HSIM, XA及其與VCS的混合驗證方案在RF收發(fā)器芯片中的應(yīng)用

本文所用測例RFIC是一款自研射頻收發(fā)器芯片，工作于全球通用的ISM 2.400～2.525GHz頻段，126通道，集成了頻率綜合器，功率放大器，調(diào)制和...

2023-07-11 標(biāo)簽：功率放大器EDA工具仿真器 9775 0

射頻頻率上就沒有純正的？

為啥在外行的人看來，射頻這么玄乎呢？

2023-07-10 標(biāo)簽：電容器電阻器射頻電路 395 0

PCB多層板疊層設(shè)計

PCB(Printed Circuit Board)，即印刷電路板，其按照導(dǎo)體層數(shù)分類，可以分為只有一面覆銅的單面板，兩面都有覆銅的雙面板，以及具有多個...

2023-07-08 標(biāo)簽：電容器PCB板IC設(shè)計 4832 0

淺談VCC和GND間的電容作用

電源與地之間接電容的原因有兩個作用，儲能和旁路儲能：電路的耗電有時候大，有時候小，當(dāng)耗電突然增大的時候如果沒有電容，電源電壓會被拉低。

2023-07-07 標(biāo)簽：電容電解電容寄生電感 963 0

射頻中的旁路與去耦設(shè)計時注意的要點

射頻電路工作頻率高，與數(shù)字、模擬電路相比，射頻電路非理想特性眾多，寄生效應(yīng)復(fù)雜。

2023-07-04 標(biāo)簽：放大器MLCC射頻電路 1242 0

MOS管的柵極開通驅(qū)動電阻

在驅(qū)動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。

2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動器振蕩器MOS管 6095 0

簡單分析一下如何進行合理PCB layout布局以及設(shè)計中的注意事項

在DCDC電源電路中，PCB的布局對電路功能的實現(xiàn)和良好的各項指標(biāo)來說都十分重要。

2023-06-25 標(biāo)簽：PCB布局寄生電感buck電路 712 0

PCB走線中需要注意的7個點

今天給大家分享的是：PCB走線中需要注意的7個點。 一、PCB 電源布線 數(shù)字電路很多時候需要的電流是不連續(xù)的，所以對一些高速器件就會產(chǎn)生浪涌電流。 如...

2023-06-19 標(biāo)簽：寄生電感PCB走線高速器件 3803 0

提升PCB板Layout質(zhì)量的6個細節(jié)

現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。

2023-06-12 標(biāo)簽：PCB板Layout寄生電容 842 0

為啥在外行的人看來，射頻這么玄乎呢？

比如，下圖所示，是廠家標(biāo)稱高頻電阻的阻值與頻率之間的關(guān)系。雖然在其手冊上，寫的是High Frequency（Up to 40GHz）Resistor,...

2023-06-09 標(biāo)簽：射頻電容寄生電感 720 0

單片機EMC檢測工作如何輕松搞定？

EMC：Electromagnetic Compatibility，即電磁兼容性。指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法...

2023-06-09 標(biāo)簽：單片機emc電磁干擾 484 0

硬件測試-噪聲的測試分析（1）

隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，芯片工作電壓越來越低，而工作速度越來越快，功耗越來越大。

2023-05-29 標(biāo)簽：寄存器微處理器晶體管 2059 0

怎樣才能知道0.5W的電阻可以承受多長時間0.7W功率的脈沖呢？

例如，已知電阻消耗功率為0.7W，在選擇器件的時候，僅僅知道應(yīng)該選擇容量為 1W的電阻是不夠的。

2023-05-29 標(biāo)簽：PCB板貼片電阻運算放大器 2924 0

MOSFET雪崩特性參數(shù)解析

EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。

2023-05-24 標(biāo)簽：MOSFETRCD寄生電感 4921 0

SiC動態(tài)表征和測量方法

碳化硅（SiC）技術(shù)為電源、電動汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET寄生電感體二極管 2189 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管SiC 6933 0