基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)

關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器

通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感

審核編輯：黃飛

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電容器(106983) 電容器(106983)
逆變器(215245) 逆變器(215245)
SiC(68650) SiC(68650)
功率模塊(46728) 功率模塊(46728)
寄生電感(15048) 寄生電感(15048)

評(píng)論

安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用

牽引逆變器被稱為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”，為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前，很多純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)的引入，進(jìn)一步拓展了牽引逆變器效率與性能的邊界

2025-08-15 16:13:02

2412

全球最高水平！輸出功率密度高達(dá)60kW/L的SiC逆變器

　　日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L，這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。

2012-05-22 08:55:46

2907

PV逆變器應(yīng)用升溫，推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

　碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測器數(shù)量，已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。

2013-06-25 09:25:30

2024

SiC逆變器中基于MLCC的高效電容器解決方案

在設(shè)計(jì)寬帶隙子系統(tǒng)（例如SiC逆變器和LLC諧振轉(zhuǎn)換器）時(shí)，在一些應(yīng)用中，KEMET的I類MLCC，KC-LINK可以用作合適的高效電容器解決方案。在SiC逆變器中，DC-Link電容器需要

2021-03-30 11:03:02

4755

CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開發(fā) 高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設(shè)計(jì)提供完

2022-06-23 10:23:58

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SiC功率模塊和SiC MOSFET單管不同的散熱安裝形式

在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。

2022-06-29 11:30:50

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SiC功率器件和模塊！

在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。

2022-11-22 09:59:26

2551

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)

2023-01-07 10:24:37

2627

基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)方案

適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)

2024-01-26 10:25:44

853

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢？

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。

2024-03-13 10:34:03

3982

三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。

2025-09-23 09:26:33

2066

SiC GaN有什么功能？

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器

2019-07-31 06:16:52

SiC MOSFET：經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢？

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢

2021-03-10 08:26:03

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)其1

從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹

2018-11-30 11:31:17

SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2019-03-25 06:20:09

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進(jìn)行介紹?！钡妥柚怠笨梢詥渭兘忉尀闇p少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對大功率時(shí)，有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊

2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適

2019-07-23 04:20:21

高效的電動(dòng)車牽引逆變器設(shè)計(jì)

的GD3100和GD3160等柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了智能化并允許編程，不僅可以在惡劣的運(yùn)行條件下保護(hù)SiC或IGBT功率器件，還可以提高系統(tǒng)效率，縮短故障檢測/反應(yīng)時(shí)間。GD3160結(jié)構(gòu)框圖集成的高電壓

2022-09-20 08:00:00

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境

2025-03-17 09:59:21

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology

2023-03-29 15:06:13

ROHM的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所集團(tuán)旗下企業(yè) Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊

。特別是對于負(fù)責(zé)進(jìn)行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言，其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有助于實(shí)現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.

2023-03-02 14:24:46

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究

項(xiàng)目名稱：微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究試用計(jì)劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進(jìn)行微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與其控制相關(guān)項(xiàng)目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以

2020-04-29 18:26:12

【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源

逆變器，新的APS的輸出容量為136 kVA。圖31.2kV全SiC功率模塊包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、濾波電路的小型化表2顯示了采用1.7kV混合SiC功率模塊和1.2kV全SiC功率

2017-05-10 11:32:57

使用UCC5870-Q1和UCC5871-Q1增加HEV/EV牽引逆變器的效率

雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開關(guān)頻率，不僅可以通過降低電阻和開關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引

2022-11-03 07:38:51

使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

2022-11-02 12:07:56

全SiC功率模塊介紹

從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

減少了19%的體積，并減重2kg。從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊(duì)提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了30

