半導(dǎo)體制造工藝最強(qiáng)科普

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱為工藝（Process），理由是什么？雖然沒(méi)有明確的答案，但與其說(shuō)加工尺寸微?。壳笆莕m制程），不如說(shuō)制造過(guò)程無(wú)法用肉眼看到所致。

2023-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 5143 0

IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展

加工技術(shù)：IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圓制備技術(shù)，...

2023-02-20 標(biāo)簽：晶圓光刻igbt芯片 2448 0

分享一種將芯片裝配到PCB上的方法

結(jié)束前工序的每一個(gè)晶圓上，都連接著500~1200個(gè)芯片（也可稱作Die）。為了將這些芯片用于所需之處，需要將晶圓切割(Dicing)成單獨(dú)的芯片后，再...

2023-02-17 標(biāo)簽：pcb連接器晶圓 2683 0

碳化硅MOSFET工藝和芯片制造工藝

　　碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET晶圓碳化硅 4064 0

氮化鎵技術(shù)的壁壘是什么 氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。

2023-02-14 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 2306 0

氮化鎵半導(dǎo)體設(shè)備

按晶圓尺寸計(jì)算，GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長(zhǎng)率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個(gè)批...

2023-02-12 標(biāo)簽：晶圓GaN半導(dǎo)體器件 598 0

硅基氮化鎵什么意思

硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關(guān)注。在最近十年的初期，當(dāng) Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術(shù)可減低 LED 照...

2023-02-12 標(biāo)簽：led晶圓硅基氮化鎵 1314 0

8英寸晶圓級(jí)膠體量子點(diǎn)短波/中波紅外焦平面成像陣列制備技術(shù)

論文中提出了一種捕獲型紅外器件工作原理及設(shè)計(jì)方法（圖1）。通過(guò)液相配體交換的方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)量子點(diǎn)摻雜類型及濃度的精準(zhǔn)調(diào)控。在近本征量子點(diǎn)薄膜頂層涂覆具有強(qiáng)...

2023-02-10 標(biāo)簽：探測(cè)器晶圓芯片技術(shù) 1658 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

等離子體圖形化刻蝕過(guò)程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 4499 0

半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料【三】

設(shè)備功能：將兩片晶圓互相結(jié)合，并使表面原子互相反應(yīng)，產(chǎn)生共價(jià)鍵合，合二為一，是實(shí)現(xiàn)3D晶圓堆疊的重要設(shè)備。

2023-02-07 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造 3436 0

刻蝕工藝基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)析

刻蝕速率是測(cè)量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。

2023-02-06 標(biāo)簽：晶圓SEM電子顯微鏡 7172 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...

2023-02-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5165 0

中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長(zhǎng)的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來(lái)的器件，就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本，這是一個(gè)國(guó)際上發(fā)展的趨勢(shì)。

2023-02-03 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 1596 0