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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Ramtron通過低功耗非易失性存儲器來控制時間

Ramtron通過低功耗非易失性存儲器來控制時間

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鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用

作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點,雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134

SOC設(shè)計之外部存儲器

存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) * **存儲容量** 存儲器可以容納的二進制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定) * **實際存儲容量:** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間,也稱為讀寫周期;
2023-05-26 11:28:10822

什么是外部存儲器

存儲密度分為道密度、位密度和面密度。 數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲器在單位時間內(nèi)向主機傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:061409

適合用于多功能打印機存儲芯片S3A1604

MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395

如何使用ESP8266和ESPNOW的超低功耗觸發(fā)傳感?

我采用超低功耗、基于電池、低成本、實時觸發(fā)傳感監(jiān)控門和運動或使它們充當(dāng)墻壁開關(guān)。你可以在視頻中看到他們的動作! 它在待機時使用微安,觸發(fā)時間為 240 毫秒。 使用 ESP8266、Attiny 和 設(shè)計。
2023-05-22 09:10:05

單板硬件設(shè)計:存儲器( NAND FLASH)

上的電荷存儲信息,一旦掉電信息會全部的丟失,由于柵極會漏電,所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構(gòu)給這些柵電容補充電荷,并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷,這個就叫動態(tài)刷新,所以稱其為動態(tài)隨機存儲器
2023-05-19 15:59:37

如何使用ESP8266和RTC實現(xiàn)低功耗

主要集中在功耗上。我在我們的項目中使用 ESP8266 和 RTC 實現(xiàn)低功耗我試圖讓 esp 進入深度睡眠更多小時(8 小時,6 小時),但它沒有正確重置。我懷疑 esp 是否會進入深度睡眠幾個
2023-05-19 09:54:11

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

存儲器的創(chuàng)新和發(fā)展歷程介紹

首個非易失性存儲器是PROM(可編程只讀存儲器),以及與之密切相關(guān)的EPROM(可擦寫可編程只讀存儲器)。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實驗室提出,并于1971年由英特爾進一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408

如何為RT1172選擇FLASH存儲器

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

IMXRT1062處理中的低功耗狀態(tài),如何讓它在接收到外部信號后返回到全運行狀態(tài)?

如果這些是基本問題或措辭不當(dāng)?shù)膯栴},請原諒我,因為我對這類微控制器編程項目還是陌生的。中演示項目中給出的 lpm 庫降低 iMXRT1062 處理功耗 。我能夠讓設(shè)備進入低功耗運行狀態(tài),但我
2023-04-23 06:03:57

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲器存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲器存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲器到外設(shè))

。關(guān)于DMA存儲器到外設(shè)傳輸方式,程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH中,然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存,然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機顯示出來。
2023-04-20 16:35:13

求分享i.mx RT1170中MX25L4006EM2R-12G非易失性存儲器接口的示例代碼

基本上,我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1)是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考?像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

存儲設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時,非易失性事件計數(shù),可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

是否可以將FLASH用作輔助存儲器?

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器存儲介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

如何通過PINT禁用低功耗喚醒定時

我正在嘗試為#QN9090 開發(fā)設(shè)置一個帶有#JN5189 模塊的#OM15076-3 載板。不幸的是,使用低功耗喚醒定時(基于掉電示例)我不知道如何通過由 Pin INT 觸發(fā)的軟件控制
2023-03-27 07:08:16

分享一種ReRAM在助聽器中的成功案例

ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器,是一種非易失性存儲器,具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054

LP3716

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:48:39

S9111A

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:02:02

S9111C

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:02:02

S9111CA

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:02:02

LP3773CA

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3773CN

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3773D

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783A

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783AM

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783B

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3783BM

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:59

LP3716CS

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58

LP3773A

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58

LP3773B

低功耗原邊反饋控制芯片
2023-03-24 14:01:58

PWR低功耗模式介紹

低功耗模式介紹 默認(rèn)情況下,微控制器在系統(tǒng)或電源復(fù)位后處于運行模式。當(dāng) CPU 不需要保持運行時,例如等待外部事件時,可以使用多種低功耗模式來節(jié)省電量。超低功耗 STM32L476xx 支持七種
2023-03-23 14:30:25853

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