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標簽 > 摩爾定律
摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內容為:當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。
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IRDS的路線圖顯示,即將推出的5納米芯片有著48納米的接觸柵距、36納米的金屬間距,且為單層,因此其指標為G48M36T1。雖然該命名尚未真正落實,但...
根據(jù)全球半導體行業(yè)觀察的不完全統(tǒng)計,自2018年至今年上半年,新注冊成立的EDA企業(yè)有23家,自2021年至今,完成融資的國產EDA企業(yè)累計達到32家,...
超高速、超高密度和超低延時的封裝技術,用來解決Chiplet之間遠低于單芯片內部的布線密度、高速可靠的信號傳輸帶寬和超低延時的信號交互。目前主流的封裝技...
后摩爾定律時代,國產EDA如何“從0到1”做創(chuàng)新?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)在過去的數(shù)十年里,摩爾定律一直被視為半導體產業(yè)的金科玉律,特征尺寸的縮小,為芯片帶來了性能的提升和功耗的降低。同時,制造工...
基于EUV技術,制程工藝演進到intel4,激發(fā)千倍算力怎么做?英特爾宋繼強揭示前沿半導體技術創(chuàng)新路徑
如何突破算力的瓶頸?如何讓不同架構的處理器在硬件架構布局上發(fā)揮最大協(xié)同作用?從終端側、到邊緣再到服務器,如何對不同級別的硬件進行加速?英特爾研究院副總裁...
本世紀初,傳統(tǒng)的擴容開始遇到瓶頸。業(yè)界相繼開發(fā)出應變Si/Ge、高K/金屬柵、Fin-FET,使摩爾定律得以延續(xù)。
即便如此,晶體管數(shù)量的增加趨勢其實仍有一定的參考價值,雖然各大廠商也不能完全遵循這一趨勢,但基本也不會偏離太遠。國外分析師David Schor為此做了...
在英特爾創(chuàng)始人戈登摩爾提出的摩爾定律中,每隔18個月集成電路上可容納的集體管數(shù)目就會增加一倍,同時處理器的計算能力也會指數(shù)式增長。盡管我們都說摩爾定律已...
盡管如此,當今技術的現(xiàn)實情況是,2D材料只在實驗室中少量配備,以支持學術研究。與其急于發(fā)表另一篇關于石墨烯驚人潛力的研究論文,不如關注如何開發(fā)在工業(yè)規(guī)模...
FinFET確切的說,是一個技術的代稱。世界上第一個3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當時英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極...
在摩爾定律逐漸失效、“存儲墻”問題日益凸顯的當下,汽車AI芯片到底需要提供多大算力?何種路徑才是突破摩爾定律的存儲墻壁壘的最接近落地方法?面對山頭林立、...
三星電子和ASML就引進今年生產的EUV光刻機和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光High-NA EUV光刻機達成采購協(xié)議。
摩爾定律即將失效的言論從7nm工藝開始就一直有人在傳播,不過與之相反的是摩爾定律一直在沿用下去。去年IBM公司公布了其研制的全球首顆2nm芯片,不過IB...
摩爾定律是英特爾創(chuàng)始人之一戈登?摩爾的經驗之談,他的其核心內容為:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經過18個月便會增加一倍。
2nm制程全球爭奪戰(zhàn)升級!6月16日,臺積電首度公布2nm先進制程,將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術,預計2025量產。
芯片制程的演化,從微米、亞微米、深亞微米,到193nm、157nm、90nm,再到最近幾年的12nm、7nm、4nm,都在按照摩爾57年前說的這段預言演進。
摩爾定律今天有多種定義。在 Gordon Moore 1965 年的原著《將更多組件塞進集成電路》中,他解釋說,在每一代中,都會有一個理想的集成點,每個...
7月業(yè)內標桿企業(yè)將共赴蘇州之約,碰撞“芯”火花
來源:半導體芯科技 SiSC 在過去的半個多世紀里,半導體制造業(yè)的發(fā)展一直在摩爾定律的指引下循規(guī)蹈矩。制造工藝節(jié)點逼近納米極限甚至跨過納米門檻后,晶體管...
2022-06-20 標簽:摩爾定律 766 0
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