運放OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題

這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題。有時候我們發(fā)現(xiàn)stb分析（β=1）的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大，且兩者的零極點位置...

2023-07-14 標(biāo)簽：放大電路運放小信號 1021 0

求一種2MHz低通濾波器行為級設(shè)計方案

截止頻率：2MHz；過渡帶寬度：小于1MHz；阻帶衰減：大于30dB；通帶紋波：小于1dB

2023-10-25 標(biāo)簽：低通濾波器晶體管寄生電容 976 0

提升PCB板Layout質(zhì)量的6個細(xì)節(jié)

現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。

2023-06-12 標(biāo)簽：PCB板Layout寄生電容 881 0

pcb多層過孔實現(xiàn)方法有哪些

過孔存在寄生電容的同時也存在著寄生電感，在高速數(shù)字電路的設(shè)計中，過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會削弱旁路電容的貢獻(xiàn)，減...

2023-07-31 標(biāo)簽：pcb線路板寄生電容 871 0

關(guān)于光纖通信的ESD保護(hù)

通過先進(jìn)封裝技術(shù)，比如2.5D(electronic interposer)和3D(flip-chip)集成，可以把光電器件封裝在一個IC中使用?；旌霞?..

2024-01-08 標(biāo)簽：服務(wù)器光纖通信數(shù)據(jù)中心 846 0

求一種4.2中低速MIPI接口靜電保護(hù)方案

MIPI提供中低速接口保護(hù)方案（10M-1Gbps）的傳輸速度，本方案采用集成器件防護(hù),寄生電容<1pf, 保證信號完整性，滿足IEC61000-...

2024-04-09 標(biāo)簽：信號完整性寄生電容靜電保護(hù) 807 0

硬件設(shè)計基礎(chǔ)60條

另外， 在技術(shù)文章中還有兩種與“半節(jié)距”意義相近的表達(dá)方式，就是“線寬”、“線距”和“特征尺寸”，如果線寬等于線距，則半節(jié)距就等于線寬、線距，它們不過是...

2023-05-22 標(biāo)簽：線圈寄生電容硬件設(shè)計 792 0

如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)...

2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET變換器寄生電容 789 0

求一種CAN FD總線端口靜電浪涌保護(hù)解決方案

CAN FD協(xié)議是CAN-BUS協(xié)議的最新升級，其將CAN的每幀8字節(jié)數(shù)據(jù)提高到64字節(jié)，波特率從最高的1Mbps提高到8Mbps~15Mbps，使得通...

2023-09-06 標(biāo)簽：收發(fā)器CAN總線TVS二極管 777 0

MOSFET技術(shù)學(xué)習(xí)筆記

　　雙極晶體管和 MOSFET 晶體管的工作原理相同。從根本上說，這兩種晶體管都是電荷控制器件，這就意味著它們的輸出電流與控制電極在半導(dǎo)體中形成的電荷成...

2023-02-03 標(biāo)簽：二極管MOSFET晶體管 759 0

PCB生產(chǎn)中的過孔和背鉆有些什么樣的技術(shù)？

高速PCB多層板中，信號從某層互連線傳輸?shù)搅硪粚踊ミB線就需要通過過孔來實現(xiàn)連接，在頻率低于1GHz時，過孔能起到一個很好的連接作用，其寄生電容、電感可以忽略。

2023-12-29 標(biāo)簽：寄生電容過孔高速PCB 748 0

高頻PCB的過孔該怎么做？

過孔是多層PCB 的重要組成部分之一，鉆孔的費用通常占PCB 制板費用的30%到40%。簡單的說來，PCB 上的每一個孔都可以稱之為過孔。

2023-10-08 標(biāo)簽：pcbPCB設(shè)計寄生電容 747 0

總結(jié)：硬件設(shè)計基礎(chǔ)60條！

磁珠由導(dǎo)線穿過鐵氧體組成，直流電阻很小，在低頻時阻抗也很小，對直流信號幾乎沒有影響。在高頻（幾十兆赫茲以上）時磁珠阻抗比較大，高頻電磁場在鐵氧體材料上產(chǎn)...

2023-06-19 標(biāo)簽：pcb寄生電容硬件設(shè)計 742 0

電源會產(chǎn)生EMI根源是什么？

有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設(shè)計周期以及嚴(yán)格的電磁干擾（EMI）規(guī)范（例如CISPR 32和CISPR 25）這些限制因素，都導(dǎo)致獲得具有高效率和...

2023-06-29 標(biāo)簽：接收器emi電磁干擾 707 0

IGBT柵極驅(qū)動關(guān)鍵注意事項

為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時，會存在一個從雙極型晶體...

2024-04-09 標(biāo)簽：MOSFET晶體管寄生電容 674 0

你知道嗎？晶振為何不宜置于PCB邊緣？

從PCB布局可以看出，12MHz的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時，被測產(chǎn)品的高速器件與實驗室中參考地會形成一定的容性耦合...

2024-03-20 標(biāo)簽：pcbemi晶振 635 0