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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

一個晶圓被分割成多個半導(dǎo)體芯片的工藝

一個晶圓要經(jīng)歷三次的變化過程，才能成為一個真正的半導(dǎo)體芯片

2023-07-04 標簽：pcb 晶圓 WLCSP封裝 3.5k 0

半導(dǎo)體工藝之沉積和離子注入工藝

半導(dǎo)體芯片由許多比指甲蓋還小、比紙還薄的微觀層(layer)組成。半導(dǎo)體堆疊得又高又實，形成類似于高層建筑的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。

2023-07-04 標簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 3.7k 0

了解不同類型的半導(dǎo)體封裝

圖1為您呈現(xiàn)了半導(dǎo)體封裝方法的不同分類，大致可以分為兩種：傳統(tǒng)封裝和晶圓級（Wafer-Level）封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進行封...

2023-07-04 標簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 3.4k 0

半導(dǎo)體工藝之金屬互連工藝

半導(dǎo)體同時具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導(dǎo)體...

2023-07-03 標簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 4.9k 0

扇出型晶圓級封裝關(guān)鍵工藝和可靠性評價

結(jié)合 FOWLP 近期技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用的現(xiàn)狀, 總結(jié)了發(fā)展趨勢; 從 FOWLP 結(jié)構(gòu)的工藝缺陷和失效模式出發(fā), 闡述了 FOWLP 的工藝流程和重點工藝環(huán)節(jié)。

2023-07-01 標簽：晶圓云計算物聯(lián)網(wǎng) 4.1k 0

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 2.8k 0

淺談半導(dǎo)體制造中的光刻工藝

在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠...

2023-06-28 標簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 7.2k 0

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...

2023-06-28 標簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 2.2k 0

晶圓臨時鍵合及解鍵合工藝技術(shù)介紹

InP 材料在力學方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風險；同時，InP 基化合物半導(dǎo)體...

2023-06-27 標簽：半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體工藝 1.9萬 0

在超純晶圓上堆疊超高純層的外延技術(shù)

廣義而言，半導(dǎo)體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管，即半導(dǎo)體電路的基本元件，也可以構(gòu)建新的一層，將其作為基板并在上面形成器件。特別是用于通信...

2023-06-26 標簽：半導(dǎo)體晶圓晶體管 1.1k 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 3.4k 0

橫向型與垂直型MOSFET簡介

橫向型MOSFET，又稱之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET，結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。

2023-06-25 標簽：MOSFET 晶圓電壓源 5.3k 1

一文詳解晶圓級封裝技術(shù)

傳統(tǒng)上，IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I／O連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來實現(xiàn)。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴大，I／...

2023-06-25 標簽：元器件晶圓封裝技術(shù) 5k 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 3.6k 0

1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業(yè)電機變頻及伺服、新能源車電驅(qū)等重要系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用系統(tǒng)中，I...

2023-06-20 標簽：模塊大功率晶圓 4.4k 0

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝：干法刻蝕

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

2023-06-20 標簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.5萬 0

科普：OCV、AOCV、POCV、LVF

這一期我們來討論一些名詞，就是標題里滿滿當當?shù)挠⑽膯卧~。當然，其中最核心也是最基本的，就是OCV。什么是OCV？它又有什么含義呢？或許后端的朋友們對它相...

2023-06-19 標簽：芯片晶圓晶體管 1.9萬 0

先進封裝之面板芯片級封裝(PLCSP)簡介

今天我們來介紹PLCSP（Panel Level Chip Scale Packaging）。同理，PLCSP是一種將面板級封裝（PLP）和芯片尺寸封裝...

2023-06-19 標簽：芯片 pcb 晶圓 2.8k 0

國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實驗

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標簽：新能源汽車晶圓 SiC 2.6k 0

技術(shù)前沿：凸塊制造技術(shù)——顯示驅(qū)動芯片封測核心量產(chǎn)工藝

顯示驅(qū)動芯片是顯示面板成像系統(tǒng)的重要組成部分之一，目前常見的顯示驅(qū)動芯片包括LCD驅(qū)動芯片和OLED驅(qū)動芯片。LCD驅(qū)動芯片通過接收控制芯片輸出的指令，...

2023-06-19 標簽：晶圓驅(qū)動芯片封測 7k 0

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