在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過(guò)濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過(guò)程的示意圖。
2022-07-06 17:23:52
4745 
合金化熱處理是一種利用熱能使不同原子彼此結(jié)合成化學(xué)鍵而形成金屬合金的一種加熱工藝，半導(dǎo)體制造過(guò)程中已經(jīng)使用了很多合金工藝，自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝過(guò)程中一般形成鈦金屬硅化合物(見(jiàn)下圖)。
2022-09-21 10:13:347025 目前為止，在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中，都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學(xué)工藝的多個(gè)步驟。
2022-09-22 16:04:444357 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見(jiàn)下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917458 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:582105 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:246309 
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:333276 
我們已經(jīng)從前兩篇的文章中了解了半導(dǎo)體制造的前幾大步驟，包括晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕和薄膜沉積。 ? 在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟：互連、測(cè)試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造
2021-08-02 13:49:0418340 表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開(kāi)了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會(huì)議，對(duì)2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會(huì)議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無(wú)線電（名詞解釋?zhuān)?4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其實(shí)歸根究底，就是在矽半導(dǎo)體上制造電子元器件，電子元器件包括很多品種：整流橋，二極管，電容等各種IC類(lèi)，更復(fù)雜的還有整流模塊等等。ASEMI半導(dǎo)體的每一個(gè)電子元器件的完成都是由精密復(fù)雜
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開(kāi)支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見(jiàn)半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。例如實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造設(shè)備、晶圓加工流程的自動(dòng)化，目的是大幅度減少工藝中的操作者，因?yàn)槿耸莾艋g中的主要沾污源。由于芯片快速向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)方法變化、特征尺寸減小。這些變化向工藝制造提出挑戰(zhàn)
2020-09-02 18:02:47
傷害員工、污染環(huán)境，半導(dǎo)體工廠需要有極為嚴(yán)格的污染防治措施，包括實(shí)時(shí)處理工作場(chǎng)所的空氣、妥善處理生產(chǎn)廢料等等。在半導(dǎo)體制造業(yè)中，由于其昂貴設(shè)備的敏感性和制造過(guò)程的復(fù)雜性，工廠的布局變得不可以輕易更改
2020-09-24 15:17:16
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國(guó)際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
控制；控制圖 中圖分類(lèi)號(hào)：TN301 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)：1003-353X(2004)03-0058-03 1 前言 近年來(lái)，半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)歷了快速的改變,技術(shù)的提升也相對(duì)地增加了工藝過(guò)程
2018-08-29 10:28:14
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
的試劑，無(wú)論是單獨(dú)工作還是與其他化學(xué)品混合，對(duì)于半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝。通過(guò)適當(dāng)?shù)膽?yīng)用，它可以避免使用一些需要在高溫下操作的高腐蝕性化學(xué)品，從而減少 CoO，包括化學(xué)品費(fèi)用、沖洗水量、安全問(wèn)題
2021-07-06 09:36:27
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
，光刻工藝，蝕刻工藝，離子注入工藝，化學(xué)機(jī)械拋光，清洗工藝，晶圓檢驗(yàn)工藝。
后道工序包括組裝工藝，檢驗(yàn)分揀工藝
書(shū)中的示意圖很形象
然后書(shū)中用大量示意圖介紹了基板工藝和布線工藝
2024-12-16 23:35:46
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
我想用單片機(jī)開(kāi)發(fā)板做個(gè)熱療儀，開(kāi)發(fā)板是某寶上買(mǎi)的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過(guò)一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見(jiàn)，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
的同義詞？那CMOS工藝是屬于什么工藝啊？我怎么記得以前好像說(shuō)半導(dǎo)體工藝，一般都是說(shuō)什么CMOS，NMOS，TTL等等譬如摻雜、注入、光刻、腐蝕這些又是屬于什么工藝呢？那die bond,wire
2009-09-16 11:51:34
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
、物理學(xué)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:10:18
、物理學(xué)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:15:49
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 半導(dǎo)體制作工藝CH
2017-10-18 10:19:4748 本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。
2018-05-23 17:32:3173768 
半導(dǎo)體設(shè)備和材料處于產(chǎn)業(yè)鏈的上游，是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料應(yīng)用于集成電路、LED等多個(gè)領(lǐng)域，其中以集成電路的占比和技術(shù)難度最高。 01IC制造工藝流程及其所需設(shè)備和材料 半導(dǎo)體產(chǎn)品
2018-10-13 18:28:015731 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細(xì)資料免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00221 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長(zhǎng)資料概述
一、襯底材料的類(lèi)型1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:00151 的占地面積。
半導(dǎo)體制造
在光刻工藝中，通常首先在硅晶圓上沉積一層光敏性光致抗蝕劑材料（光刻膠）。然后，光束通過(guò)光掩模照射到晶圓上，以將掩模圖形呈現(xiàn)在光刻膠上，再使用顯影劑溶解掉經(jīng)過(guò)曝光
2019-05-08 15:27:343275 。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術(shù)。第六章和第七章介紹半導(dǎo)體摻雜的主要技術(shù)；擴(kuò)散法和離子注入法。第八章涉及一些相對(duì)獨(dú)立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法?！?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》最后三章集中討論制版和綜合。
2020-03-09 08:00:00375 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 09:30:41252 在半導(dǎo)體制造的干燥工藝中，水印抑制是重要的課題，對(duì)此，IPA直接置換干燥是有效的。水印的生成可以通過(guò)三相界面共存模型進(jìn)行說(shuō)明。另外就馬蘭戈尼效果進(jìn)行說(shuō)明。
