也有所增長。圖1顯示，中國市場是去年唯一的純晶圓代工銷售增長的主要地區(qū)。此外，歐洲和日本的純晶圓代工市場在2019年均呈現(xiàn)兩位數(shù)的下滑。 與2017年相比，中國在2018年純晶圓代工市場的總份額躍升了五個百分點(diǎn)，達(dá)到19％，比亞太其他地區(qū)的份額高出五個
2020-01-13 10:13:55
7603 使用直接晶圓到晶圓鍵合來垂直堆疊芯片，可以將信號延遲降到可忽略的水平，從而實(shí)現(xiàn)更小、更薄的封裝，同時有助于提高內(nèi)存/處理器的速度并降低功耗。目前，晶圓堆疊和芯片到晶圓混合鍵合的實(shí)施競爭異常激烈，這被
2025-05-22 11:24:181405 
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而
2011-11-24 09:21:428021 據(jù)IHS iSuppli公司的半導(dǎo)體制造與供應(yīng)市場追蹤報(bào)告，今年全球純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計(jì)達(dá)到350億美元，比2012年的307億美元勁增14%。預(yù)計(jì)2016年純晶圓代工業(yè)的總體營業(yè)收入將達(dá)到485億美元。
2013-04-15 09:29:45891 
IC Insights最新報(bào)告顯示，有別于2015年全球前十大純晶圓代工業(yè)者有4家銷售額出現(xiàn)年減的情況，預(yù)估中國中芯國際（SMIC）、以色列 TowerJazz以及美國Global Foundries三家銷售額年增幅度在兩位數(shù)百分比以上。
2016-08-26 10:39:571015 
龍頭寶座，營收規(guī)模為排名第二的GlobalFoundries的五倍以上，在全球純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的市占率接近六成，成長率表現(xiàn)則與整體產(chǎn)業(yè)相當(dāng)。
2017-01-16 09:57:091000 
二的GlobalFoundries的五倍以上，在全球純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的市占率接近六成，成長率表現(xiàn)則與整體產(chǎn)業(yè)相當(dāng)。值得注意的是，排名第四的中芯國際、以色列的TowerJazz與歐洲的X-Fab都展現(xiàn)出非常
2017-01-16 10:13:581540 
臺積電目前正在圣克拉拉舉辦第24屆年度技術(shù)研討會，它剛剛發(fā)布了一個可以為顯卡帶來革命性變革的技術(shù)Wafer-on-Wafer (WoW，堆疊晶圓)技術(shù)。顧名思義，WoW的工作方式是垂直堆疊層，而不是
2018-05-07 09:41:264294 
; 結(jié)合實(shí)際封裝工藝對晶圓級多層堆疊過程中的可靠性管理進(jìn)行了論述。在集成電路由二維展開至三維的發(fā)展過程中，晶圓級多層堆疊技術(shù)將起到至關(guān)重要的作用。
2022-09-13 11:13:056190 扇出型晶圓級中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計(jì)在移動應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢，例如低功耗、短信號路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外，它還
2025-01-22 14:57:524508 
9月24日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，在連續(xù)5年增長之后，全球純晶圓代工市場的規(guī)模在去年有下滑，但研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，今年又將恢復(fù)增長。
2020-09-25 09:49:492910 12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 Materials（應(yīng)用材料）公司一直致力于150mm晶圓制造設(shè)備的研發(fā)，也密切關(guān)注包括光電子和SiC功率MOSFET等器件對先進(jìn)材料的需求。雖然對上述器件的200mm晶圓制造設(shè)備的研發(fā)也在進(jìn)行中。但很明顯地看到，150mm晶圓技術(shù)的未來是光明的。事實(shí)上，150mm晶圓制造產(chǎn)業(yè)還處于非?；钴S的狀態(tài)。
2019-05-12 23:04:07
晶圓凸點(diǎn)模板技術(shù)和應(yīng)用效果評價詳細(xì)介紹了晶圓凸點(diǎn)目前的技術(shù)現(xiàn)狀，應(yīng)用效果，通過這篇文章可以快速全面了解晶圓凸點(diǎn)模板技術(shù)晶圓凸點(diǎn)模板技術(shù)和應(yīng)用效果評價[hide][/hide]
