什么是寄生電感？如何計(jì)算過(guò)孔的寄生電感？

在PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）設(shè)計(jì)中，過(guò)孔寄生電感是一個(gè)重要的考慮因素。當(dāng)電流通過(guò)PCB的過(guò)孔時(shí)，由于過(guò)孔的幾何形狀和布...

2024-03-15 標(biāo)簽：pcb過(guò)孔寄生電感 3.7k 0

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)呢？

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，...

2024-03-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車散熱器SiC 3.8k 1

PCB工作地與金屬外殼連接對(duì)ESD干擾影響的實(shí)例分析

圖中有兩條ESD共模干擾路徑，即圖中左邊ICM1所在路徑和右邊ICM2路徑。 很明顯，第二條干擾路徑才是ESD測(cè)試不通過(guò)的主要原因。

2024-03-05 標(biāo)簽：ESDpcb連接器 3.8k 0

如何從不同角度分析電容去耦原理

從儲(chǔ)能角度理解電容容易造成一種錯(cuò)覺(jué)，認(rèn)為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認(rèn)為儲(chǔ)能作用發(fā)生在低頻段，不容易向高頻擴(kuò)展。實(shí)際上，從儲(chǔ)能角度理解，可以解釋任何電...

2024-03-04 標(biāo)簽：電容電源系統(tǒng)寄生電感 960 1

IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類及其檢測(cè)方法

IGBT的過(guò)流保護(hù)電路可分為兩類：一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過(guò)載保護(hù)；另一類是高倍數(shù)（可達(dá)8-10倍）的短路保護(hù)。

2024-03-01 標(biāo)簽：過(guò)流保護(hù)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 5.9萬(wàn) 0

PCB設(shè)計(jì)中的串?dāng)_是什么意思？如何減少PCB設(shè)計(jì)中的串?dāng)_呢？

幾乎所有電子設(shè)備的制造過(guò)程都使用焊料，通過(guò)焊料將電子元器件與PCB連接起來(lái)。在以前，通常選用的都是有焊料，但是目前，最受歡迎的應(yīng)該是無(wú)鉛焊料。

2024-02-27 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)寄生電感電磁場(chǎng) 3k 0

詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。

2024-02-21 標(biāo)簽：MOS管寄生電容寄生電感 4.4k 0

樣板打回來(lái)了，但驅(qū)動(dòng)波形很糟糕。

原文來(lái)自：硬件筆記本 一、背景： 面臨著芯片的漲價(jià)和缺貨，芯片的替代選型和實(shí)驗(yàn)就成了一項(xiàng)必不可少的工作。正好有幾款可以替代公司的驅(qū)動(dòng)芯片。 可是，幾種芯...

2024-03-28 標(biāo)簽：芯片封裝驅(qū)動(dòng) 2.1k 0

一文詳解RCD緩沖電路的工作原理

電壓尖峰和振蕩是怎么來(lái)的？感性器件和容性器件共存于一個(gè)電路中，事實(shí)上，寄生電感和寄生電容是不可避免的，當(dāng)阻尼系數(shù)小于1時(shí)，則電路的電阻組件無(wú)法有效抑制電...

2024-01-18 標(biāo)簽：emismps寄生電容 1.1萬(wàn) 0

電容在PCB的EMC設(shè)計(jì)中的作用介紹

電容在PCB的EMC設(shè)計(jì)中是使用最為廣泛的器件。電容按功能的不同可以分為三種

2024-01-12 標(biāo)簽：濾波電容低通濾波器PCB設(shè)計(jì) 2.8k 0

XL7046電源管理芯片特性與應(yīng)用

系統(tǒng)在高壓熱插拔上電的過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生超大的浪涌電流，通過(guò)寄生電感產(chǎn)生尖峰電壓，此尖峰電壓很容易造成芯片過(guò)壓失效。在輸入端串聯(lián)功率電阻，可以抑制輸入端浪涌...

2024-01-08 標(biāo)簽：熱插拔電解電容寄生電感 2.3k 0

深入分析差分信號(hào)回流路徑

雖然差分信號(hào)兩根信號(hào)都是參考地平面的，地平面浮動(dòng)時(shí)，兩根信號(hào)同時(shí)浮動(dòng)（理想情況下），兩根信號(hào)之間的差值幾乎不變，而接收端是識(shí)別兩個(gè)信號(hào)之間的差值。

2024-01-06 標(biāo)簽：pcbemi寄生電感 2.4k 0

pcb關(guān)鍵信號(hào)怎么樣去布線

高速信號(hào)布線電路往往集成度較高，布線密度大，采用多層板既是布線所必須的，也是降低干擾的有效手段。合理選擇層數(shù)能大幅度降低印板尺寸，能充分利用中間層來(lái)設(shè)置...

2024-01-03 標(biāo)簽：模擬信號(hào)寄生電感高速信號(hào) 973 0

基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)

關(guān)鍵技術(shù)-SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路/電容器 通過(guò)SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過(guò)采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感

2024-01-02 標(biāo)簽：電容器逆變器SiC 589 0

Buck電源的SW振鈴產(chǎn)生原因是什么？如何抑制呢？

正好手上有一塊電源板，一時(shí)興起，點(diǎn)了下SW節(jié)點(diǎn)。如下圖所示，振鈴還是很明顯的，最高達(dá)到18.4V。

2023-12-28 標(biāo)簽：MOSDCM寄生電感 1.5萬(wàn) 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析（下）

高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-20 標(biāo)簽：MOSFET電磁干擾SiC 8.5k 2

如何理解IGBT的四種安全工作區(qū)（SOA）？

最近和一些EE工程師聊到IGBT的技術(shù)問(wèn)題，聊的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，他們最感興趣的問(wèn)題大多是關(guān)于功率器件極限能力的評(píng)估方法，因?yàn)檫@些問(wèn)題直接關(guān)系到了系統(tǒng)的可靠性。

2023-12-05 標(biāo)簽：IGBTSOA寄生電感 2.2萬(wàn) 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)波形分析

基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開(kāi)關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反...

2023-12-04 標(biāo)簽：二極管MOSFETBuck變換器 8.6k 0

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETVDMOSIGBT 4.6k 0

DC-DC轉(zhuǎn)換的PCB設(shè)計(jì)EMI布局方案

路徑電感是導(dǎo)電路徑（例如跡線/電線）的固有電感，取決于其物理尺寸和材料特性。在DC-DC 轉(zhuǎn)換器等高頻電路中，路徑電感會(huì)影響轉(zhuǎn)換器的效率和性能。

2023-11-15 標(biāo)簽：pcb轉(zhuǎn)換器emi 1.4k 0