
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VIAVI Xgig 5P16推出全新功能,完善了PCIe5.0測試需求。Xgig 5P16分析儀/協(xié)議訓練器提供16通道全速數(shù)據(jù)捕獲和錯誤注入,可對PCIe協(xié)議進行詳細的功能和性能分析。
2025-12-17 16:25:36
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MSP430G2553IPW0RQ1超低功耗16位微控制器產(chǎn)品型號:MSP430G2553IPW0RQ1產(chǎn)品品牌:TI/德州儀器產(chǎn)品封裝:TSSOP20產(chǎn)品功能:超低功耗16位微控制器
2025-12-16 11:34:32
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在嵌入式系統(tǒng)的設計中,低功耗設計是許多設計人員必須面對的問題,其原因在于嵌入式系統(tǒng)被廣泛應用于便攜式和移動性較強的產(chǎn)品中去,而這些產(chǎn)品不是一直都有充足的電源供應,往往是靠電池來供電,所以設計人員從
2025-12-12 07:43:25
運行時,進入低功耗模式;
在適當?shù)臈l件下,通過中斷或者外部事件喚醒 MCU。
當 OS 系統(tǒng)定時器產(chǎn)生中斷時,會將 MCU 從低功耗模式喚醒。而頻繁進入/推出低功耗模式,使得 MCU 無法進入深度睡眠
2025-12-12 07:07:30
FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應用解析 在電子工程領域,非易失性存儲器的選擇對于系統(tǒng)的性能和可靠性至關重要。今天,我們將深入探討FM24CL04B這款4 - Kbit
2025-12-10 17:15:02
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? 在電子設計領域,數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)是連接數(shù)字世界和模擬世界的關鍵橋梁。今天,我們要深入探討的是Burr - Brown公司的DAC1221,一款16位低功耗的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,它在工業(yè)過程控制、測試
2025-12-09 10:32:35
388 
SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)是一種在通電狀態(tài)下可保持數(shù)據(jù)不丟失的存儲器件,無需刷新即可持續(xù)工作,因此具有高速讀寫、響應及時的特點,廣泛應用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57
442 
概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲應用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護和讀保護。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
、利用低功耗外設和組件
選用具有低功耗特性的外設和組件,如低功耗傳感器、存儲器等,從源頭上降低系統(tǒng)的整體功耗。
2025-12-01 08:01:01
在嵌入式系統(tǒng)與智能設備中,小容量、可重復擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標準化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗,成為存儲配置參數(shù)、用戶設置、運行日志等
2025-11-28 18:32:58
316 
MSP430FR5721IDAR超低功耗的16位微控制器產(chǎn)品型號:MSP430FR5721IDAR產(chǎn)品品牌:TI/德州儀器產(chǎn)品封裝:TSSOP38產(chǎn)品功能:16位微控制器
2025-11-28 11:13:46
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在各類電子設備與嵌入式系統(tǒng)中,存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM,特別是異步SRAM系列,憑借其出色的能效比與高可靠性,正成為越來越多工業(yè)控制、通信設備及便攜終端中的關鍵部件。
2025-11-25 15:42:56
271 
在各類存儲設備中,SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計,在高帶寬和多任務場景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
272 1. 核心架構(gòu)與性能
內(nèi)核:ARM? Cortex?-M0+,專為低功耗、低成本應用設計,提供高效的指令執(zhí)行和快速的中斷響應。
主頻:最高可達 48MHz,滿足一般實時控制需求。
存儲器:
64KB
2025-11-24 08:02:43
該ADS41B25屬于超低功耗ADS4xxx模擬轉(zhuǎn)數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)系列,集成了模擬輸入緩沖器。該設備采用創(chuàng)新設計技術,實現(xiàn)高動態(tài)性能,同時功耗極低。模擬輸入引腳帶有緩沖區(qū),其優(yōu)點是穩(wěn)定的性能和在寬頻范圍內(nèi)的輸入阻抗。該設備非常適合多載波寬帶寬通信應用,如PA線性化。
2025-11-19 09:29:57
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48MHz的ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核。
集成高精度模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC):支持最多16+1路I/O接口。
,CW32L010F8P600在存儲容量、安全性、功耗控制、定時器設計、LatchUp測試成績、ESD防護、性能與成本平衡、封裝多樣性、主頻以及ADC精度等方面均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
2025-11-13 07:07:48
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
L083最低功耗是多少,應該如何進行低功耗設計?有哪些注意事項?