2018-12-04 10:24:29

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有

2018-11-27 16:37:30

單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)，不看肯定后悔

單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)，不看肯定后悔

2021-04-20 06:48:16

基于PrimePACK的大功率光伏逆變器應(yīng)用

，提高效率主要靠降低 IGBT 模塊的損耗來實(shí)現(xiàn)，IGBT 模塊對于提高逆變器效率顯得尤為重要。PrimePACK? 作為英飛凌公司最新一代大功率IGBT 模塊目前已功率應(yīng)用場合得到了普遍應(yīng)用。 2

2018-12-07 09:24:53

基于采用功率集成模塊設(shè)計(jì)的太陽能逆變器

　　隨著能源和環(huán)境問題日益凸顯，太陽能作為一種清潔的可再生能源迅速發(fā)展，太陽能發(fā)電設(shè)施激增，其中逆變器必不可少。安森美半導(dǎo)體的功率集成模塊（PIM）方案提供高能效、高可靠性的逆變器設(shè)計(jì)?！　≡陔姵?/div>

2020-10-27 10:15:55

如何使用SiC功率模塊改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)？

設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！　榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。　　DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡介　　在許多應(yīng)用中，較高的開關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值

2023-02-20 15:32:06

如何處理逆變器中高頻漏電？

分布式逆變器持續(xù)火熱，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相對成熟，功率密度要求不斷上升，逆變器的單機(jī)功率千瓦數(shù)也因此不斷得以提高。占據(jù)市場主流的逆變器，功率已經(jīng)從50~60KW過渡至70

2019-01-10 10:12:47

如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？

如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？

2021-06-17 06:22:27

應(yīng)用筆記 | SiC模塊并聯(lián)驅(qū)動(dòng)振蕩的抑制方法

SiC MOSFET與傳統(tǒng)Si器件相比，具有高電壓、大電流、高速驅(qū)動(dòng)、低損耗、高溫穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn)，是新一代器件。近年來，利用這些優(yōu)異特性，作為向大功率發(fā)展的電動(dòng)汽車 (EV) 的牽引逆變器電路，并聯(lián)

2024-11-27 14:23:04

開關(guān)損耗更低，頻率更高，應(yīng)用設(shè)備體積更小的全SiC功率模塊

的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實(shí)現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢。由

2018-12-04 10:14:32

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

2019-03-12 03:43:18

未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件

”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫?！?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導(dǎo)體相比

2017-07-22 14:12:43

淺析SiC功率器件SiC SBD

二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車

2019-05-07 06:21:51

深愛半導(dǎo)體代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB

2025-07-23 14:36:03

用于快速切換應(yīng)用的高速混合模塊高頻逆變器運(yùn)行期間的功耗可降低約50％

的輸出電流。圖4：逆變器損耗比較后記可以通過使用高速混合模塊實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率來減少電容器，電感器和變壓器等濾波電路的大批量和大質(zhì)量。高速IGBT減少的關(guān)斷損耗以及SiC-SBD引起的低導(dǎo)通和反向恢復(fù)

2020-09-02 15:49:13

羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗

2019-03-18 23:16:12

車用SiC元件討論

（IPS-RA）4. 航空級(jí)智能功率開關(guān)（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該

2019-06-27 04:20:26

采用全SiC模塊解決方案的10kW 3級(jí)UPS逆變器可實(shí)現(xiàn)高效率并減小尺寸和重量

，汽車等。自從一開始，F(xiàn)raunhofer ISE就推廣了SiC技術(shù)并展示了其優(yōu)勢，這些設(shè)備在系統(tǒng)級(jí)為電力電子產(chǎn)品提供通過構(gòu)建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低

2019-10-25 10:01:08

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

%。這非常有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了

2018-12-04 10:11:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

率，同時(shí)提高功率和電流密度。在電動(dòng)汽車牽引逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，尤其是在功率水平 >100 kW 和 800V 總線下，需要具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能

2022-11-02 12:02:05

驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能

2018-10-22 17:01:41

雙臂晶閘管模塊大功率逆變器電路圖

雙臂晶閘管模塊大功率逆變器電路圖

2010-03-30 16:54:37

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ROHM擴(kuò)充“全SiC”功率模塊產(chǎn)品陣容

