摩爾定律

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摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

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摩爾定律技術(shù)

計算機架構(gòu)設(shè)計的8關(guān)鍵點

計算機大多數(shù)時間都是運作在常見情況下，符合2/8定律，所以首先我們針對常見情況進行優(yōu)化改進，加速大概率事件，效果更快。

2022-10-14 標(biāo)簽：摩爾定律半導(dǎo)體行業(yè)計算機架構(gòu) 939 0

半導(dǎo)體芯片先進封裝——CHIPLET

Chiplet可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造。較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。此外，Chiplet芯片也不需要采用同樣的工藝，不同工藝制造的Ch...

2022-10-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體摩爾定律 2.7萬 2

總結(jié)深度學(xué)習(xí)，GPU推理性能提升的三大因素

2017年，英偉達推出了適用于深度學(xué)習(xí)的Volta架構(gòu)，它的設(shè)計重點之一是可以更好地分?jǐn)傊噶铋_銷。Volta架構(gòu)中引入了Tensor Core，用于深度...

2022-09-21 標(biāo)簽：摩爾定律 gpu 深度學(xué)習(xí) 3956 0

電子通信領(lǐng)域這些常見的定律：庫梅定律 vs 摩爾定律

英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出摩爾定律：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會...

2022-09-08 標(biāo)簽：摩爾定律單芯片物聯(lián)網(wǎng) 1880 0

摩爾定律下一個十年關(guān)鍵：3D堆疊的潛在優(yōu)勢

對 3D 堆疊 CMOS 進行所有需要的連接是一項挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進行電源連接。在此設(shè)計中，NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部具有單獨的...

2022-09-05 標(biāo)簽：CMOS 摩爾定律晶體管 1069 0

集成電路制造技術(shù)的演進

集成電路中的有源區(qū)、柵、接觸孔、金屬互連線等關(guān)鍵部位的大小和間距等關(guān)鍵參數(shù)稱為特征尺寸，具備某一系列特征尺寸的技術(shù)稱為技術(shù)節(jié)點或技術(shù)代，如20世紀(jì)的0....

2022-09-05 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律 1402 0

圖形化方案對制造工藝的影響

在摩爾定律的驅(qū)動下，存儲器和邏輯芯片半導(dǎo)體制造商通過提高晶體管密度來減少產(chǎn)品成本、提升性能。

2022-08-09 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管 3D結(jié)構(gòu)光 1066 0

先進封裝呼聲漸漲 Chiplet或成延續(xù)摩爾定律新法寶

通富微電、華天科技也表示已儲備Chiplet相關(guān)技術(shù)。Chiplet是先進封裝技術(shù)之一，除此以外，先進封裝概念股也受到市場關(guān)注。4連板大港股份表示已儲備...

2022-08-08 標(biāo)簽：摩爾定律封裝技術(shù)chiplet 1403 0

半導(dǎo)體芯片摩爾定律的未來之路微處理量子計算機的基本原理

量子計算機利用量子疊加和量子糾纏來對信息執(zhí)行編碼、邏輯運算、存儲及處理，其最核心的是來自于量子的相干性（coherence），這個是物理層面上的，經(jīng)典的...

2022-08-04 標(biāo)簽：摩爾定律量子計算半導(dǎo)體芯片 1593 0

芯片制造挑戰(zhàn)：如何拯救摩爾定律

　在過去幾十年里一直聽到有關(guān)摩爾定律消亡的預(yù)測的行業(yè)中，這并不令人震驚。然而，令人驚訝的是，經(jīng)過市場驗證的替代品數(shù)量令人眼花繚亂，而且還在不斷增長。

2022-08-04 標(biāo)簽：cpu 摩爾定律 SiP 1003 0

服從摩爾定律的超級計算機計算能力分析

第一臺通用電子計算機ENIAC在1946年投入使用(圖1)，它使用了大約2萬根真空三極管，占用了一間大房子(167 m2)，耗電150 kW，計算能力僅...

2022-07-07 標(biāo)簽：三極管摩爾定律超級計算機 3166 0

基于憶耦器實現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。憶耦器的基本特征是其表現(xiàn)出非線性電荷-磁通回滯曲線。

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM 摩爾定律憶阻器 6004 0

全新微縮之旅：延續(xù)摩爾定律的方法和DTCO的應(yīng)用

美國時間4月21日，應(yīng)用材料公司舉辦了“全新微縮之旅”大師課。期間，我們重點討論了要在未來若干年內(nèi)提升晶體管密度，芯片制造商正在尋求互補的兩條道路。其一...

2022-05-17 標(biāo)簽：摩爾定律設(shè)計技術(shù)應(yīng)用材料公司 4415 0

摩爾定律的現(xiàn)在及未來

封裝的作用及其對摩爾定律微縮的貢獻正在演進。直到2010年代，封裝的主要作用是在主板和芯片之間傳輸電源和信號，并保護芯片。

2022-03-28 標(biāo)簽：英特爾摩爾定律晶體管 2333 0

一文解讀"集成電路三大發(fā)展方向"

在單位面積內(nèi)集成更多的晶體管就需要將晶體管做的更小，幾十年來，在摩爾定律的推動下，晶體管的特征尺寸從毫米級到微米級再到納米級，尺寸縮小了百萬倍。今天，在...

2022-03-24 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律晶體管 3156 0

四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系

在本文中，我們詳細研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對蝕刻速率的依賴關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大...

2021-12-13 標(biāo)簽：芯片摩爾定律電化學(xué) 1815 0

詳解 SiP 技術(shù)體系中的三駕創(chuàng)新馬車

目前從技術(shù)發(fā)展的趨勢來看，雙面塑模成型技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合技術(shù)可以并稱為拉動系統(tǒng)級封裝技術(shù)發(fā)展的“三駕創(chuàng)新馬車”。

2021-01-27 標(biāo)簽：摩爾定律 SiP 電磁干擾 3589 0

AI算力需求的暴增，HBM和GDDR SDRAM成為AI芯片新的內(nèi)存方案

然而在此過程中，我們除了看到AI對算力的要求以外，內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個優(yōu)先選擇，這也是英偉達在Tes...

2020-11-09 標(biāo)簽：摩爾定律人工智能機器學(xué)習(xí) 3021 0

一片硅晶圓對全球半導(dǎo)體市場的影響分析

作為百億美元級別的行業(yè)，半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模不算很大，但其內(nèi)部材料種類繁多，單一產(chǎn)品市場規(guī)模小、技術(shù)要求高、子行業(yè)之間差異較大。其中硅片占比半導(dǎo)體材料市...

2021-03-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律硅晶圓 3608 0

基于激光的“零重疊”技術(shù)

摩爾定律的不斷向前發(fā)展，正在推動著半導(dǎo)體工業(yè)向三維（3D）集成的方向發(fā)展，同時也在推動著諸如堆棧存儲與邏輯、以及硅穿孔（TSV）互連等先進封裝架構(gòu)技術(shù)的發(fā)展。

2021-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律激光器 4173 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計等做出最大貢獻，促進中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達到1，181，489百萬日元，集團公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會訂立、主要針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時與多個設(shè)備通信，而不是依次進行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達8個設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因為這是從“Tesla”這個英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負半周轉(zhuǎn)換時，經(jīng)過零位時，系統(tǒng)作出的檢測?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)鞨armonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動態(tài)分析等。
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74LS00是一個內(nèi)部擁有四個獨立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會及科技創(chuàng)新咨詢委員會相關(guān)規(guī)則；負責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機構(gòu)進行自律監(jiān)管等。

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