2011-12-02 12:44:29
` 晶圓級封裝是一項(xiàng)公認(rèn)成熟的工藝，元器件供應(yīng)商正尋求在更多應(yīng)用中使用WLP，而支持WLP的技術(shù)也正快速走向成熟。隨著元件供應(yīng)商正積極轉(zhuǎn)向WLP應(yīng)用，其使用范圍也在不斷擴(kuò)大?！ ∧壳坝?種成熟
2011-12-01 14:33:02
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機(jī)原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
架上，放入充滿氮?dú)獾拿芊庑『袃?nèi)以免在運(yùn)輸過程中被氧化或沾污十、發(fā)往封測Die（裸片）經(jīng)過封測，就成了我們電子數(shù)碼產(chǎn)品上的芯片。晶圓的制造在半導(dǎo)體領(lǐng)域，科技含量相當(dāng)?shù)母撸?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)工藝要求非常高。而我國半導(dǎo)體
2019-09-17 09:05:06
”）3.將硅晶棒切片、研磨、拋光，做成晶圓4.設(shè)計(jì) IC 電路／利用光罩技術(shù)將電路復(fù)制到晶圓上5.經(jīng)過測試后進(jìn)行切割、封裝，成為芯片6.芯片再經(jīng)過測試，就可以組裝到印刷電路板上，再安裝至電子產(chǎn)品內(nèi)晶圓
2022-09-06 16:54:23
?！ ?）在切割成單芯片時，封裝結(jié)構(gòu)或者材料影響劃片效率和劃片成品率 2 晶圓封裝的工藝 目前晶圓鍵合工藝技術(shù)可分為兩大類：一類是鍵合雙方不需要介質(zhì)層，直接鍵合，例如陽極鍵合；另一類需要介質(zhì)層，例如金屬鍵合。如下圖2的鍵合工藝分類 圖2 晶圓鍵合工藝分類
2021-02-23 16:35:18
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
不良品，則點(diǎn)上一點(diǎn)紅墨水，作為識別之用。除此之外，另一個目的是測試產(chǎn)品的良率，依良率的高低來判斷晶圓制造的過程是否有誤。良品率高時表示晶圓制造過程一切正常， 若良品率過低，表示在晶圓制造的過程中，有
2020-05-11 14:35:33
純led時鐘用什么最簡單的芯片驅(qū)動啊，顯示5位，共86個led，請大俠幫忙。。。
2012-05-06 21:23:58
(TMAH)，N．甲基丙絡(luò)烷酮 (NMP)、丙二醇甲基醚乙酯(PGMEA)等超純有機(jī)試劑5. 超純水分析6. 高純氣體分析杭州柘大飛秒檢測技術(shù)有限公司立足浙江大學(xué)國家大學(xué)科技園光與電技術(shù)開放實(shí)驗(yàn)室，利用飛秒
2017-12-11 11:13:29
PCB電鍍純錫的缺陷有哪些？電鍍工藝的技術(shù)以及工藝流程，以及具體操作方法
2021-04-25 06:04:02
吸收襯底的研究。其中一種方法就是用對可見光透明的GaP襯底取代GaAs襯底（TS） ，即用鍵合技術(shù)將長有厚GaP窗口層的外延層結(jié)構(gòu)粘接在GaP襯底上，并腐蝕掉GaAs襯底，其發(fā)光效率可提高一倍以上
2010-06-09 13:42:08
半導(dǎo)體器件需要高度完美的晶體。但是即使使用了最成熟的技術(shù)，完美的晶體還是得不到的。不完美，就稱為晶體缺陷，會產(chǎn)生不均勻的二氧化硅膜生長、差的外延膜沉積、晶圓里不均勻的摻雜層，以及其他問題而導(dǎo)致工藝
2018-07-04 16:46:41
，我們將采用穿硅通孔（TSV）用于晶圓級堆疊器件的互連。該技術(shù)基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔，通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積（MOCVD）淀積一層TiN薄膜作為籽晶層，隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的核算會給晶圓生產(chǎn)人員提供全面業(yè)績的反饋。合格芯片與不良品在晶圓上的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來。從前的舊式技術(shù)在不良品芯片上涂下一墨點(diǎn)。 晶圓測試是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一。隨著芯片的面積
2011-12-01 13:54:00
什么是純追蹤算法？
2021-11-22 06:08:01
on top of the wafer.底部硅層 - 在絕緣層下部的晶圓片，是頂部硅層的基礎(chǔ)。Bipolar - Transistors that are able to use both
2011-12-01 14:20:47