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。

2015-05-05 14:07:44

1022

SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)

日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。

2015-09-06 17:39:11

1816

日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%

日立運(yùn)用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。

2016-09-26 18:06:14

1718

高效率三電平UPS逆變器的功率模塊設(shè)計(jì)

為了得到高達(dá) 20kHz 的開關(guān)頻率，賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結(jié)構(gòu)。SKiM IGBT 產(chǎn)品組合為光伏和 UPS 市場上提供了最優(yōu)的效率。相對于標(biāo)準(zhǔn)兩電平解決方案減少的損耗

2017-11-14 13:03:02

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2018-05-17 09:33:13

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2018三菱電機(jī)功率模塊技術(shù)研討會(huì)順利落幕

從晶圓制造到模塊生產(chǎn)，從低壓到高壓，山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評(píng)。他介紹到，與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優(yōu)勢是開關(guān)損耗大幅減小。對于特定逆變器應(yīng)用，這種優(yōu)勢

2018-10-19 16:20:51

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T型逆變器功率集成模塊的特性與應(yīng)用介紹

本視頻將通過中點(diǎn)鉗位拓?fù)鋵Ρ?、T型中點(diǎn)鉗位模塊、對IGBT模塊的高能效優(yōu)化等內(nèi)容介紹太陽能逆變器和不間斷電源UPS的T型逆變器功率集成模塊。

2019-03-04 06:25:00

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采用GaN和SiC先進(jìn)開關(guān)技術(shù)的逆變器

新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實(shí)現(xiàn)。

2019-06-21 06:16:00

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功率模塊散熱，鑫澈熱管理產(chǎn)品更高效

功率模塊包括IGBT模塊、MOSFET模塊、IPMs（智能功率模塊）和SIP模塊。功率模塊廣泛應(yīng)用于大功率逆變器應(yīng)用，如可再生能源轉(zhuǎn)換、電池備份系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、牽引和航運(yùn)。對于高

2021-09-27 15:31:46

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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 15:55:51

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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼： 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器（Inverter）使用的IGBT與SiC電源模塊。

2022-01-10 10:50:40

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WolfPACK SiC功率模塊可為中高功率應(yīng)用帶來可擴(kuò)展的靈活解決方案

當(dāng)前功率器件的研究已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門研究方向。

2022-10-19 09:22:23

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全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備

2022-11-06 21:14:51

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SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望！

碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景

2022-11-11 11:06:14

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Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

一、SiC模塊的特征電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2023-01-12 16:35:47

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SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT

2023-02-07 16:48:23

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何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。

2023-02-08 13:43:21

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全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢。

2023-02-08 13:43:22

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高效IPM智能功率模塊介紹

高效IPM（智能功率模塊）

2023-02-08 13:43:24

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全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。

2023-02-10 09:41:02

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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

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三公司聯(lián)手開發(fā)高功率密度碳化硅逆變器

的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了 CISSOID的1200VSiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設(shè)計(jì)提供完整的硬件

2023-02-21 09:12:19

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。

2023-02-24 11:51:08

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全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。

2023-02-24 11:51:28

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SiC功率模塊封裝技術(shù)：探索高性能電子設(shè)備的核心競爭力

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢。

2023-04-23 14:33:22

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ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊

2023-09-14 19:15:14

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提高SiC功率模塊的功率循環(huán)能力

在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)

2023-10-23 16:49:36

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設(shè)計(jì)SiC逆變器有哪些流程

SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性

2024-01-10 14:42:56

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SiC逆變器的制造流程有哪些

iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造

2024-01-10 14:55:44

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水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)

利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

2024-03-13 14:31:46

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微型逆變器性能躍升：SiC器件的關(guān)鍵作用

隨著光伏儲(chǔ)能技術(shù)的崛起，SiC器件已成為微型逆變器性能提升的關(guān)鍵?？?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件如何為光伏儲(chǔ)能帶來革命性的改變！編者按：在當(dāng)今能源轉(zhuǎn)型的大背景下，微型逆變器技術(shù)以其高效、可靠和靈活的特性，逐漸

