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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>英研發(fā)新型存儲器 速度比閃存快百倍

英研發(fā)新型存儲器 速度比閃存快百倍

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基于Verilog HDL語言與雙體存儲器的交替讀寫機制實現(xiàn)32X8 FIFO設(shè)計

本32X8 FIFO的設(shè)計,采用了雙體存儲器的交替讀寫機制,使得在對其中一個存儲器寫操作的同時可以對另一個存儲器進行讀操作;對其中一個存儲器讀操作的同時可以對另一個存儲器進行寫操作。實現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)緩沖,速度單體存儲器的FIFO提高了一。
2018-12-30 10:29:004312

XJTAG集成XJFlash特性 使閃存編程速度快50

此前,XJTAG 推出了一類集成型XJFlash特性,使閃存編程速度快50。 XJFlash 讓工程師自動生成定制的編程解決方案,克服采用邊界掃描對與FPGA連接的閃內(nèi)存進行編程時的速度
2018-09-20 07:28:003298

新型存儲器結(jié)合了SRAM的速度和Flash的優(yōu)勢,看看未來有哪些存儲器興起

多年來,該行業(yè)一直致力于各種存儲技術(shù)的研究,包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出,有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲器都對應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域,但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統(tǒng)型存儲。
2018-09-05 15:51:1210175

區(qū)塊鏈技術(shù)的出現(xiàn)為游戲市場帶來了增長十百倍的可能性

在區(qū)塊鏈游戲分發(fā)平臺BlockGame看來,目前游戲行業(yè)正處于瓶頸期,區(qū)塊鏈技術(shù)的出現(xiàn)為游戲市場帶來了增長十百倍的可能性。
2018-10-09 11:35:20991

中芯國際出樣40nm ReRAM存儲芯片NAND一千

出樣40nm ReRAM存儲芯片,更先進的28nm工藝版很快也會到來,這種新型存儲芯片NAND閃存一千,耐用一千。
2018-11-01 16:07:163536

新型存儲器技術(shù)有哪些 新型存儲器能解決哪些問題

盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來,但在這競爭激烈的市場,只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而,無論哪一個技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902

阿里云圖像識別速度創(chuàng)紀錄,AWS2.36,谷歌5.28

阿里云圖像識別速度創(chuàng)紀錄,AWS2.36,谷歌5.28 12月25日,斯坦福大學(xué)發(fā)布了最新的DAWNBench深度學(xué)習(xí)推理榜單,阿里云獲得了圖像識別性能及成本雙料冠軍,打破了亞馬遜保持
2018-12-27 12:51:01375

Everspin提供256Mb MRAM樣品,寫入速度NAND閃存

和RAM一樣的永久存儲被廣泛認為會使服務(wù)存儲行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期,而這個改變?nèi)缃耠S著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。
2019-03-16 10:34:081351

NAND客戶備貨意愿提升 存儲器價格預(yù)估持續(xù)跌至年底

存儲器市況不明,針對存儲器價格波動趨勢,存儲器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示,預(yù)估閃存儲器(NAND Flash)價格已近谷底,下半年若再跌,幅度大約在低個位數(shù)百分比;而動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802

新型存儲器有望取代動態(tài)隨機存取存儲器閃存驅(qū)動

業(yè)界普遍認為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價值,但要挖掘數(shù)據(jù)的價值除了需要很強的計算能力之外,數(shù)據(jù)的存儲也非常關(guān)鍵。目前,新型存儲器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個方向,蘭開斯特大學(xué)(Lancaster University)的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點。
2019-06-25 09:16:233652

什么樣的幣可能是百倍

百倍幣顧名思義就是幣價會從最初的募資階段到某個時點上漲百倍,而幣價要上漲百倍也就意味著市值大概也要上漲百倍
2019-07-18 14:41:426050

簡述閃存儲器家族的性能和應(yīng)用

的次數(shù)NOR Flash要少,但是可以通過軟件控制存儲位置,利用其更高存儲密度的特點,讓每個位置被寫的次數(shù)控制得均勻一些,這對延長存儲器壽命具有重要作用。
2019-08-30 09:04:494797

AI醫(yī)療心血管的攻克將使醫(yī)療手段提速百倍

馬云親自推進的人工智能項目有了重大突破。據(jù)介紹,該項目用于攻克心血管,之傳統(tǒng)醫(yī)療手段能提速百倍
2019-08-19 09:11:012074

閃存儲器和其它可編程元件的區(qū)別

閃存儲器的編程時間有時會很長(對于大的存儲器存儲器組可達1分鐘)。因此,此時不容許有其它元件的逆驅(qū)動,否則閃存儲器可能會受到損害。
2019-09-13 12:44:001166

SSD容量滿了之后為什么存儲速度會下降

區(qū)別于機械硬盤,SSD依靠電信號傳輸,主控能在極短的時間內(nèi)存取在不同閃存顆粒上的多個數(shù)據(jù),所以要比機械硬盤的讀寫速度快上幾百倍甚至更高。
2019-11-30 11:19:031962

閃存存儲器你了解多少

人們需要了解閃存存儲器和固態(tài)硬盤(SSD)正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因,因為這些超級快速存儲的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲層。
2019-12-05 09:38:453512

新納米級設(shè)備晶體管運行速度快

EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種當(dāng)今最快的晶體管運行速度快的器件。新設(shè)備的運行速度目前計算機中的晶體管100左右。他們發(fā)明的納米級設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:202865

新型納米器材誕生,晶體管運行速度快100

EPFL研究員開發(fā)出了一種現(xiàn)今最快的晶體管運行速度快器件,并且新設(shè)備在運行速度上也當(dāng)前計算機中的晶體管100左右。
2020-04-02 11:55:352769

通過激光傳輸信息的速度將是傳統(tǒng)光纜的數(shù)百倍

國外科學(xué)家稱,在取得重大突破后,激光傳輸數(shù)據(jù)的速度將比目前的互聯(lián)網(wǎng)電纜1000。
2020-04-02 16:46:354115

新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:573524

閃存存儲器為什么是最快捷的長期存儲器?

