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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體資訊

2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購(gòu)案有哪些？

2023年，半導(dǎo)體市場(chǎng)的逆風(fēng)周期仍未過(guò)去，企業(yè)收并購(gòu)的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開(kāi)的信息，《中國(guó)電子報(bào)》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際收并購(gòu)案例，發(fā)現(xiàn)20...

2023-12-19 標(biāo)簽：英飛凌 eda 氮化鎵 1988 0

淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個(gè)基礎(chǔ)問(wèn)題

功率電子材料和器件研發(fā)基本與國(guó)際同步，GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域，更全電壓等級(jí)，從當(dāng)前100V/650V拓展到30V~1200V，可靠性升級(jí)實(shí)現(xiàn)從...

2023-12-05 標(biāo)簽：led 功率器件 GaN 1214 0

英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開(kāi)展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問(wèn)題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1144 0

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、...

2023-10-27 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 2803 0

馬斯克的攪局碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

從去年至今，我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來(lái)越成熟。

2023-10-25 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵碳化硅 440 0

美國(guó)國(guó)防部為北卡羅來(lái)納州微電子共享區(qū)域創(chuàng)新中心CLAWS撥款3940萬(wàn)美元

《半導(dǎo)體芯科技》編譯來(lái)源：Semiconductor Today 北卡羅來(lái)納州立大學(xué)作為寬禁帶半導(dǎo)體區(qū)域創(chuàng)新中心的領(lǐng)導(dǎo)者，獲得美國(guó)國(guó)防部3940萬(wàn)美元...

2023-10-09 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 964 0

8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)小批量銷售

前來(lái)看，在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸，但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮，8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的...

2023-09-12 標(biāo)簽：英飛凌晶圓碳化硅 450 0

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析

氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽：氮化鎵氮化鎵電源 GaN 2570 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

8月29日-31日，上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱PCIM Asia）在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì)，本屆...

2023-09-02 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓逆變器 1569 0

寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越！

國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè)，到2027年，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約63億美元，其中新能源汽車(chē)碳化硅市場(chǎng)空間有望達(dá)到近50億美元，占比...

2023-05-30 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)寬禁帶寬禁帶半導(dǎo)體 1160 0

日企市場(chǎng)份額占比超9成，國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...

2023-03-27 標(biāo)簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3837 0

西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進(jìn)展

氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率器件硅片外延片 766 0

淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)

氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。

2023-02-14 標(biāo)簽：氮化鎵發(fā)光器件功率晶體管 826 0

簡(jiǎn)述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 1

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 801 0

寬禁帶半導(dǎo)體可以改進(jìn)可再生能源設(shè)計(jì)嗎

隨著全球?qū)δ茉瓷a(chǎn)與消費(fèi)問(wèn)題愈發(fā)重視，可再生能源解決方案已成為大家關(guān)注的焦點(diǎn)。更加頻繁的極端天氣事件等與氣候變化相關(guān)的挑戰(zhàn)迫使整個(gè)社會(huì)不得不重新思考其與...

2023-02-02 標(biāo)簽：IGBT 可再生能源寬禁帶半導(dǎo)體 250 0

安集科技攜"芯"而來(lái)，亮相IC China 2022

革新技術(shù)，共同推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上海2022年11月18日 /美通社/ -- 為了進(jìn)一步加強(qiáng)全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈交流與合作，展示集成電路產(chǎn)業(yè)最新...

2022-11-21 標(biāo)簽：芯片集成電路 AI芯片 835 0

對(duì)話|成本下降對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用多重要？

隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。編者按：近年來(lái)，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高...

2022-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 1275 0

寬禁帶半導(dǎo)體廠商派恩杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022

2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)?暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)（CPEECCPSSC 2022）2022年11月4-7日? 廣州白金合作...

2022-10-24 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅能量轉(zhuǎn)換 1548 0

寬禁帶半導(dǎo)體的潛力

追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心，而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而，今天，...

2022-08-08 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1531 0

寬禁帶半導(dǎo)體前景樂(lè)觀

對(duì)電子設(shè)備的需求激增正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域的增長(zhǎng)。制造商通過(guò)使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來(lái)尋求競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這一趨勢(shì)的受益者是寬帶隙（WBG...

2022-08-05 標(biāo)簽：電平轉(zhuǎn)換器 GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 1937 0

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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周?chē)l(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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