2024-05-29 14:46:47

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恩智浦GD3162助力優(yōu)化牽引逆變器的SiC模塊性能

硅基解決方案向基于SiC的設(shè)計(jì)升級(jí)。而SiC功率器件，需要與高性能的高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器配合使用，才能充分發(fā)揮出其優(yōu)勢特性。

2024-08-27 09:40:17

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SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊

2024-12-05 15:07:40

2037

SiC模塊封裝技術(shù)解析

較多的闡述，比如IGBT模塊可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估，功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技術(shù)探秘都比較詳細(xì)的闡述了功率模塊IGBT模塊從設(shè)計(jì)到制備的過程，那今天講解最近比較火的SiC模塊封裝給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 SiC近年來在光伏，工業(yè)電

2025-01-02 10:20:24

1787

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹

2025-01-16 14:32:04

瑞能半導(dǎo)體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產(chǎn)品介紹

WeenPACK-B產(chǎn)品系列是一款專為逆變器與變流器設(shè)計(jì)的高效功率模塊，高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺(tái)，可覆蓋最大功率100kW的應(yīng)用場景。包括工規(guī)和車規(guī)認(rèn)證的多種配置和拓?fù)洚a(chǎn)品類型，可應(yīng)用

2025-03-04 16:09:30

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海外儲(chǔ)能PCS市場競爭趨勢：基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命

進(jìn)入2025年，海外儲(chǔ)能市場呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢：通過采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲(chǔ)能變流器PCS在海外市場得到廣泛認(rèn)可并得到客戶買單，比如德國SMA推出新一代采用

2025-03-30 15:54:50

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派恩杰推出突破性SiC HPD模塊系列

在新能源汽車高速發(fā)展的浪潮中，主驅(qū)逆變器作為電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件，直接影響整車的動(dòng)力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫等特性，正在逐步取代傳統(tǒng)硅基解決方案。

2025-04-17 14:58:18

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SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級(jí)的技術(shù)革新

在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下，商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關(guān)頻率，難以滿足高效、高頻、高溫場景的嚴(yán)苛要求。碳化硅（SiC）技術(shù)憑借其寬禁帶特性，成為突破能效

2025-05-17 05:47:10

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國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC

2025-05-18 14:52:08

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基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC

2025-06-24 17:26:28

493

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代

2025-06-08 11:13:47

1100

SiC MOSFET功率模塊效率革命：傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時(shí)代

SiC MOSFET模塊革命：傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時(shí)代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢（直擊客戶痛點(diǎn)）極致能效，成本銳減

2025-07-29 09:57:57

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方正微電子SiC MOS功率模塊FA120P002AA簡介

方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專為新能源車主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的高性能SiC MOS功率模塊，旨在提供高效、可靠的主驅(qū)電控解決方案。

2025-07-31 17:22:17

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解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊：電動(dòng)車牽引逆變器的理想之選

在當(dāng)今電動(dòng)車和混合動(dòng)力車蓬勃發(fā)展的時(shí)代，牽引逆變器作為核心部件，對功率模塊的性能和可靠性提出了極高要求。onsemi 的 NVVR26A120M1WSB 碳化硅（SiC）功率模塊憑借其卓越特性，成為了眾多工程師關(guān)注的焦點(diǎn)。今天，我們就來深入剖析這款模塊，探討它在電動(dòng)車牽引逆變器應(yīng)用中的優(yōu)勢。

2025-11-27 09:51:38

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onsemi NXH010P90MNF1 SiC模塊：高效功率轉(zhuǎn)換的新選擇

在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和功率密度。今天，我們要介紹的是安森美（onsemi）的NXH010P90MNF1碳化硅（SiC）模塊，它以其出色的特性為多種應(yīng)用場景帶來了新的解決方案。

2025-12-05 15:58:30

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基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)

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