因此“內(nèi)部取記憶體”應(yīng)運而生,也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器,但也是最貴的,也占用了動態(tài)隨機存取儲存多三的空間。
2020-06-24 15:45:583508

NAND Flash閃存儲器供應(yīng)仍有缺口,多廠商擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能

在市場NAND Flash閃存儲器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲器大廠美光(Micron)也宣布擴產(chǎn),以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016

集成鐵電存儲器MCU為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供了出色的性能

集成鐵電存儲器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度基于閃存和EEPROM的MCU100,功耗降低250。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2020-11-17 16:33:39982

Cloudam云端如何助力企業(yè)實現(xiàn)計算效率數(shù)百倍的提升

近日,Cloudam云端與國內(nèi)某知名藥企與合作,通過接入Cloudam云端自主研發(fā)的云E云超算服務(wù),計算效率提高的數(shù)百倍。這也是云算力在生命科學(xué)領(lǐng)域的又一次成功應(yīng)用。Cloudam云端云E云超算服務(wù)是如何幫助該藥企實現(xiàn)計算效率數(shù)百倍的提升呢?
2021-03-17 10:53:09547

鐵電存儲器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091676

集成鐵電存儲器MCU為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供出色性能

集成鐵電存儲器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度基于閃存和EEPROM的MCU100,功耗降低250。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-05 17:35:5918

鐵電存儲器常見問題解決方案

FRAM(鐵電RAM)是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如 EEPROM、閃存)相比,鐵電存儲器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低
2021-11-11 16:24:092080

存儲器結(jié)構(gòu)分類介紹

根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲器(MASK ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、閃存儲器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215447

全球最低功耗相變存儲器主流產(chǎn)品低1000

。 據(jù)了解,在新型存儲器中,相變存儲器(PCM)是與CMOS工藝最兼容,技術(shù)最成熟的存儲技術(shù)。 2015年,Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片,速度和壽命固態(tài)閃存硬盤要快一千,其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十。 然而,由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047

淺談MCU中集成新型存儲器的選擇

基于上述因素,越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器,比如相變存儲器(PCM)、磁RAM(MRAM)和阻變存儲器(RRAM)等,當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421

鐵電存儲器的優(yōu)勢和發(fā)展趨勢分析

兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定,但速度不是特別。鐵電存儲器介于兩者之間,并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:464760

dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度sram

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當(dāng)斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225

什么存儲器速度最快

在計算機系統(tǒng)中,寄存(Register)通常是速度最快的存儲器。寄存是位于中央處理(CPU)內(nèi)部的小型、高速存儲器,用于存儲指令、數(shù)據(jù)和地址等臨時信息。
2024-02-05 09:43:598089

NAND存儲種類和優(yōu)勢

非易失性存儲器芯片又可分為閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:152048

高速緩沖存儲器有什么作用

高速緩沖存儲器(Cache),通常簡稱為緩存,是一種具有高速存取能力的存儲器。其原始意義是指存取速度一般隨機存取存儲器(RAM)更快的一種RAM。高速緩沖存儲器一般采用靜態(tài)隨機存儲器(SRAM
2024-09-10 14:09:284405

存儲器中訪問速度最快的是什么

在探討存儲器中訪問速度最快的是哪一種時,我們首先需要了解計算機存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)以及各類存儲器的特性和功能。計算機存儲系統(tǒng)通常包括多個層次的存儲器,從速度最快、容量最小的寄存開始,到速度較慢、容量較大的外存儲器結(jié)束。這些存儲器在訪問速度、容量、價格等方面各有優(yōu)劣,共同構(gòu)成了計算機的存儲體系。
2024-10-12 17:01:055359

內(nèi)存儲器的特點是速度快成本低容量小對嗎

內(nèi)存儲器,通常指的是計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲器(RAM),是計算機硬件的重要組成部分。它負責(zé)存儲計算機運行時的數(shù)據(jù)和程序,以便處理快速訪問。內(nèi)存儲器的特點包括速度快、容量相對較小,但成本并不是
2024-10-14 10:05:472280

EMMC存儲器應(yīng)用場景分析

EMMC存儲器概述 EMMC存儲器是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲卡,它集成了閃存芯片和控制,提供了一種即插即用的存儲解決方案。與傳統(tǒng)的NAND閃存相比,EMMC具有更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更高
2024-12-25 09:26:254058

閃速存儲器的閃速是指什么,閃速存儲器速度內(nèi)存

存儲器則通過引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器,實現(xiàn)了對所有存儲單元的同時、快速擦除。這種高效的擦除速度,使得閃速存儲器在數(shù)據(jù)更新和維護方面具有顯著優(yōu)勢,因此被形象地稱為“閃速”。
2025-01-29 15:14:001379

突破瓶頸!中國成功研制新型芯片 求解大規(guī)模MIMO信號檢測時效能提升超百倍

我國新型芯片的研發(fā)正加速突破,日前;北京大學(xué)人工智能研究院傳來好消息,突破瓶頸!中國成功研制新型芯片 ;在求解大規(guī)模MIMO信號檢測時效能提升超百倍。 據(jù)悉,該突破性成果由北京大學(xué)人工智能研究院孫仲
2025-10-23 16:05:402707

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