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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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CMOS工藝技術(shù)的概念、發(fā)展歷程、優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用場景介紹
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor, 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是當(dāng)今集成電路制造的主流技術(shù),...
集成電路基礎(chǔ)知識(shí)介紹:從原子結(jié)構(gòu)到晶體管
在19世紀(jì)末期,消費(fèi)類產(chǎn)品包括照明、加熱、電話和電報(bào)等一些簡單的電路。但是無線電的發(fā)明和對于能夠整流和放大信號(hào)的電器元件的需求推動(dòng)了真空管的發(fā)明。
近年來,具有ABX?晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、長載流子傳輸距離等光電學(xué)特性而在光電探測領(lǐng)域表現(xiàn)出良好應(yīng)用前景
CMOS 是 20 世紀(jì) 60 年代構(gòu)建微處理器的技術(shù)選擇。使晶體管和互連器件變得更小,以使其更好地工作 60、70 年。但這種情況已經(jīng)開始崩潰。
2024-03-11 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)晶體管 902 0
影響放大電路高頻特性的主要因素是很多的,包括晶體管的頻率響應(yīng)、反饋電容、電感、布線、負(fù)載電容等。這些因素都會(huì)對放大電路的高頻特性產(chǎn)生不同程度的影響。 首...
在電路板背面找到元器件位置是電子工程師和電路維修人員的常見任務(wù)之一。這項(xiàng)任務(wù)需要仔細(xì)的觀察和專業(yè)的電子知識(shí)。以下是一個(gè)詳細(xì)的步驟,以幫助您在電路板背面找...
ADS調(diào)用spectre網(wǎng)表仿真異?!Χㄖ@的NetlistInclude
ADS是支持調(diào)用spice/spectre等網(wǎng)表文件進(jìn)行仿真的,可以用NetlistInclude控件來進(jìn)行調(diào)用。
2024-03-07 標(biāo)簽:MOS管芯片設(shè)計(jì)晶體管 4024 0
超導(dǎo)場效應(yīng)管(Superconducting Field Effect Transistor,SFET)是一種新型的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了超導(dǎo)電性和晶體管...
2024-03-06 標(biāo)簽:電阻場效應(yīng)管晶體管 1128 0
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢。然而,GaN...
假設(shè)射頻系統(tǒng)在 2.4GHz 頻率下工作,那么 LDO 噪聲會(huì)將 2.4GHz 上下的 VCO 噪聲頻譜提高至 LDO帶寬。在 VCO 原始噪聲圖中加入...
2024-03-05 標(biāo)簽:ldo晶體管LDO穩(wěn)壓器 1487 0
TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開關(guān)電路和功率開關(guān)電路;按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地(PNP晶體管發(fā)射極接電源)和射級(jí)跟隨開關(guān)電路。
2024-03-04 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路晶體管 4750 0
Sora也好,ChatGPT也好,大模型訓(xùn)練的背后是由高算力芯片所組成的大規(guī)模運(yùn)算網(wǎng)絡(luò)。Meta等巨頭一出手就是幾十萬個(gè)高算力芯片,近千億的投資來建設(shè)數(shù)據(jù)中心。
MOSFET的電路符號(hào)和開關(guān)應(yīng)用 MOSFET功率放大器電路圖分享
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。它是一種 FET(場效應(yīng)晶體管),其柵極和溝道之間具有絕緣金屬氧化物層。相反,JFET 的柵極與其溝道...
晶體管基本放大電路是指利用晶體管的放大特性設(shè)計(jì)的電路,用于放大電信號(hào)的幅度。根據(jù)晶體管的工作狀態(tài)和電路的連接方式的不同,晶體管基本放大電路可分為共射極放...
判斷晶體管是否在放大狀態(tài)中是電子學(xué)領(lǐng)域中一項(xiàng)重要的技術(shù)任務(wù)。晶體管是一種具有放大功能的電子器件,可以根據(jù)輸入信號(hào)的大小控制輸出信號(hào)的放大倍數(shù)。為了判斷晶...
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