2022-03-09 14:39:212941 
平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:533396 
標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱(chēng)為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過(guò)程，稱(chēng)為“后端工藝”或封裝工藝。在半導(dǎo)體制造
2022-03-14 16:11:138015 
的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜，包括從微粉化一邊倒到三維化，半導(dǎo)體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化，用于制造的半導(dǎo)體器件和材料的技術(shù)革新還沒(méi)有停止。為了解決作為半導(dǎo)體制造工藝之一的CMP
2022-03-21 13:39:085277 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421659 
達(dá)到的水準(zhǔn)，因此單片式刻蝕、清洗設(shè)備開(kāi)始在半導(dǎo)體制造過(guò)程中發(fā)揮越來(lái)越大的作用。 ? 在全自動(dòng)單片清洗設(shè)備中，由于大而薄的硅片對(duì)夾緊力較為敏感，再加上硅片的翹曲率不同，因此對(duì)于硅片的抓取、傳輸提出了更高的要求。
2022-08-15 17:01:356225 
EUV 光刻技術(shù)被視為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的最大瓶頸，但這些價(jià)值超過(guò) 1.5 億美元的工具是沒(méi)有光掩模的paperweights。一個(gè)恰當(dāng)?shù)谋扔魇?，光掩?？梢员徽J(rèn)為是光刻工具對(duì)芯片層進(jìn)行圖案化所需的物理模板。
2022-08-26 10:49:471546 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱(chēng)為工藝（Process），理由是什么？雖然沒(méi)有明確的答案，但與其說(shuō)加工尺寸微?。壳笆莕m制程），不如說(shuō)制造過(guò)程無(wú)法用肉眼看到所致。
2023-02-21 09:57:245916 半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:041358 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:091688 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:556657 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:272485 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:535496 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:495550 
光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:241360 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:342642 
在萬(wàn)物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開(kāi)光刻工藝的參與，其重要性不言而喻。本文將帶您一起認(rèn)識(shí)光刻工藝的基本知識(shí)。
2024-08-26 10:10:073247 
在這篇文章中，我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過(guò)程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片，它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過(guò)程，包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線、電氣檢測(cè)和封裝等。
2024-10-16 14:52:053360 
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常，整個(gè)光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
2024-10-22 13:52:103498 對(duì)光的敏感度。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，將掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片表面。 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心步驟之一。在硅片表面涂上光刻膠(負(fù)膠)后，使用特定波長(zhǎng)的光線通過(guò)掩膜版照射到光刻膠上，被
2024-12-19 13:57:362091 半導(dǎo)體制造設(shè)備對(duì)振動(dòng)極為敏感，不同的設(shè)備及工藝對(duì)振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)要求也有所不同。一般來(lái)說(shuō)，無(wú)塵車(chē)間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)主要從振動(dòng)頻率、振幅等方面進(jìn)行考量：
1，光刻設(shè)備
（1）振動(dòng)頻率：通常要求在
2025-01-02 15:29:162193 
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)ALD）工藝，作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會(huì)用到ALD工藝，并分析其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-20 11:44:444406 
在半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中，每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色，而靜電卡盤(pán)（Electrostatic Chuck，簡(jiǎn)稱(chēng)E-Chuck）無(wú)疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，靜電卡盤(pán)以其獨(dú)特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用性，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。
2025-03-31 13:56:143954 
、Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用解析1、溫度控制的核心作用設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行保障：半導(dǎo)體制造設(shè)備如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等，其內(nèi)部光源、光學(xué)系統(tǒng)及機(jī)械部件在運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生大量熱量。Ch
2025-04-21 16:23:481234 
（高精度冷熱循環(huán)器），適用于集成電路、半導(dǎo)體顯示等行業(yè)，溫控設(shè)備可在工藝制程中準(zhǔn)確控制反應(yīng)腔室溫度，是一種用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中對(duì)設(shè)備或工藝進(jìn)行冷卻的裝置，其工作原
2025-05-22 15:31:011418 
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣，并解離生成原子氧(O*)，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的精準(zhǔn)氧化。
2025-06-07 09:23:294593 
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162129 微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體制造中用于晶圓對(duì)準(zhǔn)和定位系統(tǒng)，確保晶圓在光刻、蝕刻等工藝中精確移動(dòng)。
2025-08-08 17:50:08798 
在半導(dǎo)體制造向“納米級(jí)工藝、微米級(jí)控制”加速演進(jìn)的背景下，滾珠導(dǎo)軌憑借其高剛性、低摩擦、高潔凈度等特性，成為晶圓傳輸、光刻對(duì)準(zhǔn)、蝕刻沉積等核心工藝設(shè)備中不可或缺的精密運(yùn)動(dòng)載體。
2025-08-26 17:54:03562 
一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
2025-10-09 16:29:24576 
泊蘇 Type C 系列防震基座在半導(dǎo)體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司一、企業(yè)背景與光刻加工電子束光刻設(shè)備挑戰(zhàn)某大型半導(dǎo)體制造企業(yè)專(zhuān)注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn)
2025-01-07 15:13:21
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