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標簽 > 封裝設(shè)計
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整流橋關(guān)鍵參數(shù)與封裝設(shè)計的關(guān)聯(lián)都有哪些？
整流橋作為交直流轉(zhuǎn)換的核心器件，其性能表現(xiàn)與封裝方案緊密相關(guān)。電流承載能力、耐壓等級、熱管理效率等參數(shù)共同決定了封裝形態(tài)的選擇策略。本文將從工程應(yīng)用角度...
封裝方案制定是集成電路（IC）封裝設(shè)計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及從芯片設(shè)計需求出發(fā)，制定出滿足功能、電氣性能、可靠性及成本要求的封裝方案。這個過程的核心是根據(jù)不...
在封裝設(shè)計中，原點是一個重要的參考點，通常根據(jù)封裝類型被設(shè)置在關(guān)鍵位置，如幾何中心或1腳焊盤等。例如，芯片封裝的原點可能位于幾何中心，而連接器封裝的原點...
封裝設(shè)計圖紙是集成電路封裝過程中用于傳達封裝結(jié)構(gòu)、尺寸、布局、焊盤、走線等信息的重要文件。它是封裝設(shè)計的具體表現(xiàn)，是從設(shè)計到制造過程中不可缺少的溝通工具...
封裝設(shè)計是集成電路（IC）生產(chǎn)過程中至關(guān)重要的一環(huán)，它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。1.封裝設(shè)計的總體目標封裝設(shè)計的主要目標是為芯片提供機械保護...
封裝設(shè)計是集成電路（IC）生產(chǎn)過程中至關(guān)重要的一環(huán)，它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。
封裝中的RDL（Redistribution Layer，重分布層）是集成電路封裝設(shè)計中的一個重要層次，主要用于實現(xiàn)芯片內(nèi)電氣連接的重新分配，并且在封裝...
封裝設(shè)計Design Rule 是在集成電路封裝設(shè)計中，為了保證電氣、機械、熱管理等各方面性能而制定的一系列“約束條件”和“設(shè)計準則”。這些準則會指導(dǎo)工...
插件孔的標準孔徑尺寸：0.60mm(23.6mil)，0.70mm(27.6mil)，0.80mm(31.5mil)，0.90mm(35.4mil)，1...
封裝可行性審查應(yīng)在封裝開發(fā)初期進行，審查結(jié)果需要提交給芯片和產(chǎn)品設(shè)計人員做進一步反饋。完成可行性研究后，須向封裝制造商下訂單，并附上封裝、工具、引線框架...
集成電路封裝是一種保護半導(dǎo)體元件免受外部物理損壞或腐蝕的方法，通過將它們包裹在陶瓷或塑料制成的封裝材料中。有許多不同類型的集成電路，遵循不同的電路設(shè)計和...
在半導(dǎo)體前段制程微縮日趨減緩后，異質(zhì)整合先進封裝技術(shù)已然成為另一個實現(xiàn)功能整合與元件尺寸微縮的重要技術(shù)發(fā)展潮流。伴隨著人工智能物聯(lián)網(wǎng) (AI-centr...
在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾，有些晶圓需要被減?。ňA減?。┎拍苎b進特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結(jié)；對于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（...
在進行完元器件的原理圖庫繪制之后，就需要進行條件更為嚴格的元器件PCB封裝庫設(shè)計，不然就無法進行后面PCB layout的設(shè)計。 PCB的封裝繪制一般會...
如何對系統(tǒng)和組件進行可靠的封裝是微系統(tǒng)工業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)，因為微系統(tǒng)的封裝技術(shù)遠沒有微電子封裝技術(shù)成熟。微系統(tǒng)封裝在廣義上講有三個主要的任務(wù)：裝配、封裝...
近年來，半導(dǎo)體封裝變得越發(fā)復(fù)雜，更加強調(diào)設(shè)計的重要性。半導(dǎo)體封裝設(shè)計工藝需要各類工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開展可行性測試、并優(yōu)化封裝特...
封裝可靠性設(shè)計是指針對集成電路使用中可能出現(xiàn)的封裝失效模式，采取相應(yīng)的設(shè)計技術(shù)，消除或控制失效模式，使集成電路滿足規(guī)定的可靠性要求所采取的技術(shù)活動。
封裝設(shè)計與仿真工具現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
集成電路和電子系統(tǒng)的快速發(fā)展，推動著封裝和集成技術(shù)向著輕型化、高集成度、多樣化的方向不斷革新，也帶動了封裝的電/熱/機械及結(jié)構(gòu)的設(shè)計與仿真工具的快速發(fā)展。
底部填充膠在使用過程中，主要的問題是空洞，出現(xiàn)空洞的原因與其封裝設(shè)計、點膠工藝、固化參數(shù)等相關(guān)。而要分析空洞就需要對Underfill的特性有個基本的認...
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