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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
氮化鎵技術(shù)的不斷進(jìn)步促使設(shè)備在更高的功率、電源電壓和頻率下工作。 本文介紹了使用市售SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)...
電腦顯示器通常也被稱(chēng)為電腦監(jiān)視器或電腦屏幕。它是除了CPU、主板、內(nèi)存、電源、鍵盤(pán)、鼠標(biāo)之外最重要的一個(gè)電腦部件,是是將一定的電子文件信息通過(guò)特定的傳輸...
基于高性能GaAsSb基區(qū)的射頻和微波測(cè)試儀器設(shè)計(jì)
Abstract 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為...
有效抑制了HBT大信號(hào)Kink效應(yīng)的寬帶功率放大器
功率放大器輸出端的負(fù)載特性將直接影響到輸出端匹配電路的復(fù)雜度,為了獲得最佳功率輸出負(fù)載阻抗,在4~12 GHz頻帶內(nèi)進(jìn)行常規(guī)的負(fù)載牽引(Load-Pul...
外驅(qū)動(dòng)同步整流正激變換器的電路如圖5 所示,它的主要波形如圖6 所示。在電路中,晶體管Q2 和Q3 被從主開(kāi)關(guān)管門(mén)極驅(qū)動(dòng)獲得的信號(hào)所驅(qū)動(dòng),因此,同步整流...
晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因_晶體管防護(hù)措施
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新型元器件的問(wèn)世, 開(kāi)關(guān)電源以其體積小、重量輕、效率高、對(duì)電網(wǎng)電壓適應(yīng)范圍寬等優(yōu)勢(shì), 越來(lái)越受到大家的青睞, 在絕大多數(shù)領(lǐng)域中取...
超低功耗電路的設(shè)計(jì)原則及設(shè)計(jì)分析
以手機(jī)為代表的電池供電電路的興起,為便攜式儀表開(kāi)創(chuàng)了一個(gè)新的紀(jì)元。超低功耗電路系統(tǒng)(包括超低功耗的電源、單片機(jī)、放大器、液晶顯示屏等)已經(jīng)對(duì)電路設(shè)計(jì)人員...
晶體管射頻放大器參數(shù)測(cè)量的進(jìn)展和意義
2008年射頻功率晶體管取得明顯進(jìn)展,以硅材料為主的雙極和CMOS工藝都有突破性進(jìn)展,特別是應(yīng)用在L波段的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,輸出峰值功率1000W的集成電路...
微波功率晶體管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)微波功率管)是指用于微波頻段的功率放大,輸出較大功率,散發(fā)出較高熱量的晶體管。微波功率管是固態(tài)發(fā)射機(jī)及T/R組件的核心器件,其可...
適用于GNSS接收機(jī)的低噪聲混頻器的設(shè)計(jì)
隨著GNSS的不斷發(fā)展和中國(guó)北斗二代衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的加快建設(shè),衛(wèi)星導(dǎo)航定位系統(tǒng)在各領(lǐng)域的應(yīng)用將更加廣泛和深入,更低功耗、更低噪聲、更低成本的衛(wèi)星接收芯片已...
來(lái)個(gè)簡(jiǎn)單小測(cè)試,讓你真正了解晶體管
半導(dǎo)體行業(yè)大致按照摩爾定律發(fā)展了半個(gè)多世紀(jì),對(duì)二十世紀(jì)后半葉的世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)做出了貢獻(xiàn),并驅(qū)動(dòng)了一系列科技創(chuàng)新、生產(chǎn)效率的提高和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。
DCpower一般是指帶實(shí)際電壓的源,其他的都是標(biāo)號(hào)(在有些仿真軟件中默認(rèn)的把標(biāo)號(hào)和源相連的)VDD:電源電
2017-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電源管理晶體管 1.5萬(wàn) 1
普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬(wàn)用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔來(lái)測(cè)量。
2017-08-14 標(biāo)簽:萬(wàn)用表晶體管普通達(dá)林頓管 1412 0
場(chǎng)效應(yīng)管電子開(kāi)關(guān)如何實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制?
當(dāng)開(kāi)關(guān)按下時(shí),1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點(diǎn),NPN晶體管截止,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通開(kāi)啟負(fù)載。釋放按鈕后,1uF電容通過(guò)1M電阻充電。第二次按下...
2017-06-30 標(biāo)簽:電容場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3412 0
射頻MOS功率放大電路模擬器的設(shè)計(jì)方案分析,射頻功率放大器的特性與使用好壞分析
窄帶的穩(wěn)定電路是進(jìn)行一定的增益消耗。這種穩(wěn)定電路是通過(guò)增加一定的消耗電路和選擇性電路實(shí)現(xiàn)的。這種電路使得晶體管只能在很小的一個(gè)頻率范圍內(nèi)貢獻(xiàn)。另外一種寬...
上拉下拉電阻問(wèn)題分析,流散、接地、沖擊接地電阻都是什么意思?
在總線的上下拉電阻設(shè)計(jì)中,你就要考慮同樣的問(wèn)題了:總線上往往負(fù)載很重,如果你要電阻來(lái)提供一些值,你就必須保證電容能通過(guò)電阻在一定時(shí)間內(nèi)放電到可接受的范圍...
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