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標(biāo)簽 > 寬禁帶半導(dǎo)體
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三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨(dú)家銷售協(xié)議,加速寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)拓展
據(jù)了解,三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司,2013年,三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。
2024-01-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 913 0
電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車的制造商正在為多個(gè)動(dòng)力總成階段尋找高效的功率轉(zhuǎn)換解決方案。寬帶隙半導(dǎo)體,如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN),在幾個(gè)方面...
2022-08-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體汽車 888 0
助攻電源創(chuàng)新設(shè)計(jì),泰克第二個(gè)電源主題實(shí)驗(yàn)室上線
泰克科技密切跟蹤最新技術(shù)的進(jìn)展,為工程師們提供卓越的測(cè)試解決方案。
致工程師系列之四:寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證
第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn),推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換,...
2020-10-30 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 842 0
安集科技攜"芯"而來,亮相IC China 2022
革新技術(shù),共同推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 上海2022年11月18日 /美通社/ -- 為了進(jìn)一步加強(qiáng)全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈交流與合作,展示集成電路產(chǎn)業(yè)最新...
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。
西安電子科技大學(xué)馬曉華團(tuán)隊(duì):蹚出寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新之路
來源:西安電子科技大學(xué) 6月24日,2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)在京揭曉,共評(píng)選出250個(gè)項(xiàng)目和12名科技專家。其中,國家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)2人,國家自然科學(xué)...
2024-07-02 標(biāo)簽:寬禁帶半導(dǎo)體 820 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 808 0
西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進(jìn)展
氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性,在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。
碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產(chǎn)品向下滲透?!艾F(xiàn)在售價(jià)為20萬元以上的800V電動(dòng)汽車,碳化硅功率器件滲透率約為一半,可以全驅(qū)配置,或只配置主驅(qū)。
2024-04-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng) 680 0
注冊(cè)開放,搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發(fā)
當(dāng)今,氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn),而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求,并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳...
2024-06-18 標(biāo)簽:英飛凌能源寬禁帶半導(dǎo)體 564 0
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個(gè)必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...
2025-03-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 477 0
前來看,在未來一段時(shí)間內(nèi),6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸,但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮,8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的...
克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來電力電子應(yīng)用
幾十年來,硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限...
是德科技在寬禁帶半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)測(cè)試而且無需焊接或探針
?無需焊接或探針,即可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測(cè)試 ?寄生功率回路電感小于10n...
2025-03-14 標(biāo)簽:動(dòng)態(tài)測(cè)試是德科技寬禁帶半導(dǎo)體 390 0
薛其坤院士領(lǐng)銜團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)高溫超導(dǎo)領(lǐng)域重大新突破
【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月18日,南方科技大學(xué)舉行的高溫超導(dǎo)研究重大成果發(fā)布會(huì)上,由國家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)獲得者薛其坤院士領(lǐng)銜的南方科技大學(xué)、粵港澳大灣區(qū)量子...
2025-02-19 標(biāo)簽:高溫超導(dǎo)寬禁帶半導(dǎo)體 336 0
寬禁帶半導(dǎo)體可以改進(jìn)可再生能源設(shè)計(jì)嗎
隨著全球?qū)δ茉瓷a(chǎn)與消費(fèi)問題愈發(fā)重視,可再生能源解決方案已成為大家關(guān)注的焦點(diǎn)。更加頻繁的極端天氣事件等與氣候變化相關(guān)的挑戰(zhàn)迫使整個(gè)社會(huì)不得不重新思考其與...
2023-02-02 標(biāo)簽:IGBT可再生能源寬禁帶半導(dǎo)體 251 0
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