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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。
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碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。
氮化鎵晶體管型號參數主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
按晶圓尺寸計算,GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產力并在單個批...
硅基氮化鎵(GaN-on-silicon)LED始終備受世人的關注。在最近十年的初期,當 Bridgelux(普瑞光電)公司宣布該技術可減低 LED 照...
論文中提出了一種捕獲型紅外器件工作原理及設計方法(圖1)。通過液相配體交換的方法,實現對量子點摻雜類型及濃度的精準調控。在近本征量子點薄膜頂層涂覆具有強...
等離子體圖形化刻蝕過程中,刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓,稱為負載效應。負載效應有兩種:宏觀負載效應和微觀負載效應。
設備功能:將兩片晶圓互相結合,并使表面原子互相反應,產生共價鍵合,合二為一,是實現3D晶圓堆疊的重要設備。
第三代半導體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢。因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運...
從6寸把它發(fā)展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個器件的襯底所占的成本,這是一個國際上發(fā)展的趨勢。
隨著摩爾定律的放緩,芯粒(Chiplet)和異構集成 (HI:heterogenous integration) 提供了一種令人信服的方式來繼續(xù)改進性能...
拋光液必須現場調配,立即使用。通過測量容積或液位實時確保各種成分的配比,實現現配現磨。先進的芯片制程采用非接觸式的稱重計量法來做配比,采用自動化的高精密...
在后道制程階段,晶圓(正面已布好電路的硅片)在后續(xù)劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄(backthinning)加工以降低封裝貼裝高度,減小芯片封裝體...
射頻前端(RFFE,RadioFrequency Front-End)模組國內外手機終端中廣泛應用。它將功率放大器(PA,Power Amplifier...
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