;在國內(nèi)，蘇州天弘激光股份有限公司生產(chǎn)和制造激光晶圓劃片機(jī)，已在昆山某客戶處得到應(yīng)用。蘇州天弘激光在參考國外激光劃片機(jī)設(shè)計(jì)理念上，通過與國內(nèi)半導(dǎo)體廠商合作，共同開發(fā)出更適合于硅片激光劃片的激光晶圓劃片
2010-01-13 17:01:57
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
電子技術(shù)的純學(xué)術(shù)QQ群電子技術(shù)千人群，群號219772249電工學(xué)高手群 群號是341626060電工學(xué)+電子學(xué) 群號是173179468電工技術(shù)+電子技術(shù) 群號是292123881
2014-06-22 08:21:08
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
超純氣、高純氣的分析測試是痕量分析學(xué)科的一個分支。它是研究氣體純度分析與其中痕量雜質(zhì)測定的一門范圍較窄但具有現(xiàn)實(shí)意義的專業(yè)學(xué)科。隨著我國經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展，對高純
2009-12-15 16:20:54
23 SW6000純蒸汽取樣器，純蒸汽風(fēng)冷取樣器，純蒸汽智能取樣器在許多工業(yè)過程中，蒸汽是一種重要的能源形式。然而，隨著蒸汽使用量的增加，產(chǎn)生的冷凝水也相應(yīng)增多。這些冷凝水可能含有各種雜質(zhì)和污染物，如果
2023-07-04 16:55:29
對其進(jìn)行三項(xiàng)指標(biāo)的監(jiān)測和檢測，包括過熱度、干度值和不凝結(jié)氣體的檢測。純蒸汽在工業(yè)生產(chǎn)中扮演著重要的角色，為了確保其質(zhì)量和安全性，需要使用純蒸汽質(zhì)量檢測儀對蒸汽的過
2023-07-11 15:28:17
硅單晶外延層的質(zhì)量檢測與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:404098 
在晶圓代工領(lǐng)域中，技術(shù)領(lǐng)先者和落后者之間的鴻溝正不斷加大。據(jù)IC Insights 表示，目前的純晶圓代工業(yè)務(wù)已分為兩大陣營。
2012-10-09 14:18:481015 
總部在日本名古屋的NGK Insulators研發(fā)出一種氮化鎵（GaN）晶圓，據(jù)稱可以將原來的綠光LED 的光效翻倍。NGK采用自主專利的液相外延技術(shù)法，在單晶體生長階段降低缺陷密度。
2012-11-06 16:26:034913 VLSI與超純硅材料的關(guān)系論述
2017-09-14 15:54:057 硅晶圓就是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成長硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
2018-03-26 10:57:1744221 
臺積電目前正在圣克拉拉舉辦第24屆年度技術(shù)研討會，它剛剛發(fā)布了一個可以為顯卡帶來革命性變革的技術(shù)Wafer-on-Wafer (WoW，堆疊晶圓)技術(shù)。顧名思義，WoW的工作方式是垂直堆疊層，而不是
2018-05-05 04:24:004390 
當(dāng)下驅(qū)動的主流技術(shù)是發(fā)動機(jī)驅(qū)動，而電機(jī)驅(qū)動汽車的技術(shù)路線，長期一直起不來。這個意思是，純電驅(qū)動技術(shù)路線不是新的，為什么說成新的呢？其理由是，許多新的技術(shù)可以紛紛用于純電驅(qū)動上了來。中國文字里“新”含義多樣，如重新來，也是”新“的
2018-05-09 16:39:094400 在第24屆年度技術(shù)研討會上，臺積電發(fā)布了一個可以為顯卡帶來革命性變革的技術(shù)堆疊晶圓技術(shù)，這意味Nvidia和AMD GPU不需要增加其物理尺寸或縮小制造工藝即可獲性能提升。
2018-05-11 11:40:313773 晶圓制備包括襯底制備和外延工藝兩大環(huán)節(jié)。襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。外延
2018-08-28 14:44:5918181 
雖然預(yù)計(jì)今年四大晶圓代工廠每片晶圓的平均收入為1,138美元，但產(chǎn)生的數(shù)量在很大程度上取決于IC加工技術(shù)的最小特征尺寸。下圖顯示了今年第二季度純晶圓代工廠生產(chǎn)的一些主要技術(shù)節(jié)點(diǎn)和不同晶圓尺寸的每種晶圓的典型收入。
2018-10-17 11:10:036111 
