如何從SYZ參數(shù)提取電容C和電感L—雙端口

上期解釋了單端口計(jì)算S參數(shù)，然后后處理很容易提取L或C，已經(jīng)滿足基本需求。

2023-06-20 標(biāo)簽：電感器寄生電容SPICE仿真 8688 0

我常用的分析方法——輸入輸出阻抗，是怎么玩的？你會(huì)不？

?這篇文章并非是現(xiàn)在寫(xiě)的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享給兄弟們。 ? 輸入阻抗，輸出阻抗，這兩個(gè)參數(shù)似乎沒(méi)那么重要，但事實(shí)并非如此。下面...

2024-07-18 標(biāo)簽：芯片MOS管寄生電容 8507 0

RC Corner基礎(chǔ)知識(shí)詳細(xì)講解

90nm后更新的工藝，考慮到互連線coupling的影響，出現(xiàn)了RCworst, RCbest corner.

2023-06-11 標(biāo)簽：寄生電容耦合電容電容電阻 8201 0

采用初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓（PSR）技術(shù)的反激式電源實(shí)現(xiàn)方案

開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級(jí)寄生電容、電感。所謂諧振，即：在MOS管開(kāi)通、關(guān)斷切換的過(guò)程中，寄生電感將能量傳遞給寄生電容進(jìn)行充電，...

2021-05-31 標(biāo)簽：變壓器開(kāi)關(guān)電源寄生電容 7552 0

共模抑制比CMRR定義及其測(cè)試

在開(kāi)始討論運(yùn)放的共模抑制比CMRR之前，我們先了解一下運(yùn)放的共模輸入電壓和軌對(duì)軌運(yùn)放。

2023-11-02 標(biāo)簽：電源電壓共模抑制比寄生電容 7512 0

如何實(shí)施IGBT裝置的絕緣耐壓測(cè)試？

IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿足安全要求，這些設(shè)備在電氣設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。

2023-06-08 標(biāo)簽：整流二極管接觸器寄生電容 7440 0

什么是寄生效應(yīng)？寄生電容及版圖抗干擾設(shè)計(jì)

在非理想狀態(tài)下設(shè)計(jì)中不希望存在的，有物質(zhì)本身特性，或物質(zhì)與物質(zhì)間相互作用，在特定條件下所產(chǎn)生的新特性。

2024-03-04 標(biāo)簽：三極管電容器寄生電容 7436 0

典型二級(jí)運(yùn)放的穩(wěn)定性分析

　　手算法其實(shí)就是根據(jù)設(shè)計(jì)要求，把結(jié)構(gòu)定下來(lái)之后運(yùn)用運(yùn)放的一些基礎(chǔ)知識(shí)將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來(lái)的方法，這個(gè)方法不一定能設(shè)計(jì)出很完美的運(yùn)放，但是對(duì)...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOS管運(yùn)放寄生電容 7319 0

一個(gè)關(guān)于薄膜電容的問(wèn)題，條紋代表什么？

之前我提了一個(gè)關(guān)于薄膜電容的問(wèn)題，如下圖所示，電容一端的條紋代表什么？ 這些都是無(wú)極性電容，所以這個(gè)條紋不是極性標(biāo)記。一位讀者得回答正確，它代表電容卷繞...

2018-03-22 標(biāo)簽：Spice仿真器寄生電容薄膜電容 7148 0

最大限度降低寄生電容對(duì)放大器穩(wěn)定性影響的三種方案

由于高增益峰值及其他各種原因，電流反饋（CFB）放大器可能變的不穩(wěn)定，極端情況甚至進(jìn)入振蕩狀態(tài)。?放大器不穩(wěn)定的原因有兩個(gè)，反饋電阻值過(guò)低以及引入對(duì)地的...

2021-02-23 標(biāo)簽：放大器寄生電容 6815 0

什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN？其有何特點(diǎn)及應(yīng)用？

GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料。

2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 6797 0

MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)

本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管寄生電容CMOS集成電路 6675 0

如何解決壓敏電阻易老化的問(wèn)題呢？

壓敏電阻是典型的鉗位型過(guò)壓器件，在實(shí)際過(guò)壓防護(hù)中，利用壓敏電阻的非線性特性

2023-12-22 標(biāo)簽：MOV壓敏電阻寄生電容 6553 0

串并聯(lián)阻抗的等效互換

本期先補(bǔ)充學(xué)習(xí)一下本科課程中講到的串并聯(lián)阻抗的等效互換（雖然很簡(jiǎn)單，但重點(diǎn)是在工程中怎么用這個(gè)知識(shí)點(diǎn)），隨后以LC-tank PLL中的電容陣列為例

2023-10-30 標(biāo)簽：VCOLC振蕩器寄生電容 5971 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETSiC氮化鎵 5964 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 5874 0

5管運(yùn)放/電流鏡中的鏡像零點(diǎn)分析

單端輸出的5管運(yùn)放或者電流鏡存在一對(duì)高頻零極點(diǎn)對(duì)，本文試圖從多個(gè)角度推導(dǎo)、理解這個(gè)零點(diǎn)。

2023-10-12 標(biāo)簽：運(yùn)放電路電流鏡寄生電容 5870 0

什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？

DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；

2023-09-28 標(biāo)簽：晶體管寄生電容電源完整性 5817 0