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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨(dú)功率因數(shù)校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC電源:前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器(兩個電感和一個電容)...
iCoupler技術(shù)驅(qū)動新興GaN開關(guān)和晶體管應(yīng)用
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
2020-09-28 標(biāo)簽:服務(wù)器晶體管數(shù)據(jù)中心 834 0
有源偏置控制的設(shè)計(jì)應(yīng)用解決方案
為了制作高頻放大器,在共射極配置中所用的雙極型晶體管,有時(shí)是在假定增益晶體管的集射極電壓 (Vce) 和集電極電流 (Ic) 為特定值的情況下,由其小信...
三極管在結(jié)構(gòu)上并不是很復(fù)雜,它一般是由三塊半導(dǎo)體材料按照一定的方法組合在一起的,其中有兩塊N型的半導(dǎo)體材料和一塊P型的半導(dǎo)體材料,在組合時(shí)我們把N型半導(dǎo)...
在實(shí)習(xí)運(yùn)用中通常驅(qū)動路數(shù)不止一路,用上圖的分立電路體積大,許多場合用現(xiàn)成的集成電路作為多路驅(qū)動。常用的小型步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路可以用ULN2003或ULN2...
臺積電5nm與三星5nm的本質(zhì)差異 三星5LPE與臺積電N5詳解
臺積電提到對于包含60%邏輯單元、30% SRAM,以及10%模擬I/O的移動SoC而言,其5nm工藝能夠縮減芯片35%-40%的尺寸——這樣的值是更具...
淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點(diǎn)的有效密度
翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎?其實(shí)這取決于哪一方面。 斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來自麻省理工學(xué)院、...
2021-01-25 標(biāo)簽:CMOS電路設(shè)計(jì)eda 3680 0
作者:泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前...
固態(tài)電路基礎(chǔ)大分析:二極管/晶體管/整流器/壓敏電阻
電容器上電動機(jī)和壓縮機(jī)中使用具有比在固態(tài)電路中使用的電容器不同的功能。單相電動機(jī)或壓縮機(jī)上使用的電容器有助于啟動電動機(jī)旋轉(zhuǎn)(啟動蓋)或減少運(yùn)行安培(運(yùn)行蓋)。
非線性設(shè)備如何產(chǎn)生諧波 電壓諧波的影響有哪些
電流諧波是電壓諧波的主要貢獻(xiàn)者。電壓源及其提供的電壓會由于來自電源阻抗的電流諧波而失真。您可以限制電壓源的源阻抗。
深度探討GaN器件驅(qū)動電路并聯(lián)晶體管設(shè)計(jì)方案
在柵極關(guān)斷時(shí),CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS,以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值,從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。
代工行業(yè)競爭愈加激烈 5/3nm芯片戰(zhàn)爭將開啟
2021年,代工廠正在加緊各自5nm甚至3nm先進(jìn)工藝的進(jìn)程。與此同時(shí),下游芯片商又必須在基于哪種工藝設(shè)計(jì)下一代芯片做出決定。這就可能影響到在3nm是延...
淺析晶體管偏置電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方案
如何將Q點(diǎn)放置在活動區(qū)域的中間?這可以通過使用插入在V cc和晶體管基極之間的限制電阻R B來調(diào)節(jié)V cc提供的I B來實(shí)現(xiàn)。
2021-01-14 標(biāo)簽:放大器轉(zhuǎn)換器振蕩器 4668 0
畫PCB板,可設(shè)計(jì)單面板、雙層板和多層板,然后生成元器件封裝電路圖,接著需要畫元器件封裝庫;布局連線。
電阻溫度檢測器(RTD)傳感器的電阻是通過施加精密電流源并測量產(chǎn)生的電壓來測量的。這種方法通常需要一個精密的電壓基準(zhǔn)來創(chuàng)建電流源,然后是一個高質(zhì)量的模數(shù)...
2021-02-16 標(biāo)簽:晶體管模數(shù)轉(zhuǎn)換器溫度檢測器 6131 0
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對于可再生能源設(shè)備,如太陽能逆變器和儲能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時(shí)間。
2021-01-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源晶體管氮化鎵 2718 0
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