10月16日，至純科技晶圓再生基地項(xiàng)目正式簽約，合肥新站區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)再添生力軍。合肥新站區(qū)招商局局長安冬梅、至純科技財(cái)務(wù)總監(jiān)陸磊代表雙方簽訂合作協(xié)議。區(qū)黨工委書記、管委會主任路軍，區(qū)經(jīng)貿(mào)局、建設(shè)局、環(huán)保局負(fù)責(zé)人，至純科技相關(guān)負(fù)責(zé)人見證簽約。
2018-10-21 10:29:304831 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 采用國際業(yè)界嚴(yán)苛判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機(jī)械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢，能夠保障相關(guān)材料與技術(shù)在 5G 通訊、云計(jì)算、快充電源、無線充電等領(lǐng)域得到安全可靠的應(yīng)用。
2018-12-20 15:21:176874 根據(jù) IHS 的統(tǒng)計(jì)，2012-2017年全球硅晶圓代工行業(yè)營收CAGR約10.8% 。其中純晶圓代工產(chǎn)能占比從24.1%增長至34.0%。
2019-01-10 08:40:274922 
2018年世界集成電路純晶圓代工業(yè)務(wù)銷售收入預(yù)計(jì)為577.32億美元，同比增長5.32%。其中，中國大陸集成電路純晶圓代工是世界集成電路純晶圓代工業(yè)務(wù)收入的主要市場和主要增長點(diǎn)。
2019-01-13 09:49:177483 
硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
2019-05-09 11:34:3710653 激光雷達(dá)流派和純計(jì)算機(jī)視覺流派一直在自動駕駛技術(shù)中的感知層解決方案上喋喋不休。激光雷達(dá)派認(rèn)為純視覺算法在數(shù)據(jù)形式和精度上的不足；純視覺流派則認(rèn)為激光雷達(dá)不必要且過于昂貴。
2019-05-22 11:25:3911409 根據(jù)臺積電在第二十四屆年度技術(shù)研討會中的說明，SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù)，是一種晶圓對晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術(shù)，這是一種3D IC制程技術(shù)，可以讓臺積電具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。
2019-08-14 11:21:064993 
目的與作用：圖形電鍍純錫目的主要使用純錫單純作為金屬抗蝕層，保護(hù)線路蝕刻。
2019-09-03 09:17:374000 純后級功放和純甲類從字面看就有差別。首先純后級的功放可以包含了所有類別的功放，包括了甲類，甲乙類，乙類還有D類也就是數(shù)字功放。
2020-03-08 15:04:0031914 技術(shù)的需求。有時 6 層板堆疊只是一種在板上獲得比 2 層或 4 層板所允許的走線更多的走線的方法?，F(xiàn)在，在 6 層堆疊中創(chuàng)建正確的層配置以最大化電路性能比以往任何時候都更為重要。 由于信號性能較差，未正確配置的 PCB 層堆疊會受到電磁干擾（ E
2020-09-14 01:14:168746 機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，在5G智能手機(jī)中對應(yīng)用處理器和其他電信設(shè)備銷售的需求增長的推動下，在去年經(jīng)歷了1％下跌的純晶圓代工市場可望迎來爆發(fā)性增長，預(yù)計(jì)2020年上看至19%。
2020-09-25 09:28:121147 
集微網(wǎng)消息，IC Insights今日發(fā)布最新報(bào)告指出，受惠于5G智能手機(jī)應(yīng)用處理器（AP）及其他電信設(shè)備不斷增長的需求，今年純晶圓代工市場規(guī)模有望同比增長19%，將創(chuàng)自2014年（18%）以來新高
2020-09-30 15:05:432047 
近日，IC Insights發(fā)布了2020年McClean報(bào)告的8月更新，其中數(shù)據(jù)表明，在5G智能手機(jī)中對應(yīng)用處理器和其他電信設(shè)備銷售需求的不斷增長的推動下，純晶圓代工市場在繼2019年下降1％之后
2020-10-09 16:57:528819 
Durendal?工藝提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方式進(jìn)行單個晶片堆疊，并能產(chǎn)出高良率以及穩(wěn)固可靠的連接。在未來，我們期待Durendal?工藝能促進(jìn)扇出型晶圓級封裝在單個晶片堆疊中得到更廣泛的應(yīng)用。