2025-11-12 07:29:05
MS32C001-C 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核,寬電壓工作范圍的 MCU。嵌入 18 KB Flash 和 1.5 KB SRAM 存儲器,最高
2025-11-05 09:34:26
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和高內(nèi)存密度。該器件 將獲得專利的e-STM 40nm 非易失性存儲器 (NVM) 單元技術與智能頁面架構(gòu)相結(jié)合,將固件高內(nèi)存密度的優(yōu)勢與字節(jié)靈活性和高耐用性相結(jié)合,簡化數(shù)據(jù)記錄。M95P3還具
2025-10-28 14:30:32
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STMicroelectronics M95P16超低功耗16Mb SPI頁面EEPROM基于非易失性存儲器(NVMe)技術。該EEPROM具有字節(jié)靈活性、頁面可更改、高頁面循環(huán)性能和超低功耗
2025-10-25 15:44:00
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Silicon Labs (芯科科技)面向物聯(lián)網(wǎng)低功耗設計的需求,推出搭載于第二代無線SoC和MCU的低功耗傳感器接口(LESENSE)技術,可通過智能監(jiān)測,讓主控芯片安心休眠,進而達到顯著的節(jié)能
2025-10-24 17:22:45
2083 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達35
2025-10-24 16:36:03
532 STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁面EEPROM采用先進的專有NVM技術。M95P08-x具有字節(jié)靈活性、頁面可更改性、高頁面循環(huán)性性能,以及等同于
2025-10-24 09:41:37
380 
一次性可編程(OTP)非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術相比,OTP的占用面積更小,且無需額外的制造工序,因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單,但隨著人工智能(AI)的大規(guī)模部署和對更先進技術的需求日益增長,平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:11
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HC88L051F4 是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發(fā)的增強型8位單片機,內(nèi)部有16KBytes FLASH 程序存儲器,256BytesIRAM和1024BytesXRAM,最多18個雙向
2025-10-17 10:04:25
1 凱茉銳電子|最低功耗2.5W的迷你變焦模組——騰龍MP3010M-EV
2025-09-29 14:00:37
504 Texas Instruments LAUNCHXL-F28P65X LaunchPad? 開發(fā)套件基于C2000? 實時微控制器系列F28P65x器件。LAUNCHXL-F28P65X圍繞TMS320F28P650DK9實時MCU開發(fā),強調(diào)控制、模擬和通信外設以及集成非易失性存儲器。
2025-08-14 14:23:06
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? ? I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)-P24C512H ? 產(chǎn)品介紹 ? ?產(chǎn)品概述: ? P24C512H是I2C兼容的串行E2PROM(電可擦除可編程存儲器)設備。它包含
2025-08-07 10:06:53
1002 
)將多層 DRAM 芯片垂直堆疊,并集成專用控制器邏輯芯片,形成一個緊湊的存儲模塊。這種架構(gòu)徹底打破了傳統(tǒng) DDR 內(nèi)存的平面布局限制,實現(xiàn)了超高帶寬、低功耗和小體積高集成度的完美結(jié)合,成為支撐 AI、高性能計算(HPC)和高端圖形處理的核心存儲技術。
2025-07-18 14:30:12
2949 近日,紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela,容量覆蓋32Mb,64Mb
2025-07-01 16:42:50
1443 FM33A0xx系列
簡介:
FM33A0xx系列芯片是ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片,最大可支持512KB FLASH程序存儲器和 64KB RAM,集成LCD驅(qū)動、帶溫補
2025-06-12 18:03:47
Cortex-M23 內(nèi)核以及高達128KB的代碼閃存和16KB SRAM存儲器。優(yōu)化的工藝和Renesas的低功耗工藝技術,使其成為業(yè)界出色的超低功耗MCU。 ? RA2L2組支持1.6V至5.5V的寬工作
2025-06-11 15:22:46
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雅特力AT32L021系列低功耗ARM?Cortex?-M0+微控制器AT32L021系列是雅特力科技推出的一款高性能、低功耗的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核微控制器,專為滿足物聯(lián)網(wǎng)
2025-06-05 08:58:44
,最低功耗小于0.6uA(看門狗工作);
內(nèi)置32位真隨機數(shù)發(fā)生器;
支持cJTAG 2線調(diào)試接口;
工作電壓范圍:1.8~3.6V;
超低功耗,最低功耗達1.6uA(MCU處于掉電模式,無線收發(fā)模塊
2025-06-01 18:41:12
PY32F002B 系列單片機采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核,寬電壓工作范圍的 MCU。嵌入了24Kbytes Flash 和 3Kbytes SRAM 存儲器,最高
2025-05-29 16:57:05
近期,芯片燒錄領域的領導者昂科技術推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際,公司同步宣布新增多款兼容芯片型號,其中包括旺宏電子開發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37
619 
? 定時器— 1 個 16 位高級控制定時器 (TIM1)— 1 個通用的 16 位定時器 (TIM14)— 1 個低功耗定時器 (LPTIM),支持從 stop 模式喚醒— 1 個獨立看門狗定時器
2025-05-13 14:51:46
