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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計為可與應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓邏輯器件 CVD 1.1萬 0

AI助力設(shè)計工藝遷移，破解“缺芯”難題

造成芯片短缺的原因十分復(fù)雜，其中之一在于制造產(chǎn)能的缺口不均。傳統(tǒng)工藝節(jié)點的制造產(chǎn)能明顯不足，但12nm、16nm等工藝節(jié)點的產(chǎn)能卻仍有富余，因此前者受到...

2023-05-25 標(biāo)簽：芯片晶圓 AI 1.6k 0

3nm及以下的5D提取需求

有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值，必須...

2023-05-25 標(biāo)簽：電容晶圓 FinFET 996 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2.3k 0

大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓 SiC 激光切割 2.8k 0

IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡介

對于工程設(shè)計人員來講，IGBT芯片的性能，可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是，系統(tǒng)設(shè)計時，這些性能能夠發(fā)揮出來多少，就要看“封裝“了，畢竟夏天穿著棉襖工作...

2023-05-25 標(biāo)簽：英飛凌晶圓逆變器 2.5k 0

芯片制造和測試數(shù)據(jù)分析在半導(dǎo)體行業(yè)的重要性

芯片制造和測試過程產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量是巨大的，壓倒性的，以至于變得毫無用處，除非有一種有效的方法來收集和分析它。與其他數(shù)據(jù)密集型流程一樣，需要適當(dāng)?shù)拇髷?shù)據(jù)分析...

2023-05-24 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 3.9k 0

抓出半導(dǎo)體工藝中的魔鬼－晶圓表面金屬污染分析

早先對于晶圓表面金屬的濃度檢測需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進(jìn)，偵測極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術(shù)以全反射...

2023-05-24 標(biāo)簽：晶圓反應(yīng)器半導(dǎo)體工藝 5.6k 0

一片晶圓可以產(chǎn)出多少芯片？

芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片完成電路加工，出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測試過程，在...

2023-05-23 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝 7.6k 0

倒裝芯片，挑戰(zhàn)越來越大

正在開發(fā)新的凸點（bump）結(jié)構(gòu)以在倒裝芯片封裝中實現(xiàn)更高的互連密度，但它們復(fù)雜、昂貴且越來越難以制造。

2023-05-23 標(biāo)簽：晶圓封裝內(nèi)存 1.3k 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探

隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進(jìn)封裝是后摩爾時代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標(biāo)簽：晶圓 SiP 封裝 5.9k 0

如何確認(rèn)硅晶材料與硅晶片的檢測純度？

晶圓，是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片，是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料。

2023-05-23 標(biāo)簽：晶圓硅芯片 2.2k 0

一文讀懂讀透半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備

刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時代，要求刻蝕技術(shù)實現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。

2023-05-22 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 5.3k 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡介

經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-22 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2.8k 0

離子注入工藝之退火處理

高溫爐廣泛用于進(jìn)行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。

2023-05-22 標(biāo)簽：晶圓 RTP 7.6k 0

利用碳化硅簡化全球設(shè)備設(shè)計

通過利用單一外形尺寸和電源拓?fù)?，ATDI的電源簡化了將電源集成到過程和測試設(shè)備中的客戶的設(shè)計和認(rèn)證過程。這也減輕了晶圓廠/裝配終端客戶的負(fù)擔(dān)，因為即使他...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源 MOSFET 晶圓 1.1k 0

半導(dǎo)體晶圓測試的探針卡制作及應(yīng)用

精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導(dǎo)熱性、高附著強(qiáng)度和大的載流能力。使用溫度范圍寬，可以達(dá)到-55℃～850℃，熱膨脹系數(shù)接近于硅芯片。在多溫區(qū)測試環(huán)境...

2023-05-19 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體測試探針卡 7.4k 0

什么是系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)

封裝（Package），是把晶圓上切下來的裸片裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程，簡單地說，就是把制造廠生產(chǎn)出來的集成電路裸片放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝 1.8k 0

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅（SiC）長期以來一直被稱為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù)，通過設(shè)計和制造創(chuàng)新，通過提供更高的功率密度，更好的高速開關(guān)性能，更高的擊穿場，更高的導(dǎo)熱性，...

2023-05-19 標(biāo)簽：電動汽車晶圓碳化硅 2k 0

簡述SiP項目成功的三要素

裸芯片(die,bare die,bare chip)，通常是指半導(dǎo)體元器件制造完成，封裝之前的產(chǎn)品形式。裸芯片通常是以晶圓形式(wafer form)...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體元器件 3.6k 0

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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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