2020-12-24 17:39:431299 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。 官方表示，12月28日杭州中欣晶圓迎來了具有歷史意義的一天：在12英寸
2020-12-31 09:44:145522 為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？接下來通過本文一起來探索一下~~ ? 外延Epitaxy這個詞來源于希臘字epi，意思是"…之上" 所以常見的GaN on Si的表達(dá)也就很容易理解了。 ? ? ? 外延片的名字來源 ? ? 首先，先普及一個小概念：晶圓
2021-01-11 11:18:0826793 。 純電阻電路 在純電阻電路中，當(dāng)電壓一定時，影響電流大小的主要因素是電阻R。假設(shè)加在電阻R上的正弦交流電壓的瞬時值為u=Umsinωf，式中的Um為電壓的最大值(V)。根據(jù)歐姆定律，則電路中電流的瞬時值為 i=u/R=(Um/R)sinωt 電流的最大值為 Im = Um/R 將等式
2021-04-21 14:54:4810801 Metalenz所開發(fā)的技術(shù)是意法半導(dǎo)體先進(jìn)制造能力的完美補(bǔ)充。意法半導(dǎo)體將半導(dǎo)體制造工藝和光學(xué)技術(shù)相結(jié)合，在半導(dǎo)體晶圓代工廠內(nèi)使用先進(jìn)的光刻版在超表面上完成可調(diào)諧的衍射波前層。
2021-06-09 09:43:383549 純電阻電路是在通電狀態(tài)下電能全部轉(zhuǎn)化為電路電阻的內(nèi)能，不對外做功。 非純電阻電路中是電能一部分轉(zhuǎn)化為電阻的內(nèi)能，一部分轉(zhuǎn)化為其他形式的能，對外做功。 純電阻電路和非純電阻電路的區(qū)別
2021-08-20 10:55:2915065 2021年11月17日上午10點(diǎn)28分，浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司外延項(xiàng)目建設(shè)工程開工儀式在浙江麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)隆重舉行。
2021-11-18 11:17:411112 
在AOC光電技術(shù)領(lǐng)域，純光纖傳輸技術(shù)可謂行業(yè)領(lǐng)域制高點(diǎn)，純光纖HDMI線、純光纖DP線、純光纖DVI線、純光纖USB線，均成為國內(nèi)外各大廠商競爭的高地。不久前，KING KABLE純光纖HDMI線
2022-02-10 12:12:181448 在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。
2022-04-06 15:24:1912071 堆疊技術(shù)也可以叫做3D堆疊技術(shù)，是利用堆疊技術(shù)或通過互連和其他微加工技術(shù)在芯片或結(jié)構(gòu)的Z軸方向上形成三維集成，信號連接以及晶圓級，芯片級和硅蓋封裝具有不同的功能，針對包裝和可靠性技術(shù)的三維堆疊處理技術(shù)。
2022-05-10 15:58:134946 
5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級多層堆疊技術(shù)。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上，并利用 Si 中介層上的高密度走線進(jìn)行互連。
2022-09-22 09:23:032050 為了盡量減少晶界和褶皺對載流子遷移率的不利影響，在4英寸Cu(111)/藍(lán)寶石晶圓上生長單晶超平坦石墨烯薄膜。本文設(shè)計(jì)了一種多功能的三層轉(zhuǎn)移介質(zhì)，在轉(zhuǎn)移過程中支撐晶圓級石墨烯(圖1a和b)。
2022-11-01 09:22:202615 金屬蒸鍍是在真空環(huán)境下，在光刻后的晶圓表面上蒸鍍金屬層。本項(xiàng)目采用真空蒸發(fā)法，是采用電子束加熱將金屬原料蒸發(fā)沉積到外延片上的一種成膜方法。蒸發(fā)原料的分子或原子平均自由程較高，在真空中幾乎不予其他分子
2023-01-24 15:51:003296 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
廣義而言，半導(dǎo)體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管，即半導(dǎo)體電路的基本元件，也可以構(gòu)建新的一層，將其作為基板并在上面形成器件。
2023-06-19 10:04:531461 
什么是純電阻電路？純電阻電路是電感非常小，以至于在其典型頻率下，其電抗與其電阻相比微不足道的電路。此外，在純電阻電路中，所用電壓的全部用于克服電路本身的歐姆電阻。此外，純電阻電路的另一個名稱是無感電路。
2023-07-05 15:04:396524 
在電力系統(tǒng)中，純電容補(bǔ)償是一種常見的電力補(bǔ)償技術(shù)。然而，有時候會發(fā)現(xiàn)純電容補(bǔ)償會放大諧波。那么，為什么純電容補(bǔ)償會放大諧波呢？