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20(MB85RS2MT)
2025-05-06 09:47:26
585 
隨著可穿戴設備、無線通信模塊、工業(yè)終端與PC周邊設備的不斷演進,系統(tǒng)對時鐘源的小型化、低功耗與高穩(wěn)定性提出了全新挑戰(zhàn)。FCom富士晶振推出的 FCO-2P/3P/5P/6P/7P-PJ 系列
2025-04-30 15:05:41
門控
在運行模式下,外設和存儲器的時鐘可以隨時停止,以減少功耗。
為了進一步降低睡眠模式下的功耗,可以在執(zhí)行WFI或WFE指令之前禁用外圍時鐘。
3. 睡眠模式
3.1 進入睡眠模式
休眠模式通過執(zhí)行
2025-04-21 11:29:57
替換MB85RS128和FM25V01,舜銘存儲鐵電存儲器SF25C128電壓檢測儀應用方案
2025-04-14 09:46:36
718 
非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應用于各種設備中,從智能手機、個人電腦到服務器和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:24
1333 便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03
626 
保持25年@85℃
–3K 字節(jié)RAM,支持奇偶校驗
–22字節(jié)OTP存儲器
? CRC 硬件計算單元
? 復位和電源管理
–低功耗模式(Sleep,DeepSleep)
–上電和掉電復位(POR
2025-04-03 15:13:57
LS013B7DH03是日本廈普SHARP推出的一款1.28寸超低功耗黑白顯示屏(MIP),它在每個像素點嵌入了存儲體,來存儲圖形數(shù)據(jù),因此靜止的圖像不需要連續(xù)刷新,與傳統(tǒng)TFT顯示屏相比,減少
2025-04-01 10:23:23
分布式存儲通過業(yè)界最高密設計,可承載EB級數(shù)據(jù)量,同時最低功耗特性有效應對直播、XR游戲等新興業(yè)務的數(shù)據(jù)存儲需求?。浪潮SA5248M4服務器采用模塊化設計,實現(xiàn)4倍計算密度提升,并通過軟硬件調(diào)優(yōu)降低10%以上功耗?。 ARM架構(gòu)的能效優(yōu)勢? ARM陣列云通過低功耗架
2025-04-01 08:25:05
913 
。
KOF01還具有出色的低功耗性能,支持睡眠和深度睡眠兩種低功耗模式,設計靈活。其運行功耗為
70uA/MHz@64MHz,在部分掉電的深度睡眠模式下功耗僅10uA。
KOF01微控制器可適用高速風
2025-03-31 10:35:37
替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41
716 
, Thread和Matter。
集成了頻率為128MHz的Arm Cortex-M33處理器,處理能力比nRF52840提高了一倍,同時降低了功耗。擁有1.5MB非易失性存儲器和256KB RAM,可同時
2025-03-26 22:24:56
)、外部存儲器組成的三級存儲體系;
p 多級存儲體系的計算裝置主要圍繞主存儲器來組織和運行;
p 對于體積、重量、功耗、可靠性以及成本等方面有特定要求的各類嵌入式系統(tǒng)而言,存儲子系統(tǒng)的設計具有定制
2025-03-26 11:12:24
)、藍牙Mesh、Thread、Zigbee以及專有2.4GHz協(xié)議的產(chǎn)品。 它擁有該系列中最小的內(nèi)存選項,配備0.5MB非易失性存儲器(NVM)和96KB RAM,針對成本敏感型應用進行了優(yōu)化。而
2025-03-25 11:26:48
表示:“Nordic 的 PMIC 產(chǎn)品在公司持續(xù)致力于為客戶提供最低功耗物聯(lián)網(wǎng)解決方案的過程中發(fā)揮著重要作用。我們很高興能擴大 PMIC 產(chǎn)品線,推出首款原電池 PMIC,從而為非充電式產(chǎn)品提供獨特
2025-03-20 16:52:22
兼容FM25V20A/MB85RS2MT,國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應用方案
2025-03-20 09:55:16
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特性64 千比特鐵電隨機存取存儲器(F - RAM),邏輯上組織為 8K×8高達 100 萬億次(\(10^{14}\))讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限(詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
鐵電存儲器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計算中應用
2025-03-13 09:46:30
772 
8080, 6800接口
1通道可編程增益增大器, 1/2/4/8/16/32/64/128倍增益可選
2通道比較器,輸入源及基準電壓可選
增強型DMA控制器
聯(lián)動控制器
支持超低功耗
2025-03-07 17:18:10
性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應用介紹
2025-03-06 10:06:58
1473 
Cortex-M33 處理器,處理能力比 nRF52840 提高了一倍,同時降低了功耗。它擁有 1.5 MB 非易失性存儲器和 256 KB RAM,足以同時運行多個無線協(xié)議。
高級安全性
2025-03-05 18:17:29
128MHz的Arm Cortex-M33處理器,處理能力比nRF52840提高了一倍,同時降低了功耗。擁有1.5MB非易失性存儲器和256KB RAM,可同時運行多個無線協(xié)議。
提供安全啟動、安全固件
2025-03-05 10:39:40
、常規(guī)器件偏差滿足寬溫范圍,如晶振頻偏、溫漂、老化等
存儲資源滿足工業(yè)級高溫可靠性存儲資源滿足工業(yè)級高溫可靠性
靈活安全高性能低功耗系統(tǒng)級芯片架構(gòu)
抗電源干擾、滿足復雜電源工況
最小BOM僅需【一個1uF電容+一個16MHz晶振】
2025-03-05 01:09:57
鐵電存儲器SF24C64對標FM24C64性能、應用和成本分析
2025-03-03 10:25:45
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AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM),存儲容量為8192字節(jié),分為256頁,每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術,自定時編程周期,支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計算機、家用電器、汽車電子、通信設備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 DS2505為16k位只添加存儲器,可以識別和存儲與產(chǎn)品相關的信息。這個標簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制器的一個端口引腳。DS2505有一個工廠刻度的注冊碼,其中包括:48位
