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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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功率放大器失真是指輸出信號與輸入信號之間存在差異,這種差異可能是頻率、幅度或相位上的偏差。功率放大器失真的原因主要有以下幾種。
放大電路失真是指輸出信號與輸入信號之間存在差異,這種差異可能是頻率、幅度或相位上的偏差。放大電路失真類型主要有以下幾種。
LED模擬調(diào)光 VS 數(shù)字調(diào)的區(qū)別是什么
根據(jù)響應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準(zhǔn)來實現(xiàn)晶體管或MOS導(dǎo)通時間的改變,從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變,調(diào)節(jié)LED亮度
直流電機(jī)(direct current machine)是指能將直流電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能(直流電動機(jī))或?qū)C(jī)械能轉(zhuǎn)換成直流電能(直流發(fā)電機(jī))的旋轉(zhuǎn)電機(jī)。
MOS管,全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體,是一種常見的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同,MOS管主要可分為高壓...
在更小、更輕、更薄的消費(fèi)產(chǎn)品趨勢的推動下,越來越小的封裝類型已經(jīng)開發(fā)出來。事實上,封裝已經(jīng)成為在新設(shè)計中使用或放棄設(shè)備的關(guān)鍵決定因素。本文首先定義了“倒...
IC元器件(集成電路元器件)是一種將多個電子元件(如晶體管、二極管、電阻、電容等)集成在一塊半導(dǎo)體芯片上的電子元件。它具有多種基本功能。
什么是CNT、SWCNT和MWCNT?CNT技術(shù)潛力何在?
市場研究機(jī)構(gòu)IDTechEx指出,隨著硅基器件尺寸逼近物理極限,硅柔性化處理已日趨接近天花板;碳基材料的突破也為柔性電子提供了更好的選擇。其中,CNT和...
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
其中,溝道電阻Rch可以由下式描述。式中,L是溝道長度,W是溝道寬度,μn是電子遷移率,Cox是柵極氧化層電容,VGS(on)是導(dǎo)通狀態(tài)柵極電壓,VGS...
減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個好處。在電路性能水平上,有一個顯著的優(yōu)點(diǎn)就是可以增加電路運(yùn)行速度。
2023-10-13 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體芯片 1317 0
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時,電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對方多子復(fù)合,留下了固定...
最先進(jìn)的計算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。
存算一體芯片生產(chǎn)制造流程與傳統(tǒng)AI芯片的差異是什么?
一般芯片驗證從層級上可以大概劃分為IP level,Subsystem level,和SoC level的驗證;根據(jù)項目的階段可以分為前端驗證和后端驗證...
串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源主要技術(shù)指標(biāo)的測試方法
電子設(shè)備一般都需要直流電源供電。這些直流電除了少數(shù)直接利用干電池和直流發(fā)電機(jī)外,大多數(shù)是采用把交流電(市電)轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷闹绷鞣€(wěn)壓電源。
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