2023-07-25 15:49:353145 
純電阻電路和非純電阻電路的區(qū)別 電路是指一系列連通元件組成的路徑，用于傳輸電能或者電信號，其中包括電阻、電容和電感等元件。在電路中，最基本的電路類型為純電阻電路和非純電阻電路。本文將詳細(xì)解釋這兩種
2023-09-22 16:30:136554 晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓，通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:242895 
半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來了解一下
2023-11-22 17:21:258102 純電阻電路和非純電阻電路是兩種常見的電路類型，它們在元件性質(zhì)和電阻特性上有所不同。
2024-02-03 14:16:5112833 芯片堆疊封裝存在著4項(xiàng)挑戰(zhàn)，分別為晶圓級對準(zhǔn)精度、鍵合完整性、晶圓減薄與均勻性控制以及層內(nèi)（層間）互聯(lián)。
2024-02-21 13:58:349340 
特正在尋找新的解決方案，例如解決圖像傳輸不準(zhǔn)確的主要原因：宏觀缺陷。 實(shí)驗(yàn) 即使在超潔凈10級環(huán)境中，我們也會發(fā)現(xiàn)在晶圓上有時會產(chǎn)生宏觀缺陷，在單晶晶錠生長和晶圓制造之后的工藝步驟中尤其如此，這些步驟包括鋸切晶錠以生產(chǎn)晶圓
2024-04-03 17:31:47988 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，美國純MEMS代工廠Rogue Valley Microdevices（簡稱：RVM）近日宣布，其正在佛羅里達(dá)州棕櫚灣建設(shè)的第二座晶圓廠將具備12英寸MEMS晶圓代工能力。
2024-05-10 09:10:191854 日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長的300毫米（即12英寸）晶圓，標(biāo)志著公司在高性能半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次推出的QST
2024-09-10 17:05:241948 高要求電子設(shè)備。 在電子科技領(lǐng)域，陶瓷純壓6 層 PCB 以獨(dú)特優(yōu)勢成高端電子設(shè)備首選。它熱性能優(yōu)異，可散熱防元件損壞；電性能良好，減損耗失真、降電磁干擾；機(jī)械強(qiáng)度高，能適應(yīng)惡劣環(huán)境。捷多邦在該領(lǐng)域?qū)嵙ψ吭?。其助力電子設(shè)備穩(wěn)定
2024-09-23 11:15:21697 一、概述
晶圓背面涂敷工藝是在晶圓背面涂覆一層特定的材料，以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度，還可以優(yōu)化散熱性能，確保芯片的穩(wěn)定性和可靠性。
二、材料選擇
晶圓背面涂敷
2024-12-19 09:54:10620 
Andes晶心科技（Andes Technology）作為高效能、低功耗、32/64位RISC-V處理器核的領(lǐng)先供貨商及RISC-V國際組織的創(chuàng)始頂級會員，今日宣布推出支持RVA23規(guī)范的AndesCore AX66亂序超純量多核處理器IP。
2025-01-23 11:05:261808 本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39869 在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511978 摘要：本文介紹了一種利用 Bow 與 TTV 差值在再生晶圓上制作超平坦芯片的方法。通過對再生晶圓 Bow 值與 TTV 值的測量和計(jì)算，結(jié)合特定的研磨、拋光等工藝步驟，有效提升芯片的平坦度，為相關(guān)
2025-05-21 18:09:441062 
貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591181 
晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo)，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn)：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量
2025-07-22 16:54:431541 
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55774 
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