2025-02-27 16:31:15
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、NZ3802
SI522A低功耗模式下,讀卡距離可達3cm~5cm。這兩顆芯片針對市場低功耗模式下極其不穩(wěn)定的痛點,憑借著超低功耗、穩(wěn)定的低功耗模式,及軟硬件直接兼容MFRC522FM
2025-02-27 13:53:53
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons(以下簡稱DS199x)是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體,充當本地化數(shù)據(jù)庫,易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06
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的備份SRAM,滿足大量程序代碼和數(shù)據(jù)存儲需求?。
3、豐富的外設接口?:提供三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制
2025-02-21 14:59:12
特點FM24C16D提供16384位串行電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM),組織為2048個8字每個位,具有128位UID和16字節(jié)安全性部門。該設備經(jīng)過優(yōu)化,可用于多種場合工業(yè)和商業(yè)應用低
2025-02-13 14:49:06
? 非易失性存儲器是一種應用于計算機及智能手機等設備中的存儲裝置(存儲器),其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:14
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舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:09
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特點FM24C256E提供262144位串行電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM),由32768個8字組成每個位,具有128位UID和64字節(jié)安全性部門,大大提高了可靠性內(nèi)部ECC邏輯。該設備
2025-02-11 14:34:13
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器),專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率,廣泛應用
2025-02-09 22:38:10
MX25U12832FMI02 產(chǎn)品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產(chǎn)的一款高性能 NOR Flash 存儲器,專為需要大容量存儲和快速讀取的應用而設計。該
2025-02-09 10:21:26
初學者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
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鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢顯著
2025-02-07 09:29:33
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隨著科技的飛速發(fā)展,電子設備的種類和數(shù)量不斷增加,人們對設備的能效要求也越來越高。低功耗處理器因其在節(jié)能、環(huán)保和成本效益方面的優(yōu)勢而受到廣泛關注。 低功耗處理器的定義 低功耗處理器是指在設計時
2025-02-07 09:14:48
1932 在數(shù)字存儲技術的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨特的性能和廣泛的應用領域,成為了連接隨機存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術特性、分類及其在現(xiàn)代電子設備中的應用。
2025-01-29 16:53:00
1683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題,即它是否屬于RAM或ROM,同時詳細闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:00
1590 閃速存儲器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)在擦除數(shù)據(jù)時,往往需要較長的時間,且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:00
1378 在信息技術飛速發(fā)展的今天,閃速存儲器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲領域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲器的一種常見應用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:00
1449 高速緩沖存儲器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲器(RAM)有所不同。在計算機存儲體系中,Cache位于CPU和主存儲器之間,用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:00
3394 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29
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特點16-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次(1014)讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期(請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應用
2025-01-16 10:17:06
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舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應用優(yōu)勢有哪些?
2025-01-10 09:12:15
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