非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理,是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇,例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
TC364 微控制器是否支持外部存儲器?
根據(jù)我的閱讀,外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中,我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷,而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
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低功耗藍牙技術(shù)是一種優(yōu)化的藍牙技術(shù),專為滿足低功耗需求而設(shè)計。它通過采用一系列節(jié)能措施和技術(shù),實現(xiàn)了更低的功耗消耗,延長了設(shè)備的續(xù)航時間。
2024-02-07 16:49:00
546 與主存儲器(內(nèi)存)和輔助存儲器(外存)有不同的特點和應(yīng)用場景。 首先,我們來詳細(xì)了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器,這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后,存儲在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10
732 1) 允許一個物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
我想使用 DAP 協(xié)議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔? 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲器?
提前謝謝了!
2024-01-23 07:51:15
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM(易失性存儲器),又稱為SRAM(Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機訪問存儲器);另一種是Non-volatile RAM(非易失性存儲器),又稱
2024-01-12 17:27:15
512 近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03
282 這塊板子只需要用OE和WE信號就可以了,片選就接地吧,這樣讀操作時數(shù)據(jù)出來得快多了。
點評:大部分存儲器的功耗在片選有效時(不論OE和WE如何)將比片選無效時大100倍以上,所以應(yīng)盡可能使用CS來控制
2024-01-09 08:04:28
,休眠電流最低0.7uA,完全可以滿足不同的低功耗應(yīng)用。PY32L020在控制器、手持設(shè)備、PC 外設(shè)、游戲和 GPS 平臺、工業(yè)應(yīng)用等場景下都有著很好的應(yīng)用。
2023-12-20 16:02:38
要求使用其他存儲設(shè)備,如Flash存儲器,來存儲數(shù)據(jù)。 Flash存儲器是一種非易失性存儲器,能夠長時間保存數(shù)據(jù),即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)。它具有較高的讀寫速度和較低的功耗,適用于FPGA的數(shù)據(jù)存儲需求。 FPGA上的Flash存儲器一般通過SPI(串行
2023-12-15 15:42:51
542 如何充分利用單片機(MCU)的非易失性存儲器 單片機(MCU)的非易失性存儲器(NVM)是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM,我們
2023-12-15 10:10:49
499 。
0x0000 0xXXXX NOP指令0會通過SDO輸出16位字,其中最后4位包含控制寄存器的內(nèi)容。如果位C3 = 1,則熔絲編程命令成功。
這么做讀出的是控制寄存器的內(nèi)容,而不是存儲器的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
隨著車載電子設(shè)備越來越多,功耗問題變得日趨嚴(yán)重。例如,如果音頻功率放大器的靜態(tài)電流達到200ma,則采用12v電源時靜態(tài)功耗就高達2.4w。有沒有一種方法能開機但不需要揚聲器發(fā)出聲音的時候,關(guān)閉放大器來降低功耗?
2023-11-29 08:14:15
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 (Flash Memory)簡稱閃存器或閃存,是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory, NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash)和與非閃存
2023-11-23 09:36:17
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低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36
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半導(dǎo)體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory,NVM)和易失性存儲器 (volatile Memory
2023-11-16 09:14:06
413 何謂半導(dǎo)體存儲器? 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01
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今天要講的是通過IIC總線來讀寫AT24C512存儲。我們在開發(fā)一些項目的時候,如果要求對有些參數(shù)進行存儲,且掉電不丟失的話,我們就需要一些外部存儲器件,比如說今天要講的AT24C512存儲器。下面就來看一下今天的例程吧!
