氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。本文聚焦于 Ga2O3射頻器件
2025-06-11 14:30:06
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重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義介紹，目前實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，主要應(yīng)用在汽車電子、消費(fèi)電源、數(shù)據(jù)中心等方面。電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項(xiàng)目已經(jīng)到了試驗(yàn)性應(yīng)用階段，未來(lái)有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。
2020-11-18 09:59:155811 12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340 的12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借直徑的大幅增加，在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的芯片數(shù)量顯著提升分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37813 本帖最后由 藍(lán)伽然 于 2012-3-3 14:54 編輯
WiFi北京郵電大學(xué)課件
2012-03-03 09:28:48
項(xiàng)目名稱：智能硬件課程體系試用計(jì)劃：我是指導(dǎo)教師，西安郵電大學(xué)硬件科技協(xié)會(huì)有數(shù)十位優(yōu)秀學(xué)生，前期參與龍芯杯fpga設(shè)計(jì)大賽，挑戰(zhàn)杯，電子設(shè)計(jì)大賽等，目前計(jì)劃講授鴻蒙軟硬件體系架構(gòu)，請(qǐng)予以考慮
2020-09-25 10:06:21
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
`本公司可長(zhǎng)期銷售8寸，12寸拋光片。8inch1.晶向(100);2.P型；3.電阻＞1Ω；4.Notch(011);5.Thickness(725±25μｍ)；6.Bare/Etched;聯(lián)系人：傅(137-3532-3169)`
2020-01-18 16:46:13
小組3~4名要求：熟悉DSP, FPGA等開發(fā)，實(shí)現(xiàn)模擬系統(tǒng)到數(shù)字系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換工作等工作時(shí)間：7月15日~8月20日工作地點(diǎn)：南京郵電大學(xué) 新模范馬路66號(hào) 科研樓待遇：1000~4000元，依據(jù)科研
2012-07-04 14:17:07
內(nèi)的波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長(zhǎng)范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
11月19日，“開放原子校源行”走進(jìn)北京郵電大學(xué)活動(dòng)成功召開。本次活動(dòng)由開放原子開源基金會(huì)聯(lián)合CCF開源發(fā)展委員會(huì)共同舉辦，并且得到北京郵電大學(xué)的大力支持?；顒?dòng)匯聚了來(lái)自開源社區(qū)和開源項(xiàng)目的專家
2022-12-08 12:08:07
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
我是西安郵電大學(xué)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)的16級(jí)的學(xué)生，目前大三，目前已經(jīng)學(xué)過(guò)電路基礎(chǔ)，模擬電路，數(shù)字電路，信號(hào)與系統(tǒng)，通信原理，電磁場(chǎng)與電磁波，verilog HDL等一些相關(guān)的專業(yè)課程。再過(guò)
2018-11-05 17:46:48
信號(hào)與系統(tǒng)電子教案 (北京郵電大學(xué)):§1.1 信號(hào)與系統(tǒng)§1.2 信號(hào)的描述和分類§1.3 信號(hào)的運(yùn)算§1.4 階躍信號(hào)和沖激信號(hào)§1.5 信號(hào)的分解§1.6 系統(tǒng)模型及其劃分類§1.
2009-09-03 11:48:04
0 北京大學(xué)在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,該文章報(bào)道了彭練矛教授研究團(tuán)隊(duì)在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得的重要進(jìn)展?；瘜W(xué)與分子工程學(xué)院李彥教授和美國(guó)杜克大學(xué)劉杰教授為該
2012-02-22 09:34:072330 
濟(jì)寧高新區(qū)聯(lián)電科技園核心企業(yè)冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產(chǎn)出第一爐。此次研制成功的4寸外延片，每片產(chǎn)出的芯片數(shù)量約為2寸工藝的4倍。
2012-11-26 09:25:461477 2013年9月 － 美國(guó)國(guó)家儀器有限公司（National Instruments， 以下簡(jiǎn)稱 NI）與北京郵電大學(xué)（以下簡(jiǎn)稱“北郵”）信息與通信工程學(xué)院合作建立的“信息與通信工程聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)基地
2013-09-27 17:31:351207 
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