2023-11-09 10:00:41
660 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間,其存儲器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了?。浚緼T89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明,各位高手有誰知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
的一顆低功耗核心(low power MCU)來負(fù)責(zé)控制各個子系統(tǒng)的上下電,休眠等活動。在linux中,有一套完善的低功耗控制框架。本書對這個linux低功耗框架的各個模塊做了介紹,以及舉例說明我們該
2023-10-18 03:27:48
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器(系統(tǒng)存儲器)中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)(USART、CAN、USB、I2C 等)將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:17
1437 摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06
490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類,前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02
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Flash存儲器是一種非易失性存儲器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:28
2617 存儲器是計算機中的重要組成部分,用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同,存儲器可以分為隨機存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:27
2101 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點,提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題,該存儲器的檢測方法如下:選通字線,通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24
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本文檔介紹了通過低功耗藍牙連接在 STM32WB 設(shè)備上進行 OTA 固件更新的過程。它講解如何使用 STM32Cube 固件包中提供的 OTA 應(yīng)用程序,實現(xiàn)用戶應(yīng)用程序、無線固件和固件升級服務(wù)的更新
2023-09-05 06:06:05
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù),每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù),因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20
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啟動您的智能設(shè)備,通過低功耗藍牙微控制器連接你的生活需求
2023-08-10 11:01:50
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富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT,是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中,隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展,客
2023-08-04 11:55:04
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AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器(SMC)是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備,由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊,連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態(tài)存儲器控制器(SMC)是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備,由ARM開發(fā)、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個AMBA從模塊,連接到高級系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器(SMC)。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
1、如何降低功耗? 一般的簡單應(yīng)用中處理器大量的時間都在處理空閑任務(wù),所以我們就可以考慮當(dāng)處理器處理空閑任務(wù)的時候就進入低功耗模式,當(dāng)需要處理應(yīng)用層代碼的時候就將處理器從低功耗模式喚醒
2023-07-30 11:18:36
628 何謂半導(dǎo)體存儲器? 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:13
1098 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒有寫等待時間等優(yōu)勢,能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長,芯片的擦寫次數(shù)為100萬次,比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03
382 8 存儲器 8.5 外部存儲器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個內(nèi)置的SDRAM控制器,可通過該控制器使用最高達128MB的外部SDRAM。八個可編程
2023-06-28 12:10:02
348 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28
873 Card外部存儲器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式,使其能夠滿足各種低功耗應(yīng)用的要求,其內(nèi)部框架圖如下: LTM32F103ZET6芯片主要特性: ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核 512KB閃存、64KB SRAM高
2023-06-26 14:12:19
793 
半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會丟失,主要有
2023-06-25 14:30:18
1959 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在,不會丟失,因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器,當(dāng)斷電時,其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:44
2014 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25
391 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17
作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點,雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52
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主存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定)
* **實際存儲容量:** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度:** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間,也稱為讀寫周期;
2023-05-26 11:28:10
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。存儲密度分為道密度、位密度和面密度。
數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲器在單位時間內(nèi)向主機傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:06
1409 MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15
395 我采用超低功耗、基于電池、低成本、實時觸發(fā)傳感器來監(jiān)控門和運動或使它們充當(dāng)墻壁開關(guān)。你可以在視頻中看到他們的動作!
它在待機時使用微安,觸發(fā)時間為 240 毫秒。
使用 ESP8266、Attiny 和
設(shè)計。
2023-05-22 09:10:05
上的電荷來存儲信息,一旦掉電信息會全部的丟失,由于柵極會漏電,所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構(gòu)給這些柵電容補充電荷,并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷,這個就叫動態(tài)刷新,所以稱其為動態(tài)隨機存儲器
2023-05-19 15:59:37
主要集中在功耗上。我在我們的項目中使用 ESP8266 和 RTC 來實現(xiàn)低功耗我試圖讓 esp 進入深度睡眠更多小時(8 小時,6 小時),但它沒有正確重置。我懷疑 esp 是否會進入深度睡眠幾個
2023-05-19 09:54:11
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM(可編程只讀存儲器),以及與之密切相關(guān)的EPROM(可擦寫可編程只讀存儲器)。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實驗室提出,并于1971年由英特爾進一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57
408 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
如果這些是基本問題或措辭不當(dāng)?shù)膯栴},請原諒我,因為我對這類微控制器編程項目還是陌生的。中演示項目中給出的 lpm 庫來降低 iMXRT1062 處理器的功耗 。我能夠讓設(shè)備進入低功耗運行狀態(tài),但我
2023-04-23 06:03:57
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
。關(guān)于DMA存儲器到外設(shè)傳輸方式,程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH中,然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器,然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機顯示出來。
2023-04-20 16:35:13
基本上,我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1)是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考?像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時器,非易失性事件計數(shù)器,可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:43
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我正在嘗試為#QN9090 開發(fā)設(shè)置一個帶有#JN5189 模塊的#OM15076-3 載板。不幸的是,使用低功耗喚醒定時器(基于掉電示例)我不知道如何通過由 Pin INT 觸發(fā)的軟件控制
2023-03-27 07:08:16
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器,是一種非易失性存儲器,具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:35
1054 低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:48:39
低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:02:02
低功耗原邊反饋控制芯片
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低功耗原邊反饋控制芯片
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低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59
低功耗原邊反饋控制芯片
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低功耗原邊反饋控制芯片
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低功耗原邊反饋控制芯片
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低功耗原邊反饋控制芯片
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低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59
低功耗原邊反饋控制芯片
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低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58
低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58
低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58
低功耗模式介紹 默認(rèn)情況下,微控制器在系統(tǒng)或電源復(fù)位后處于運行模式。當(dāng) CPU 不需要保持運行時,例如等待外部事件時,可以使用多種低功耗模式來節(jié)省電量。超低功耗 STM32L476xx 支持七種
2023-03-23 14:30:25
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